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ダイボンダーメーカー4

ダイボンダー(Die Bonder)は、選別された良品チップを基板・リードフレーム・パッケージ基材へ高精度に搭載・固定する実装装置です。エポキシ系接着剤や銀ペースト、はんだなどの接合材を用いて、±数μmの位置決め精度でチップを実装します。ピックアップ、アライメント、ボンディングの各工程を自動化し、高速・高精度な実装と高い生産性を両立します。先端パッケージでは、フリップチップや3Dスタック実装にも対応した高度な装置が求められています。

メーカー 4関連カテゴリ 6

主要特徴

±数μmの高精度位置決めでチップを基板・リードフレームへ搭載
エポキシ・銀ペースト・はんだ等の多様な接合材に対応
ピックアップ・アライメント・ボンディングの完全自動化
フリップチップ・3Dスタック実装など先端パッケージに対応
高速生産性と高精度実装の両立で製造コスト削減

代表製品・スペック

製品写真
村田機械(Muratec)
MDC シリーズ(ダイボンダー)

村田機械のダイボンダー。エポキシ・DAF・ハンダ接合に対応し、多様なパッケージ形態に使用される。

ボンディング精度±3 μm(3σ)
スループット最大 15,000 UPH
対応ダイサイズ0.3 mm ~ 15 mm 角
接合方式エポキシ・DAF・ハンダ
主要用途リードフレーム・基板へのダイ搭載
製品写真
Kulicke & Soffa
Apama(ダイボンダー)

Kulicke & Soffaの高精度ダイボンダー。高速ピックアンドプレースと正確な接合が特徴。

ボンディング精度±1.5 μm(3σ)
スループット最大 18,000 UPH
接合方式エポキシ・DAF・フラックス
ビジョン精度0.5 μm 分解能カメラ
主要用途先端パッケージ・フリップチップ前ダイ搭載
Kulicke & Soffa の企業情報を見る →
製品写真
ASMPT
iStar(ダイボンダー)

ASMPTの高速ダイボンダー。多様な接合材料と基板形態に柔軟対応し、量産性能に優れる。

ボンディング精度±5 μm(3σ)
スループット最大 12,000 UPH
接合方式エポキシ・DAF・ハンダペースト
対応基板リードフレーム・有機基板・セラミック
主要用途大量生産向けダイ搭載
ASMPT の企業情報を見る →
製品写真
Besi
Datacon 8800 ESEC(ダイボンダー)

BESIの高精度ダイボンダー。サブミクロン精度のダイ搭載で先端パッケージング工程に対応。

ボンディング精度±1 μm(3σ)
スループット最大 20,000 UPH
対応ダイサイズ0.2 mm ~ 80 mm
接合方式エポキシ・DAF・ハンダ・銀ペースト
主要用途先端パッケージ・パワーデバイス向けダイ搭載
Besi の企業情報を見る →

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

4社の主要メーカー

村田機械(Muratec)日本

半導体ファブ向けAMHS(OHT・ストッカー)と後工程実装周辺装置を手掛ける総合メーカー。Daifukuと並ぶクリーンルーム搬送の主要プレーヤー。

搬送・保管システム
OHTストッカー
実装関連装置
ダイボンダー
  • OHT(天井搬送システム)で世界トップクラスのシェア
  • ストッカー・自動倉庫との統合ソリューション
Kulicke & Soffa米国

半導体パッケージング装置の世界的リーダー。ワイヤーボンディング、ダイボンディング、先端パッケージング装置で圧倒的なシェアを持つ。

ワイヤーボンディング装置
ボールボンダーウェッジボンダー
ダイボンディング装置
フリップチップボンダーハイブリッドボンディングシステム
  • ワイヤーボンディング装置における世界トップシェア
  • フリップチップ、ハイブリッドボンディングなど先端実装技術
ASMPT香港

SMT(表面実装技術)と半導体パッケージング装置の世界的メーカー。先端パッケージングからSMT製造まで包括的なソリューションを提供。

ダイボンディング装置
NUCLEUS系列AMICRA系列
ワイヤーボンディング装置
自動ワイヤーボンダー
レーザー加工装置
レーザーダイシング装置
  • SMTおよび半導体パッケージング装置における総合力
  • 先端パッケージング技術(チップレット、ウェーハレベルパッケージング)
Besiオランダ

オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。

ダイボンディング装置
シングルチップ・マルチチップボンダーハイブリッドボンディングシステムFOWLP装置
パッケージング装置
モールディングシステムトリム&フォーム装置
  • ダイアタッチ装置で世界シェア42%のトップポジション
  • ハイブリッドボンディング装置における技術的優位性

関連カテゴリ

フリップチップボンダー
封止装置(モールディング)
アンダーフィル装置
ウェハレベルパッケージング
ウェハマウンタ
ワイヤボンダー

関連用語

ダイボンダーとは →ワイヤボンダーとは →フリップチップとは →WLCSP(ウェハレベルチップスケールパッケージ)とは →QFP(クアッドフラットパッケージ)とは →QFNパッケージとは →BGA(ボールグリッドアレイ)とは →リードフレームとは →ボールボンディングとは →ウェッジボンディングとは →ダイボンディング(ダイアタッチ)とは →C4バンプ(はんだバンプ)とは →

比較・違いを学ぶ

TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止(モールド)工程には、金型内にEMC(エポキシモールドコンパウンド)を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する
BGAとQFNの違い(パッケージ形式の比較)
BGAは底面全体にはんだボールを格子状に配置し数百〜数千のI/Oを確保する高ピン数向けパッケージ、QFNは側面リードを持たず底面周辺の露出パッドで接続する小型・
SiPとSoCの違い(集積アプローチの比較)
SoCはCPU・GPU・メモリ・I/Oなどを単一のシリコンダイに集積するアプローチ、SiPは別々に作った複数のダイや受動部品を1つのパッケージ内に統合するアプロ
WLCSPとFOWLPの違い(ウェハレベルパッケージングの比較)
WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型のウェハレベルパッケージ、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げて端子数を増やすファンアウト型です。いずれもパッ
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