当サイトでの位置づけ
Semirai の装置ツリーでは、成膜・エッチング・CMP・イオン注入など幅広い前工程に跨るライン装置を提供する企業として、多くのカテゴリページから関連付けされます。
企業の強み
世界最大の半導体製造装置サプライヤー
成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
先端ノード向けの革新的技術開発
主要製品・ソリューション
成膜装置
- •CVD
- •PVD
- •ALD
エッチング装置
- •エッチングシステム
CMP・イオン注入
- •CMP装置
- •イオン注入装置
Applied Materialsの製品
Reflexion LK Prime CMP(酸化膜CMP装置)Reflexion LK CMP(金属CMP装置)Vantage Vulcan RTP(RTP(急速熱処理)装置)VIISta Trident(高電流イオン注入装置)VIISta 900XP(中電流イオン注入装置)Producer Celera PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer Precision APF PECVD(PECVD(プラズマCVD))Kinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System(ハイブリッドボンディング装置)Centris® Sym3® Y Etch(ドライエッチング装置)Sym3™ Z Magnum™ Etch(シリコンエッチャー)Centura® Etch(ポリシリコンエッチャー)Producer® Selectra® Etch(酸化膜エッチャー)Producer® Selectra® Mo Etch(金属エッチャー)Olympia® ALD(ALD装置)Producer® XP Precision® CVD(CVD装置)Endura® PVD(PVD装置)Centura™ Prime™ Epi(エピタキシャル成長装置)Raider® ECD(めっき装置(電解銅めっき))Centura® Tetra™ Z Photomask Etch(マスクエッチング装置)Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch(マスクエッチング装置)Vantage® Astra™ DSA(レーザーアニール装置)VIISta® PLAD(プラズマドーピング装置)SEMVision™ H20(レビューSEM)VeritySEM® 20 CD Metrology(CD-SEM)Centura® Silvia™ Etch(TSV形成装置)VIISta® 3000XP(高エネルギーイオン注入)(CMOSイメージセンサー製造装置)VIISta® 900 3D(ホットイオン注入)(SiCパワー半導体製造装置)Mirra® Durum™ CMP(SiCパワー半導体製造装置)SmartFactory MES(生産管理システム(MES))Aera™ 6 Mask Inspection(マスク検査装置)Aeris®-G Plasma Abatement System(排ガス処理装置(アバトメント))Aeris®-S(排ガス処理装置(アバトメント))Aeris®-Si(排ガス処理装置(アバトメント))Alta® 4700DP Mask Writer(マスク描画装置(EB描画))Producer™ Avila™ 2 PECVD(TSV形成装置)Producer Precision™ Selective Nitride PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer® XP Precision® Pioneer® CVD(CVD装置)Sigmameltec CTS Mask Coat Series(マスクコータ/デベロッパ)Sigmameltec MRC Mask Clean Series(マスク洗浄・乾燥装置)Sigmameltec SFB Mask Bake Series(マスクコータ/デベロッパ)Sigmameltec SFD Mask Develop Series(マスクコータ/デベロッパ)iSystem® Controller(装置管理システム(EES))Axcela™ PVD(PVD装置)Centris™ Spectral™ Mo ALD(ALD装置)Centris™ Spectral™ SiN ALD(ALD装置)Centura® DPN HD(RTP(急速熱処理)装置)Centura® DXZ CVD(CVD装置)Centura® Epi 200mm(エピタキシャル成長装置)Centura™ Sculpta™ Pattern-Shaping System(ドライエッチング装置)Centura® Ultima HDP CVD®(CVD装置)Centura™ Xtera™ Epi(エピタキシャル成長装置)Centura™ iSprint™ SSW ALD/CVD(CVD装置)Charger® UBM PVD(ウェハレベルパッケージング)ComPLUS™ 5P Optical Inspection(光学式ウェーハ検査装置)Endura® ALPS® PVD(PVD装置)Endura® Amber™ PVD(PVD装置)Endura® Avenir® RF PVD(PVD装置)Endura® Cirrus™ HT Co PVD(PVD装置)Endura® Cirrus™ HTX PVD(PVD装置)Endura® Clover® MRAM PVD(PVD装置)Endura® CuBS RF XT PVD(PVD装置)Endura™ CuBS Volta™ Ruthenium CVD(CVD装置)Endura® iLB™ PVD/ALD(PVD装置)Endura® Impulse™ PCRAM PVD(PVD装置)Endura® Ioniq™ W PVD(PVD装置)Endura™ Trillium™ ALD(ALD装置)Endura® Underbump Metallization PVD(ウェハレベルパッケージング)Endura® Ventura® PVD(TSV形成装置)Endura® Versa™ XLR2 W PVD(PVD装置)Endura® Volta® Cobalt CVD(CVD装置)Endura® Volta® Selective W CVD(CVD装置)Endura® Volta® W CVD(CVD装置)Enlight™ 3 Optical Inspection(光学式ウェーハ検査装置)HawkEye™ Optical Inspection(光学式ウェーハ検査装置)Mirra® CMP 200mm(酸化膜CMP装置)Nokota VMax™ 2 ECD(めっき装置(電解銅めっき))Opta™ CMP(金属CMP装置)PROVision™ 10 eBeam Metrology(CD-SEM)PROVision™ 4E eBeam Metrology(CD-SEM)Pika™ PVD(PVD装置)PrimeVision® 10 eBeam Inspection(電子線(EB)検査装置)Producer® Pyra® Anneal(アニール炉)Producer® Avila™ PECVD(TSV形成装置)Producer® BLOk™ PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer™ Black Diamond™ PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer® CVD(CVD装置)Producer® DARC® PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer® Etch(ドライエッチング装置)Producer® Eterna® FCVD™(CVD装置)Producer® HARP®(CVD装置)Producer® InVia® CVD(TSV形成装置)Producer® Onyx®(PECVD(プラズマCVD))Producer™ Viva™ Radical Treatment(ドライ洗浄装置)Producer® XP Precision® Draco™ CVD(CVD装置)Reveal™ Defect Analysis(故障解析装置)SEMVision™ G10 Defect Analysis(レビューSEM)SEMVision™ G7 Defect Analysis(レビューSEM)SEMVision™ G7AP Defect Analysis(レビューSEM)SEMVision® G9 Defect Analysis(レビューSEM)Topaz™ PVD(ウェハレベルパッケージング)VIISta® HCP(高電流イオン注入装置)Vantage® RadOx™ RTP(RTP(急速熱処理)装置)Vantage® Radiance® Plus RTP(RTP(急速熱処理)装置)Vera® Optical Inspection(光学式ウェーハ検査装置)VeritySEM® 6C CD Metrology(CD-SEM)VeritySEM® 6D CD Metrology(CD-SEM)VeritySEM™ AP CD Metrology(CD-SEM)
関連装置カテゴリ
成膜装置(CVD/PVD/ALD)
成膜装置は、ウェハ表面に絶縁膜、導電膜、半導体膜などの薄膜を数百ナノメートルから原子レベルの厚さで形成する前工程の重要装置です。
メーカー 9 社エッチング装置エッチング装置は、ウェハ上の薄膜から不要な部分を除去し、微細な回路パターンを形成する前工程の中核装置です。
メーカー 7 社CMP装置CMP(Chemical Mechanical Planarization:化学機械研磨)装置は、化学的作用と機械的研磨を組み合わせてウェハ表面の凹凸をナノメートル単位まで平坦化する前工程の中核装置です。
メーカー 6 社検査・計測装置検査装置は、ウェハ製造プロセスの各工程で発生する欠陥を検出し、歩留まり向上と品質保証を実現する装置群です。
メーカー 9 社半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Applied Materialsを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
エッチング・成膜(CVD/PVD/ALD)・イオン注入・熱処理・SiC・GaN・RF半導体製造・CMOSイメージセンサー製造・CMP・平坦化・スマートファブ・製造管理・サプライチェーン・業界構造・配線・メタライゼーション・ゲートスタック(High-k/メタルゲート) のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
東京エレクトロンとApplied Materialsの違い
東京エレクトロン(TEL)とApplied Materials(AMAT)は、ASML、Lam Research、KLAと並ぶ世界の半導体製造装置メーカー上位5…
ドライエッチングとウェットエッチングの違い
ドライエッチングは真空プロセスでイオン・ラジカルを利用し、異方性エッチングがしやすいのが特長です。ウェットエッチングは液相で均一かつ高選択比な除去が可能な場合が…
CVDとPVDの違い(成膜プロセス比較)
CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は気相の化学反応で薄膜を堆積し、PVD(Physical Vapor Depositi…
レーザーアニールとRTP(急速熱処理)の違い
RTP(Rapid Thermal Processing)はハロゲンランプで基板全体を数秒〜数十秒で1000°C以上に急速加熱するのに対し、レーザーアニール(L…
SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・…
CMOSイメージセンサーとCCDの違い
デジタルカメラの普及を支えたのはCCDイメージセンサーでしたが、現在のスマートフォンや車載カメラに入っているのはほぼすべてCMOSイメージセンサー(CIS)です…
Applied Materials のご担当者様へ
このページの掲載内容を貴社で管理できます(企業ページの認領)。情報の修正は無料、詳細掲載や資料掲載は有料プランでご利用いただけます。
※ 税別。有料プランは最低3ヶ月から。 プランの詳細を見る