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PVD装置メーカー4社

PVD装置（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）は、真空中でターゲット材料を蒸発・スパッタリングしてウェハ表面に堆積させる成膜装置です。スパッタリングPVDは金属配線（AlCu・Wなど）・バリアメタル（TiN・TaNなど）・電極材料の形成に広く使用されます。CVDと比較して低温成膜が可能で付着力が強く、純度の高い金属薄膜形成に優れています。ハードディスクや太陽電池など半導体以外の分野でも活用されています。

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主要特徴

スパッタリング・蒸着によりターゲット材料を薄膜化

Al・Cu・W・TiN・TaNなど金属・バリアメタルの成膜に最適

CVDより低温で成膜でき熱に弱い基板材料にも対応

膜純度が高くステップカバレッジ（被覆性）は限定的

配線・電極・バリア層形成で必須の成膜技術

よくある質問

PVD装置とは何ですか？▾

PVD（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）装置は、スパッタリングや蒸着など物理的手法でターゲット材料をウェハ表面に薄膜堆積する成膜装置です。Al・Cu・W・TiN・TaNなど金属・バリアメタル成膜に広く使われます。

PVDとCVDはどう違いますか？▾

PVDは物理的手法（スパッタリング・蒸着）で成膜するため金属膜純度が高く低温処理が可能ですが、深い溝や穴の内部への均一成膜（コンフォーマル性）はCVDより劣ります。CVDは化学反応を利用するため複雑な3D形状にも均一に成膜できます。

PVD装置の主要メーカーはどこですか？▾

Applied Materials（Endura系）が圧倒的なシェアを持ちます。日本ではULVAC（アルバック）がスパッタ装置市場で存在感を持ちます。バリアメタル・シード層向けにi-PVD（イオナイズドPVD）やHiPIMSなどの高機能装置が主要ファブに採用されています。

代表製品・スペック

製品写真

Applied Materials

Endura PVD

Applied Materialsのクラスター型PVD（スパッタ）装置。バリアメタル・シード層成膜で業界標準的地位を持つ。

対応ウェハ径	300 mm
成膜方式	マグネトロンスパッタリング
主要成膜膜種	TiN・TaN・Cu・Al・W
プロセスモジュール数	最大 8 チャンバー（クラスター型）
膜厚均一性	±1.5% 以内

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東京エレクトロン（TEL）

TELINDY PLUS PVD

TELのクラスター型PVDプラットフォーム。バリアメタル・配線シード層の成膜に対応。

対応ウェハ径	300 mm
成膜方式	マグネトロンスパッタリング
主要成膜膜種	TiN・TaN・Al・Cu シード層
チャンバー数	最大 4 プロセスモジュール
到達真空度	< 1×10⁻⁸ Torr

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ULVAC（アルバック）

ERA-5000（スパッタ）

ULVACのクラスター型スパッタ装置。金属・酸化物・窒化物の薄膜成膜に幅広く対応。

対応ウェハ径	最大 300 mm
成膜方式	マグネトロン / DC / RFスパッタ
主要成膜膜種	Al・Ti・TiN・AlCu・ITO
到達真空度	< 5×10⁻⁸ Torr
プロセスモジュール数	最大 6 チャンバー

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。