COMPANY DATABASE

EV Group

オーストリアを拠点とするウェーハボンディングおよびリソグラフィ装置の世界的リーダー。先端パッケージングおよびMEMS製造に強み。

🌐 オーストリア公式サイト

当サイトでの位置づけ

ウェーハレベルボンディングや2.5D/3D 向けの接合装置を扱う点で、先端パッケージング用語・カテゴリからの導線が強くなります。

企業の強み

ウェーハボンディング技術における世界トップシェア
2.5D/3Dパッケージング向けソリューション
MEMS・パワーデバイス向け専用装置

主要製品・ソリューション

ウェーハボンディング装置

  • ウェーハレベルボンディングシステム
  • ハイブリッドボンディング装置

リソグラフィ装置

  • マスクアライナー
  • インプリント装置

関連装置カテゴリ

ウェハレベルパッケージング
MEMS製造装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、EV Groupを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

WLCSP(ウェハレベルチップスケールパッケージ)とは →先端パッケージングとは →2.5Dパッケージングとは →

同じトピックの用語

先端パッケージング のトピックで関連する用語です。

先進パッケージングとは →チップレットとは →HBM(高帯域幅メモリ)とは →ウェハボンディングとは →TSV(貫通シリコンビア)とは →フリップチップとは →ハイブリッドボンディングとは →InFO(ファン・アウトウェハレベルパッケージング)とは →

同じトピックの企業

BesiオランダKulicke & Soffa米国Suss MicroTecドイツASMPT香港ASE Technology Holding台湾Amkor Technology米国

比較・違いを学ぶ

CoWoSとInFOの違い(TSMC先進パッケージング比較)
CoWoSとInFOは、いずれもTSMCが提供する先進パッケージング技術です。CoWoSはシリコンインターポーザーを介して複数チップを横に並べ高密度接続する2.
HBM2EとHBM3の違い(世代別スペック比較)
HBM(High Bandwidth Memory)はDRAMを縦に積層しTSV(Through-Silicon Via)で接続した超高帯域メモリです。AI学習
2.5Dパッケージングと3D ICパッケージングの違い
ムーアの法則の鈍化に伴い、異なる機能のチップを高密度で組み合わせる「先進パッケージング」が半導体の性能向上の主戦場になっています。2.5D実装(CoWoS・In
TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径
CoWoS vs SoIC:TSMCの先端パッケージング技術の違い
CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)とSoIC(System on Integrated Chips)はどちらもTSMCの先端パッ
EV Group 公式サイトへ

FOR COMPANIES

貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか?

無料プランからご利用いただけます。

掲載プランを見る →
← 企業一覧に戻る