ウェハレベルパッケージングメーカー9社
ウェハレベルパッケージング（WLP：Wafer Level Packaging）は、ダイシング前のウェハ状態で再配線層形成、バンプ形成、保護膜形成などのパッケージング工程を一括実施する先端技術です。Fan-In型（WLCSP）による超小型化、Fan-Out型（FOWLP）による高密度I/O配線、さらには2.5D/3D積層実装への対応により、モバイル機器やAIチップ向けの高性能・小型・薄型パッケージを実現します。従来の個片パッケージングと比較して、大幅なコスト削減と製造効率向上も達成します。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
露光（RDL形成）：2機種の比較
| 項目 | Suss MicroTecDSC300 Gen3 | EV GroupLITHOSCALE® XT |
|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm（200 mm オプション） | 300 mm ウェーハ・300 mm 角基板 |
| 露光方式 | 1X 投影スキャン（Wynne-Dyson 光学系） | マスクレス（デジタル）露光 |
| 主要用途 | Cuピラーバンプ・WLCSP・RDL 形成 | AI・HPC 向け FOWLP・パネルレベルパッケージ |
1機種だけが掲載している項目（3件）
| 解像度 | 2 μm | — |
|---|---|---|
| 重ね合わせ精度 | 1.0 μm 以下 | — |
| 特徴 | — | 従来の LITHOSCALE 比で最大 5 倍のスループット |
ウェーハ接合：2機種の比較
| 項目 | Suss MicroTecXBS300 W2W | EV GroupGEMINI® FB XT |
|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 200 mm／300 mm | 200 mm／300 mm |
| 接合方式 | ハイブリッド／フュージョン接合（W2W・一括 D2W） | フュージョン／ハイブリッド接合（W2W） |
| アライメント精度 | 重ね合わせ 100 nm 未満（XBA／ISA） | 50 nm 未満（SmartView® NT3 ボンドアライナー） |
| 主要用途 | 3D積層メモリ・3D SoC | 裏面照射型CIS積層・メモリ積層・3D SoC |
| 項目 | Applied MaterialsCharger® UBM PVD | Applied MaterialsEndura® Underbump Metallization PVD | Applied MaterialsTopaz™ PVD | Lam ResearchTriton（枚葉めっき・ウェット処理） | Lam ResearchKallisto（パネル ECD） | Lam ResearchPhoenix（パネル処理） | KLAKronos™ 1190XR | DISCODAS8930（サーフェースプレーナ） | DISCODFS8960（サーフェースプレーナ） | Onto InnovationPrimaScan™ P | Onto InnovationDragonfly® G5 | Onto InnovationFirefly® G5 | BesiDatacon 8800 CHAMEO advanced | キヤノン（Canon）FPA-5520iV | キヤノン（Canon）FPA-8000iW |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | PVD（リニアアーキテクチャ） | PVD（後工程パッケージング） | — | 枚葉電解めっき・ウェット処理 | 縦型のウェット処理・電解めっき | — | 高解像度光学のパターン付きウェーハ検査 | ダイヤモンドバイト切削平坦化（1 軸 1 チャックテーブル） | ダイヤモンドバイト切削平坦化（2 軸 2 チャックテーブル・搬送／洗浄付き） | レーザー走査＋イメージング | 高速ラインスキャン 2D イメージング＋3D 計測 | 複数のイメージングモード（Clearfind）・高速 IR イメージング | フェイスダウン（フリップ）・フェイスアップ | — | — |
| 対応基板 | — | — | 最大 600 × 600 mm | 3 インチ〜300mm ウェーハ、300 × 300mm パネル | 300 × 300mm〜1,100 × 1,300mm（Gen 5.1）・厚さ 200µm の薄ガラス | 510 × 515 mm パネル（薄ガラス対応） | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 主要用途 | — | — | PLP・ガラス／有機インターポーザ・部品内蔵基板 | — | パッケージ基板・パネルレベルファンアウト | パネル上のバンプ・RDL・TGV めっき | — | — | — | ガラスパネルの受け入れ品質管理 | — | — | — | — | — |
| 対象 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ガラスパネル基板（AICS・FOPLP） | — | 先端 IC 基板・パネルレベルパッケージ | — | FOWLP の再構成基板 | — |
| ラインアップ | — | — | — | Triton CX・Triton CM | — | Phoenix VRT（レジスト処理）・ECD（めっき）・VCA（洗浄） | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 加工精度 | — | — | — | — | — | — | — | TTV 3.0µm 以下・バンプ高さばらつき 1.0µm 以下（5mm 角） | TTV 3.0µm 以下・バンプ高さばらつき 1.0µm 以下（5mm 角） | — | — | — | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目（19件）
| 対象金属 | Ti・TiW・Cu・NiV など | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 構成 | 3 チャンバーから 5 チャンバーへ拡張可能・Volaris プリクリーン | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 膜種 | — | NiV・Cu・Ti・TiW・CuCr・TaN・Al | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 膜厚範囲 | — | 1,000Å 未満〜1µm 超 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 基板温度 | — | — | 120℃ 未満 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 検出感度 | — | — | — | — | — | — | 150nm まで | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 特徴 | — | — | — | — | — | — | DefectWise AI・DesignWise・広い厚さ範囲（XR） | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 面粗さ | — | — | — | — | — | — | — | Ra 0.02µm 以下 | — | — | — | — | — | — | — |
| 装置寸法 | — | — | — | — | — | — | — | — | 1,400 × 3,356 × 1,870 mm | — | — | — | — | — | — |
| 感度 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | サブミクロン（150nm まで） | — | — | — | — |
| スループット | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 前機種比 3 倍以上 | — | — | — | — |
| 機能 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 2D／3D 計測・カラー画像取得 | — | — | — |
| 用途 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | FO-WLP のチップアタッチ | — | — |
| 速度 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 最大 +40% | — | — |
| 搬送 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 反りに合わせて変形するフレキシブルパッド | — |
| オプション | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | HR（高解像力）・LF／LF2（広画角） | — |
| 解像力 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1.0µm 以下 |
| 基板サイズ | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 515 × 510mm（最大 515 × 515mm） |
| 画面サイズ | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 52 × 68mm または 55 × 65mm |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 対応ウェハ径 | 300 mm（200 mm オプション） |
| 露光方式 | 1X 投影スキャン（Wynne-Dyson 光学系） |
| 解像度 | 2 μm |
| 重ね合わせ精度 | 1.0 μm 以下 |
| 主要用途 | Cuピラーバンプ・WLCSP・RDL 形成 |
| 対応ウェハ径 | 200 mm／300 mm |
| 接合方式 | ハイブリッド／フュージョン接合（W2W・一括 D2W） |
| アライメント精度 | 重ね合わせ 100 nm 未満（XBA／ISA） |
| 主要用途 | 3D積層メモリ・3D SoC |
| 対応ウェハ径 | 300 mm ウェーハ・300 mm 角基板 |
| 露光方式 | マスクレス（デジタル）露光 |
| 特徴 | 従来の LITHOSCALE 比で最大 5 倍のスループット |
| 主要用途 | AI・HPC 向け FOWLP・パネルレベルパッケージ |
| 対応ウェハ径 | 200 mm／300 mm |
| 接合方式 | フュージョン／ハイブリッド接合（W2W） |
| アライメント精度 | 50 nm 未満（SmartView® NT3 ボンドアライナー） |
| 主要用途 | 裏面照射型CIS積層・メモリ積層・3D SoC |
| 方式 | PVD（リニアアーキテクチャ） |
| 対象金属 | Ti・TiW・Cu・NiV など |
| 構成 | 3 チャンバーから 5 チャンバーへ拡張可能・Volaris プリクリーン |
Endura® Underbump Metallization PVD
UBM とボンドパッド向けの後工程 PVD。NiV・Cu・Ti・TiW・CuCr・TaN・Al を 1,000Å 未満から 1µm 超まで成膜する。
| 方式 | PVD（後工程パッケージング） |
| 膜種 | NiV・Cu・Ti・TiW・CuCr・TaN・Al |
| 膜厚範囲 | 1,000Å 未満〜1µm 超 |
| 対応基板 | 最大 600 × 600 mm |
| 基板温度 | 120℃ 未満 |
| 主要用途 | PLP・ガラス／有機インターポーザ・部品内蔵基板 |
Triton（枚葉めっき・ウェット処理）
枚葉のめっきとウェット処理を 1 台で行うモジュール型プラットフォーム。3 インチから 300mm、300 × 300mm のパネルまで扱う。
| 方式 | 枚葉電解めっき・ウェット処理 |
| 対応基板 | 3 インチ〜300mm ウェーハ、300 × 300mm パネル |
| ラインアップ | Triton CX・Triton CM |
Kallisto（パネル ECD）
300 × 300mm から Gen 5.1（1,100 × 1,300mm）までのパネルを縦置きで処理するウェット・めっきプラットフォーム。
| 方式 | 縦型のウェット処理・電解めっき |
| 対応基板 | 300 × 300mm〜1,100 × 1,300mm（Gen 5.1）・厚さ 200µm の薄ガラス |
| 主要用途 | パッケージ基板・パネルレベルファンアウト |
| 対応基板 | 510 × 515 mm パネル（薄ガラス対応） |
| ラインアップ | Phoenix VRT（レジスト処理）・ECD（めっき）・VCA（洗浄） |
| 主要用途 | パネル上のバンプ・RDL・TGV めっき |
| 方式 | 高解像度光学のパターン付きウェーハ検査 |
| 検出感度 | 150nm まで |
| 特徴 | DefectWise AI・DesignWise・広い厚さ範囲（XR） |
| 方式 | ダイヤモンドバイト切削平坦化（1 軸 1 チャックテーブル） |
| 加工精度 | TTV 3.0µm 以下・バンプ高さばらつき 1.0µm 以下（5mm 角） |
| 面粗さ | Ra 0.02µm 以下 |
| 方式 | ダイヤモンドバイト切削平坦化（2 軸 2 チャックテーブル・搬送／洗浄付き） |
| 加工精度 | TTV 3.0µm 以下・バンプ高さばらつき 1.0µm 以下（5mm 角） |
| 装置寸法 | 1,400 × 3,356 × 1,870 mm |
| 対象 | ガラスパネル基板（AICS・FOPLP） |
| 方式 | レーザー走査＋イメージング |
| 主要用途 | ガラスパネルの受け入れ品質管理 |
| 方式 | 高速ラインスキャン 2D イメージング＋3D 計測 |
| 感度 | サブミクロン（150nm まで） |
| スループット | 前機種比 3 倍以上 |
| 対象 | 先端 IC 基板・パネルレベルパッケージ |
| 方式 | 複数のイメージングモード（Clearfind）・高速 IR イメージング |
| 機能 | 2D／3D 計測・カラー画像取得 |
| 用途 | FO-WLP のチップアタッチ |
| 方式 | フェイスダウン（フリップ）・フェイスアップ |
| 速度 | 最大 +40% |
| 対象 | FOWLP の再構成基板 |
| 搬送 | 反りに合わせて変形するフレキシブルパッド |
| オプション | HR（高解像力）・LF／LF2（広画角） |
| 解像力 | 1.0µm 以下 |
| 基板サイズ | 515 × 510mm（最大 515 × 515mm） |
| 画面サイズ | 52 × 68mm または 55 × 65mm |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
9社の主要メーカー
ドイツを拠点とする半導体製造装置メーカー。ウェーハレベルパッケージングおよび先端リソグラフィ技術のスペシャリスト。
- •ウェーハレベルパッケージング装置における専門性
- •マスクアライナーおよび基板ボンディング技術
オーストリアを拠点とするウェーハボンディングおよびリソグラフィ装置の世界的リーダー。先端パッケージングおよびMEMS製造に強み。
- •ウェーハボンディング技術における世界トップシェア
- •2.5D/3Dパッケージング向けソリューション
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
「切る・削る・磨く」技術の世界的リーダー。ダイシングソー、グラインダで市場トップシェアを持ち、超薄ウェーハ加工の完全ソリューションを提供。
- •ダイシングソー、グラインダで世界トップシェア
- •超薄ウェーハ加工の完全ソリューション
Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。
- •光学ウェハ検査・膜厚計測で世界有数のポジション
- •先端パッケージング（FO-WLP・HBM）向け計測ソリューション
オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。
- •ダイアタッチ装置で世界シェア42%のトップポジション
- •ハイブリッドボンディング装置における技術的優位性
i線・KrFステッパーを長年供給する露光装置メーカー。近年はナノインプリント・リソグラフィ（NIL）を量産化し、EUVに代わる新たな微細化ルートとして注目される。
- •i線・KrFステッパーの世界的プレーヤー
- •ナノインプリント・リソグラフィ（NIL）の商用化で先行
同じ分野の装置カテゴリ
ボールマウンターは、BGAやCSPのパッケージ基板、またはウェーハの電極パッドに、はんだボールを一括で搭載する装置です。
メーカー 1 社ダイボンダーダイボンダー（Die Bonder）は、選別された良品チップを基板・リードフレーム・パッケージ基材へ高精度に搭載・固定する実装装置です。
メーカー 5 社フリップチップボンダーフリップチップボンダー（Flip Chip Bonder）は、チップを裏返して基板に直接実装し、はんだバンプを介して電気・機械接続を行う先端実装装置です。
メーカー 4 社封止装置（モールディング）封止装置（モールディング装置）は、チップ（ダイ）をエポキシ樹脂（EMC：エポキシモールドコンパウンド）で覆い、外部環境（湿気・機械的衝撃・熱）から保護する後工程の基幹装置です。
メーカー 5 社プラズマクリーナー（後工程）後工程のプラズマクリーナーは、ダイボンディング・ワイヤボンディング・モールド・アンダーフィルの前に、リードフレームやパッケージ基板、チップ表面をプラズマで処理する装置です。
メーカー 3 社リフロー炉リフロー炉は、はんだペーストやはんだボール、バンプを溶かして接合するための加熱炉です。
メーカー 2 社仮接着・剥離装置仮接着・剥離装置は、デバイスウェーハを接着剤でガラスなどの支持基板に一時的に貼り付ける仮接着（テンポラリーボンディング）装置と、裏面の薄化・加工が終わったあとに支持基板から剥がす剥離（デボンディング）装置の組み合わせです。
メーカー 2 社TCボンダー（熱圧着ボンダー）TCボンダー（熱圧着ボンダー）は、チップを1個ずつ吸着して基板やウェーハ、下のチップに位置合わせし、ボンディングヘッドで加熱と加圧を同時にかけてマイクロバンプを接合する装置です。
メーカー 5 社アンダーフィル装置アンダーフィル装置は、フリップチップ接続されたチップと基板の間の空間に液状エポキシ樹脂（アンダーフィル材）を充填・硬化させる後工程装置です。
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メーカー 4 社ワイヤボンダーワイヤボンダー（Wire Bonder）は、金線・銅線・アルミ線などの極細ワイヤを用いて、チップのボンディングパッドと基板・リードフレームを電気的に接続する実装装置です。
メーカー 4 社