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エピタキシャル成長装置メーカー4社

エピタキシャル成長装置（Epitaxy）は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層（エピタキシャル層）を成長させる特殊な成膜装置です。CVD原理を用いた気相エピタキシー（VPE）が主流で、オートドーピング防止や不純物プロファイルの精密制御が可能です。バイポーラトランジスタ・パワーMOSFET・SiGe（シリコンゲルマニウム）チャネル形成など、高移動度デバイスや高耐圧デバイスの製造に不可欠な工程です。

メーカー 4 社関連カテゴリ 3 件

主要特徴

単結晶基板上に結晶構造を継承した単結晶薄膜を成長

気相エピタキシー（VPE）で不純物プロファイルを精密制御

バイポーラトランジスタ・パワーMOSFETの性能を規定

SiGe（シリコンゲルマニウム）層形成でキャリア移動度向上

高耐圧パワーデバイスの厚膜成長にも対応

よくある質問

エピタキシャル成長装置とは何ですか？▾

エピタキシャル成長装置は、単結晶シリコン基板の結晶構造を引き継いで薄い単結晶層（エピタキシャル層）を成長させる成膜装置です。CVD原理を用いた気相エピタキシー（VPE）が主流で、不純物プロファイルの精密制御とオートドーピング防止が可能です。

エピタキシャル成長はどのようなデバイスに使われますか？▾

主にバイポーラトランジスタ、パワーMOSFET、SiGe（シリコンゲルマニウム）チャネルを用いた高速ロジック、高耐圧パワーデバイスの製造に使われます。SiGe層はキャリア移動度を向上させるため、先端ロジックのストレイン・チャネル形成にも不可欠です。

エピタキシャル成長装置の主要メーカーはどこですか？▾

Applied Materials（Centura系）、ASM International（Epsilon系）、Tokyo Electron（Pioneer系）が主要メーカーです。SiGeエピの精密制御技術や300mmウェハへの対応で各社が競合しています。

代表製品・スペック

製品写真

Applied Materials

Centura Epi（エピタキシー）

Applied Materialsの枚葉式Si/SiGe選択エピタキシャル成長装置。FinFETのソース/ドレイン形成に使用。

対応ウェハ径	300 mm
成長方式	CVD式選択エピタキシャル成長（SEG）
主要成長膜種	Si・SiGe・SiC・SiGeB
成長温度	500 ～ 900 °C
主要用途	FinFET S/D・GAA チャネル形成

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東京エレクトロン（TEL）

Tegra（エピタキシー）

TELのSi/SiGeエピタキシャル成長装置。先端ロジックのチャネル・ソースドレイン形成に対応。

対応ウェハ径	300 mm
成長方式	CVD式枚葉エピタキシャル成長
主要成長膜種	Si・SiGe・Ge
成長温度	400 ～ 800 °C
主要用途	ロジックトランジスタのS/D・チャネル

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Veeco Instruments

Propel（MOCVD）

VeecoのGaN/InP系MOCVD装置。LED・パワー半導体・RF素子向けの化合物半導体エピタキシーに特化。

対応基板径	最大 200 mm（GaN on Si 対応）
成長方式	MOCVD（有機金属化学気相成長）
主要成長膜種	GaN・InGaN・AlGaN・InP
主要用途	LED・GaN パワーデバイス・RF HEMTエピ
スループット	最大 31×2インチ同時処理

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。