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Lam Research

エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。

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当サイトでの位置づけ

当サイトのエッチング関連カテゴリ(ドライ・導体・絶縁膜等)において、プロセスの主役となる装置群を代表するメーカーとして一覧・用語から参照されます。

企業の強み

エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
原子層エッチング(ALE)技術における技術リーダーシップ
GAA、3D NAND、DRAMなど先端3Dアーキテクチャのサポート

主要製品・ソリューション

エッチング装置

  • Kiyo
  • Flex
  • Vantex
  • Akara

成膜装置

  • デポジションシステム

洗浄装置

  • ウェーハ洗浄装置

関連装置カテゴリ

ドライエッチング装置
CVD装置
洗浄装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Lam Researchを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

エッチングとは →枚葉式洗浄(シングルウェハ洗浄)とは →フォーカスリング(エッジリング)とは →静電チャック(ESC)とは →RF電源(高周波電源)とは →ドライ洗浄(ケミカルドライクリーニング)とは →

同じトピックの用語

エッチング・成膜(CVD/PVD/ALD)・CMOSイメージセンサー製造・ウェハ洗浄・配線・メタライゼーション のトピックで関連する用語です。

ドライエッチングとは →CVD(化学気相成長)とは →半導体材料とは →洗浄とは →銅配線(ダマシン法)とは →ウェットエッチングとは →PVDとは →エピタキシー(エピ成長)とは →

同じトピックの企業

Applied Materials米国SCREENホールディングス日本東京エレクトロン(TEL)日本日立ハイテク日本ジュソンエンジニアリング(Jusung Engineering)韓国浜松ホトニクス日本

比較・違いを学ぶ

ドライエッチングとウェットエッチングの違い
ドライエッチングは真空プロセスでイオン・ラジカルを利用し、異方性エッチングがしやすいのが特長です。ウェットエッチングは液相で均一かつ高選択比な除去が可能な場合が
CVDとPVDの違い(成膜プロセス比較)
CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は気相の化学反応で薄膜を堆積し、PVD(Physical Vapor Depositi
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径
バッチ洗浄と枚葉洗浄の違い(半導体ウェハ洗浄方式比較)
バッチ洗浄は複数枚(25〜50枚)のウェハを薬液槽に一括浸漬して洗浄する方式で、スループットが高くコストが低いため成熟ノードで広く使われます。枚葉洗浄(Sing
銅配線とコバルト・ルテニウム配線の違い(先端ノード配線材料の比較)
半導体の銅(Cu)配線は1997年にIBMが量産化して以来、ロジックチップの標準配線材料です。しかし5nm以下の先端ノードでは配線幅が10nm以下になり、銅の有
ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
CVD(Chemical Vapor Deposition)は反応ガスを同時供給して連続的に成膜するのに対し、ALD(Atomic Layer Depositi
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