COMPANY DATABASE
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
🌐 米国公式サイト
当サイトでの位置づけ
Semirai の装置ツリーでは、成膜・エッチング・CMP・イオン注入など幅広い前工程に跨るライン装置を提供する企業として、多くのカテゴリページから関連付けされます。
企業の強み
世界最大の半導体製造装置サプライヤー
成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
先端ノード向けの革新的技術開発
主要製品・ソリューション
成膜装置
- •CVD
- •PVD
- •ALD
エッチング装置
- •エッチングシステム
CMP・イオン注入
- •CMP装置
- •イオン注入装置
関連装置カテゴリ
📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Applied Materialsを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
エッチング・成膜（CVD/PVD/ALD）・イオン注入・熱処理・SiC・GaN・RF半導体製造・CMOSイメージセンサー製造・CMP・平坦化・スマートファブ・製造管理・配線・メタライゼーション のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
ドライエッチングとウェットエッチングの違い
ドライエッチングは真空プロセスでイオン・ラジカルを利用し、異方性エッチングがしやすいのが特長です。ウェットエッチングは液相で均一かつ高選択比な除去が可能な場合が…
CVDとPVDの違い（成膜プロセス比較）
CVD（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）は気相の化学反応で薄膜を堆積し、PVD（Physical Vapor Depositi…
レーザーアニールとRTP（急速熱処理）の違い
RTP（Rapid Thermal Processing）はハロゲンランプで基板全体を数秒〜数十秒で1000°C以上に急速加熱するのに対し、レーザーアニール（L…
SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC（炭化ケイ素）とGaN（窒化ガリウム）はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・…
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ（直径…
Cu-CMPとW-CMPの違い（メタルCMPの比較）
メタルCMPは、配線を作るための「余分な金属を削り落とす」工程です。銅ダマシン配線の余剰Cu除去と、コンタクトプラグのタングステン除去という二大用途がありますが…
FOR COMPANIES
貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか？
無料プランからご利用いただけます。