ダイボンダーメーカー5社
ダイボンダー（Die Bonder）は、選別された良品チップを基板・リードフレーム・パッケージ基材へ高精度に搭載・固定する実装装置です。エポキシ系接着剤や銀ペースト、はんだなどの接合材を用いて、±数μmの位置決め精度でチップを実装します。ピックアップ、アライメント、ボンディングの各工程を自動化し、高速・高精度な実装と高い生産性を両立します。先端パッケージでは、フリップチップや3Dスタック実装にも対応した高度な装置が求められています。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Kulicke & SoffaAPAMA（熱圧着ボンダー） | ASMPTAD8312Plus（ダイボンダー） | BesiEsec 2100 hS iXplus（ダイボンダー） | BesiDatacon 2200 evo | BesiDatacon 2200 evo plus | BesiDatacon 2200 evo hF | BesiDatacon 2200 evo advanced | BesiEsec 2100 sD advanced i | BesiEsec 2100 hSi | BesiEsec 2100 SC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | 熱圧着ボンディング（C2S／C2W） | エポキシダイアタッチ | エポキシダイアタッチ | — | マルチモジュールアタッチ（ダイボンド） | — | — | — | — | — |
| 精度 | — | — | — | ±10µm @ 3σ（要望で 7µm） | — | ±10µm @ 3σ | — | 高精度ボンドヘッド・4 メガピクセルビジョン・上向きカメラ | — | 25µm で最高速度 |
| 特徴 | ダイレクトドライブ Z 軸ボンドヘッド・統合検査／計測 | iDispense・iSense・iTouch、アップルック光学系 | — | — | — | — | — | デバイス高さセンサーによる Z 高さ制御 | — | — |
| 主要用途 | 2.5D／3D・TSV のダイ積層 | — | — | — | — | パワーモジュール・IGBT・MCM・SiP | — | — | — | — |
| ビジョン | — | — | — | — | — | — | 新しい光学系・カメラ・3D 非接触高さ測定（オプション） | — | 4 メガピクセル・上向きカメラ | — |
| ディスペンス | — | — | — | — | — | — | — | デュアルディスペンスモジュール・吐出量制御 | 独立描画軸のデュアルディスペンス | — |
1機種だけが掲載している項目（16件）
| 対応プロセス | NCF・NCP・TC-CUF | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | — | 12 インチ | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 対応基板 | — | 高密度リードフレーム（最大 300 × 100 mm） | — | — | — | — | — | — | — | — |
| ボンディング精度 | — | — | 20 µm @3σ（15 µm オプション） | — | — | — | — | — | — | — |
| サイクルタイム | — | — | 120 ms（液冷オプション） | — | — | — | — | — | — | — |
| 対応パッケージ | — | — | QFN・TSOP・QFP・BGA・CSP・SiP・LGA | — | — | — | — | — | — | — |
| 構成 | — | — | — | 最大 4 ワーキングヘッド・ディスペンサー内蔵・12 インチウェーハ対応 | — | — | — | — | — | — |
| 工法 | — | — | — | エポキシ・はんだ・熱圧着 | — | — | — | — | — | — |
| 改良点 | — | — | — | — | 新カメラ・熱補償アルゴリズム・高速画像処理 | — | — | — | — | — |
| ディスペンサー | — | — | — | — | 圧力／時間（Musashi）・オーガー・ジェッター | — | — | — | — | — |
| ボンド荷重 | — | — | — | — | — | 最大 500N | — | — | — | — |
| 配置精度 | — | — | — | — | — | — | ±3µm @ 3σ（回転 ±0.07°） | — | — | — |
| マルチチップ | — | — | — | — | — | — | 最大 14 種類のピック | — | — | — |
| ピックアンドプレース | — | — | — | — | — | — | — | — | 軽量・高剛性設計・液冷の高性能 Y 軸 | — |
| 対応 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 300mm ウェーハ・スマートカードテープ |
| 検査 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ボンド後 100% の QC 検査 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
APAMA（熱圧着ボンダー）
2.5D／3D・TSV のダイ積層向けに K&S が開発した熱圧着（TCB）ボンダー。2014年に C2S、2015年に C2W 機を投入した。
| 方式 | 熱圧着ボンディング（C2S／C2W） |
| 特徴 | ダイレクトドライブ Z 軸ボンドヘッド・統合検査／計測 |
| 対応プロセス | NCF・NCP・TC-CUF |
| 主要用途 | 2.5D／3D・TSV のダイ積層 |
| 対応ウェハ径 | 12 インチ |
| 方式 | エポキシダイアタッチ |
| 特徴 | iDispense・iSense・iTouch、アップルック光学系 |
| 対応基板 | 高密度リードフレーム（最大 300 × 100 mm） |
Esec 2100 hS iXplus（ダイボンダー）
Besi の Esec 2100 i ファミリーの最新ダイボンダー。連続エポキシパターン描画で、シングルディスペンス機として最速・最安定をうたう。
| 方式 | エポキシダイアタッチ |
| ボンディング精度 | 20 µm @3σ（15 µm オプション） |
| サイクルタイム | 120 ms（液冷オプション） |
| 対応パッケージ | QFN・TSOP・QFP・BGA・CSP・SiP・LGA |
| 精度 | ±10µm @ 3σ（要望で 7µm） |
| 構成 | 最大 4 ワーキングヘッド・ディスペンサー内蔵・12 インチウェーハ対応 |
| 工法 | エポキシ・はんだ・熱圧着 |
| 方式 | マルチモジュールアタッチ（ダイボンド） |
| 改良点 | 新カメラ・熱補償アルゴリズム・高速画像処理 |
| ディスペンサー | 圧力／時間（Musashi）・オーガー・ジェッター |
| ボンド荷重 | 最大 500N |
| 精度 | ±10µm @ 3σ |
| 主要用途 | パワーモジュール・IGBT・MCM・SiP |
| 配置精度 | ±3µm @ 3σ（回転 ±0.07°） |
| ビジョン | 新しい光学系・カメラ・3D 非接触高さ測定（オプション） |
| マルチチップ | 最大 14 種類のピック |
| 精度 | 高精度ボンドヘッド・4 メガピクセルビジョン・上向きカメラ |
| ディスペンス | デュアルディスペンスモジュール・吐出量制御 |
| 特徴 | デバイス高さセンサーによる Z 高さ制御 |
| ピックアンドプレース | 軽量・高剛性設計・液冷の高性能 Y 軸 |
| ディスペンス | 独立描画軸のデュアルディスペンス |
| ビジョン | 4 メガピクセル・上向きカメラ |
| 対応 | 300mm ウェーハ・スマートカードテープ |
| 精度 | 25µm で最高速度 |
| 検査 | ボンド後 100% の QC 検査 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
5社の主要メーカー
半導体ファブ向けAMHS（OHT・ストッカー）と後工程実装周辺装置を手掛ける総合メーカー。Daifukuと並ぶクリーンルーム搬送の主要プレーヤー。
- •OHT（天井搬送システム）で世界トップクラスのシェア
- •ストッカー・自動倉庫との統合ソリューション
半導体パッケージング装置の世界的リーダー。ワイヤーボンディング、ダイボンディング、先端パッケージング装置で圧倒的なシェアを持つ。
- •ワイヤーボンディング装置における世界トップシェア
- •フリップチップ、ハイブリッドボンディングなど先端実装技術
SMT（表面実装技術）と半導体パッケージング装置の世界的メーカー。先端パッケージングからSMT製造まで包括的なソリューションを提供。
- •SMTおよび半導体パッケージング装置における総合力
- •先端パッケージング技術（チップレット、ウェーハレベルパッケージング）
オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。
- •ダイアタッチ装置で世界シェア42%のトップポジション
- •ハイブリッドボンディング装置における技術的優位性
半導体製造装置のダイボンダを専業とするメーカー（旧日立ハイテクインスツルメンツのダイボンダ事業を継承）。ダイシング後のチップをリードフレームや基板に接合するダイボンダを開発・製造し、国内外の半導体メーカーと OSAT に供給する。
- •ダイボンダ専業の開発体制
- •メモリ積層など多段ボンディングへの対応
同じ分野の装置カテゴリ
ボールマウンターは、BGAやCSPのパッケージ基板、またはウェーハの電極パッドに、はんだボールを一括で搭載する装置です。
メーカー 1 社フリップチップボンダーフリップチップボンダー（Flip Chip Bonder）は、チップを裏返して基板に直接実装し、はんだバンプを介して電気・機械接続を行う先端実装装置です。
メーカー 4 社封止装置（モールディング）封止装置（モールディング装置）は、チップ（ダイ）をエポキシ樹脂（EMC：エポキシモールドコンパウンド）で覆い、外部環境（湿気・機械的衝撃・熱）から保護する後工程の基幹装置です。
メーカー 5 社プラズマクリーナー（後工程）後工程のプラズマクリーナーは、ダイボンディング・ワイヤボンディング・モールド・アンダーフィルの前に、リードフレームやパッケージ基板、チップ表面をプラズマで処理する装置です。
メーカー 3 社リフロー炉リフロー炉は、はんだペーストやはんだボール、バンプを溶かして接合するための加熱炉です。
メーカー 2 社仮接着・剥離装置仮接着・剥離装置は、デバイスウェーハを接着剤でガラスなどの支持基板に一時的に貼り付ける仮接着（テンポラリーボンディング）装置と、裏面の薄化・加工が終わったあとに支持基板から剥がす剥離（デボンディング）装置の組み合わせです。
メーカー 2 社TCボンダー（熱圧着ボンダー）TCボンダー（熱圧着ボンダー）は、チップを1個ずつ吸着して基板やウェーハ、下のチップに位置合わせし、ボンディングヘッドで加熱と加圧を同時にかけてマイクロバンプを接合する装置です。
メーカー 5 社アンダーフィル装置アンダーフィル装置は、フリップチップ接続されたチップと基板の間の空間に液状エポキシ樹脂（アンダーフィル材）を充填・硬化させる後工程装置です。
メーカー 3 社ウェハレベルパッケージングウェハレベルパッケージング（WLP：Wafer Level Packaging）は、ダイシング前のウェハ状態で再配線層形成、バンプ形成、保護膜形成などのパッケージング工程を一括実施する先端技術です。
メーカー 9 社ウェハマウンタウェハマウンタ（ダイシングテープマウンタ）は、ダイシング工程前にウェハをダイシングフレーム（リングフレーム）に固定されたテープに貼り付ける装置です。
メーカー 4 社ワイヤボンダーワイヤボンダー（Wire Bonder）は、金線・銅線・アルミ線などの極細ワイヤを用いて、チップのボンディングパッドと基板・リードフレームを電気的に接続する実装装置です。
メーカー 4 社