ALD装置
ALD装置は、半導体製造において原子層単位で膜を堆積し、微細化・高性能化を支える高精度成膜装置です
主要特徴
- •自己制限反応で1サイクル0.1〜0.3nmの原子単位制御
- •3D複雑構造への完全均一成膜（コンフォーマル性が最高）
- •High-k誘電体・バリアメタル・電荷蓄積膜に最適
- •3nm以下の先端ノードで不可欠なゲート形成技術
- •3D NAND・FinFET・GAAトランジスタで需要が急拡大
よくある質問
ALD装置とは何ですか？
ALD（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）装置は、前駆体ガスを交互に供給する自己制限反応により、原子1層ずつ精密に薄膜を形成する成膜装置です。1サイクルあたり0.1〜0.3nmの超薄膜制御が可能です。
ALDはCVDとどう違いますか？
CVDは原料ガスを同時に供給して連続的に成膜するのに対し、ALDは前駆体を交互に供給する自己制限的な成膜です。ALDの方が膜厚均一性とコンフォーマル性（段差被覆性）が圧倒的に高く、超薄膜・3D構造成膜に最適です。
ALD装置はどのような半導体デバイスに使われますか？
主にゲート絶縁膜（High-k誘電体）、バリアメタル、3D NANDの電荷蓄積膜、FinFETおよびGAAトランジスタの形成に使用されます。3nm以下の先端ノードでは不可欠な技術です。
関連用語（用語集）
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