エピタキシャル成長装置
エピタキシャル成長装置は、基板結晶構造に沿って単結晶薄膜を成長させ、高性能デバイスの基盤を形成する成膜装置です。
主要特徴
- •単結晶基板上に結晶構造を継承した単結晶薄膜を成長
- •気相エピタキシー（VPE）で不純物プロファイルを精密制御
- •バイポーラトランジスタ・パワーMOSFETの性能を規定
- •SiGe（シリコンゲルマニウム）層形成でキャリア移動度向上
- •高耐圧パワーデバイスの厚膜成長にも対応
関連用語（用語集）
定義・用語の概要は用語集で解説しています。
エピタキシャル成長装置は、基板結晶構造に沿って単結晶薄膜を成長させ、高性能デバイスの基盤を形成する成膜装置です。
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