SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
ワイヤボンダーメーカー4社
ワイヤボンダー(Wire Bonder)は、金線・銅線・アルミ線などの極細ワイヤを用いて、チップのボンディングパッドと基板・リードフレームを電気的に接続する実装装置です。アルミ細線ボンダはウェッジボンディング方式を採用し、線径20〜500μmのアルミ線を超音波接合でチップ電極に直接接合します。大電流・高温環境に適し、パワー半導体・車載デバイスで広く採用されています。ボールボンディング・ウェッジボンディングなど接合方式を用途に応じて選択し、半導体パッケージングの基幹技術として高速化・高密度化が進んでいます。
メーカー 4 社関連カテゴリ 6 件
主要特徴
直径15~500μmの極細ワイヤで高信頼性の電気接続
アルミ細線ボンダはパワー半導体・車載デバイスのウェッジボンディングに特化
ボールボンディング・ウェッジボンディング等の接合方式
金線・銅線・アルミ線など用途に応じた材料選択
超音波接合で大電流・高温環境でも安定した接続品質を実現
よくある質問
代表製品・スペック
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
4社の主要メーカー
関連カテゴリ
関連用語
比較・違いを学ぶ
TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度…
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径…
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止(モールド)工程には、金型内にEMC(エポキシモールドコンパウンド)を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する…
BGAとQFNの違い(パッケージ形式の比較)
BGAは底面全体にはんだボールを格子状に配置し数百〜数千のI/Oを確保する高ピン数向けパッケージ、QFNは側面リードを持たず底面周辺の露出パッドで接続する小型・…
SiPとSoCの違い(集積アプローチの比較)
SoCはCPU・GPU・メモリ・I/Oなどを単一のシリコンダイに集積するアプローチ、SiPは別々に作った複数のダイや受動部品を1つのパッケージ内に統合するアプロ…
WLCSPとFOWLPの違い(ウェハレベルパッケージングの比較)
WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型のウェハレベルパッケージ、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げて端子数を増やすファンアウト型です。いずれもパッ…