エピタキシャル成長装置メーカー5社
エピタキシャル成長装置（Epitaxy）は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層（エピタキシャル層）を成長させる特殊な成膜装置です。CVD原理を用いた気相エピタキシー（VPE）が主流で、オートドーピング防止や不純物プロファイルの精密制御が可能です。バイポーラトランジスタ・パワーMOSFET・SiGe（シリコンゲルマニウム）チャネル形成など、高移動度デバイスや高耐圧デバイスの製造に不可欠な工程です。
主要特徴
よくある質問
エピタキシャル成長装置とは何ですか？▾
エピタキシャル成長はどのようなデバイスに使われますか？▾
エピタキシャル成長装置の主要メーカーはどこですか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsCentura™ Prime™ Epi | Applied MaterialsCentura® Epi 200mm | Applied MaterialsCentura™ Xtera™ Epi | Veeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD | Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-LV（ラージバッチEPI成膜装置） | ASMインターナショナルEpsilon® 2000 | ASMインターナショナルIntrepid® ES |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | 枚葉エピタキシー | — | 選択エピタキシャル成長 | 枚葉式 MOCVD | ラージバッチ縦型（真空ロードロック） | ランプ加熱のエピタキシャル CVD | エピタキシャル成長（等温反応炉・閉ループ制御） |
| 主要用途 | ロジックの S/D・チャネル、DRAM（HBM）周辺トランジスタ | — | GAA ロジック・縦型 FinFET メモリ | GaN パワー・5G RF・フォトニクス | — | トランジスタ用ドープ Si・ウェーハ製造のブランケットエピ・BiCMOS | — |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 200 mm | — | — | 300 mm | — | — |
| 特徴 | — | — | 最小のプロセス容積・リアルタイムのウェーハ温度制御 | — | 最大 1.25 倍のロット処理（同社比） | ベルヌーイワンドの非接触搬送・Silcore 原料・PowerFill | — |
| 対象膜 | Si・SiGe・埋め込み SiGe／SiP | — | — | GaN 系 | — | — | — |
| 構成 | — | 最大 3 プロセスチャンバー・Siconi プリクリーン搭載可 | — | — | — | — | XP クラスターに最大 4 モジュール |
1機種だけが掲載している項目（2件）
| 膜厚 | — | 最大 150µm | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 前処理 | — | — | — | — | — | — | Previum プリクリーンを統合可能 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Centura™ Prime™ Epi
Applied Materials の 300mm 枚葉エピタキシャル成長装置。ロジック・ICAPS 向けに加え、DRAM 周辺トランジスタ向けの構成（エピ 4 室＋プリクリーン 2 室）がある。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | 枚葉エピタキシー |
| 対象膜 | Si・SiGe・埋め込み SiGe／SiP |
| 主要用途 | ロジックの S/D・チャネル、DRAM（HBM）周辺トランジスタ |
Centura® Epi 200mm
200mm の枚葉・マルチチャンバーのエピタキシャル成長装置。パワー・MEMS 向けに最大 150µm の厚いエピ層を成長させる。
| 対応ウェハ径 | 200 mm |
| 膜厚 | 最大 150µm |
| 構成 | 最大 3 プロセスチャンバー・Siconi プリクリーン搭載可 |
| 方式 | 選択エピタキシャル成長 |
| 特徴 | 最小のプロセス容積・リアルタイムのウェーハ温度制御 |
| 主要用途 | GAA ロジック・縦型 FinFET メモリ |
Propel® GaN MOCVD
Veeco の枚葉式 GaN MOCVD 装置。パワー・5G RF・フォトニクス向けで、300mm 対応の全自動クラスター機もある。
| 方式 | 枚葉式 MOCVD |
| 対象膜 | GaN 系 |
| 主要用途 | GaN パワー・5G RF・フォトニクス |
QUIXACE®-LV（ラージバッチEPI成膜装置）
KOKUSAI ELECTRIC の 300mm ラージバッチ EPI 成膜装置。ウェーハのローディングエリアを真空ロードロック構造にし、自然酸化膜と汚染を減らしている。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | ラージバッチ縦型（真空ロードロック） |
| 特徴 | 最大 1.25 倍のロット処理（同社比） |
| 方式 | ランプ加熱のエピタキシャル CVD |
| 特徴 | ベルヌーイワンドの非接触搬送・Silcore 原料・PowerFill |
| 主要用途 | トランジスタ用ドープ Si・ウェーハ製造のブランケットエピ・BiCMOS |
| 方式 | エピタキシャル成長（等温反応炉・閉ループ制御） |
| 構成 | XP クラスターに最大 4 モジュール |
| 前処理 | Previum プリクリーンを統合可能 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
5社の主要メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。
- •MOCVD装置でグローバルトップシェア
- •MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
ALD（原子層堆積）装置とエピタキシャル成長装置のグローバルリーダー。次世代ロジック・メモリプロセスに不可欠な高品質薄膜形成技術を提供。
- •ALD装置で世界トップシェア。GAA・FinFET向けハイK/メタルゲートに必須
- •SiGe・III-Vエピタキシャル成長装置でも高い技術力
バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。
- •バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
- •バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
同じ分野の装置カテゴリ
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