ドライ洗浄装置メーカー6社
ドライ洗浄は、プラズマやガスなどを用いて汚染物を除去する洗浄方式です。水や薬液を使いにくい工程や、乾式処理が求められる場面で活用されます。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング） | 東京エレクトロン（TEL）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置） | Lam ResearchSelective Etch（Argos®／Prevos®／Selis®） | Applied MaterialsProducer™ Viva™ Radical Treatment | ASMインターナショナルPrevium®（エピ前プリクリーン） | ULVAC（アルバック）RISE-300（自然酸化膜除去装置） |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | ガスケミカル（ドライ）エッチング、プラズマレス | 枚葉式・低温エアロゾル（薬液・水を使わない完全ドライ） | 等方性の選択エッチング・表面処理 | イオンフリーのラジカル処理（特許） | エピ前のプリクリーン（Intrepid と統合） | リモートプラズマ（マイクロ波）・低温のバッチ式ドライエッチング |
| 主要用途 | シリコンコンタクト前クリーニング・酸化膜除去・選択エッチング | 微細パターンのパーティクル除去（FEOL〜BEOL） | S/D 成膜前プリクリーン・表面除染・SiGe 除去（GAA）・酸化膜リセス | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | — | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目（8件）
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（2枚同時処理） | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|
| シリーズ構成 | — | — | Argos／Prevos／Selis | — | — | — |
| 対象 | — | — | — | GAA ナノシートのシリコン表面 | — | — |
| 効果 | — | — | — | 表面粗さ・不純物の低減でキャリア移動度を改善 | — | — |
| ラインアップ | — | — | — | — | Previum V3・NEXT・VP（気相・非プラズマ） | — |
| 性能 | — | — | — | — | 自然酸化膜を 99.9% 除去（V3） | — |
| 均一性 | — | — | — | — | — | ±5% 未満（バッチ） |
| 処理 | — | — | — | — | — | 300mm を 50 枚一括 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）
洗浄液を使わずに表面エッチングとクリーニングを行う東京エレクトロンの 300mm 対応ガスケミカルエッチング装置。プラズマを使わず、ウォーターマークが出ない。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | ガスケミカル（ドライ）エッチング、プラズマレス |
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（2枚同時処理） |
| 主要用途 | シリコンコンタクト前クリーニング・酸化膜除去・選択エッチング |
ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）
導入ガスを低温エアロゾル化してパーティクルだけを除去する東京エレクトロンの 300mm 枚葉ドライ洗浄装置。Cu や Low-k 膜を傷めない。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | 枚葉式・低温エアロゾル（薬液・水を使わない完全ドライ） |
| 主要用途 | 微細パターンのパーティクル除去（FEOL〜BEOL） |
Selective Etch（Argos®／Prevos®／Selis®）
周囲の材料を傷めずに等方的に材料を除去する Lam Research の選択エッチング製品群。表面処理やソース／ドレイン成膜前のプリクリーンにも使われる。
| 方式 | 等方性の選択エッチング・表面処理 |
| シリーズ構成 | Argos／Prevos／Selis |
| 主要用途 | S/D 成膜前プリクリーン・表面除染・SiGe 除去（GAA）・酸化膜リセス |
Producer™ Viva™ Radical Treatment
イオンを含まない純粋なラジカルで、GAA のナノシート表面を Å レベルで滑らかに整える表面処理装置。
| 方式 | イオンフリーのラジカル処理（特許） |
| 対象 | GAA ナノシートのシリコン表面 |
| 効果 | 表面粗さ・不純物の低減でキャリア移動度を改善 |
| 方式 | エピ前のプリクリーン（Intrepid と統合） |
| ラインアップ | Previum V3・NEXT・VP（気相・非プラズマ） |
| 性能 | 自然酸化膜を 99.9% 除去（V3） |
| 方式 | リモートプラズマ（マイクロ波）・低温のバッチ式ドライエッチング |
| 均一性 | ±5% 未満（バッチ） |
| 処理 | 300mm を 50 枚一括 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
6社の主要メーカー
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
韓国の半導体前工程装置メーカー。フォトレジストを除去するドライストリップ（アッシング）装置で世界的なシェアを持ち、プラズマドーピングやドライクリーニング装置も展開する。
- •ドライストリップ（アッシング）装置で世界上位
- •プラズマドーピング（PLAD）装置を供給
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
ALD（原子層堆積）装置とエピタキシャル成長装置のグローバルリーダー。次世代ロジック・メモリプロセスに不可欠な高品質薄膜形成技術を提供。
- •ALD装置で世界トップシェア。GAA・FinFET向けハイK/メタルゲートに必須
- •SiGe・III-Vエピタキシャル成長装置でも高い技術力
真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。
- •真空ポンプからプロセス装置まで一貫した垂直統合
- •スパッタリング装置で国内トップクラス
同じ分野の装置カテゴリ
バッチ洗浄装置（Batch Cleaning）は、複数のウェハを同時に処理する洗浄システムです。
メーカー 3 社レジスト剥離装置（ウェット）レジスト剥離装置（ウェット）は、露光・エッチング・イオン注入を終えた後に不要となったフォトレジストを薬液で溶解除去する装置です。
メーカー 5 社シングルウェハ洗浄装置枚葉洗浄装置（Single Wafer Cleaning）は、ウェハを1枚ずつ個別に処理する精密洗浄システムです。
メーカー 5 社ウェハ乾燥装置ウェハ乾燥装置は、洗浄後のウェハ表面から液体を除去する装置です。
メーカー 4 社ウェハスクラバウェハスクラバは、PVAブラシや高圧ジェットでウェハ表面を物理的にこすり、付着したパーティクルを剥がし取る洗浄装置です。
メーカー 3 社ウェット洗浄装置ウェット洗浄（Wet Cleaning）は、薬液・超純水を用いてウェハ表面の汚染物質を除去する湿式プロセスです。
メーカー 4 社