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ALD装置メーカー5社

ALD装置（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）は、原子層単位で薄膜を精密成膜できる最先端の成膜装置です。前駆体ガスを交互に供給し自己制限的な表面反応を利用することで、1サイクルあたり0.1〜0.3nmの超薄膜を原子単位で制御します。ゲート絶縁膜（High-k誘電体）・バリアメタル・電荷蓄積膜など、3D構造の縦横無尽に対する完全均一成膜（コンフォーマル成膜）が最大の特徴で、3nmノード以下の先端プロセスに不可欠です。

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主要特徴

自己制限反応で1サイクル0.1〜0.3nmの原子単位制御

3D複雑構造への完全均一成膜（コンフォーマル性が最高）

High-k誘電体・バリアメタル・電荷蓄積膜に最適

3nm以下の先端ノードで不可欠なゲート形成技術

3D NAND・FinFET・GAAトランジスタで需要が急拡大

よくある質問

ALD装置とは何ですか？▾

ALD（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）装置は、前駆体ガスを交互に供給する自己制限反応により、原子1層ずつ精密に薄膜を形成する成膜装置です。1サイクルあたり0.1〜0.3nmの超薄膜制御が可能です。

ALDはCVDとどう違いますか？▾

CVDは原料ガスを同時に供給して連続的に成膜するのに対し、ALDは前駆体を交互に供給する自己制限的な成膜です。ALDの方が膜厚均一性とコンフォーマル性（段差被覆性）が圧倒的に高く、超薄膜・3D構造成膜に最適です。

ALD装置はどのような半導体デバイスに使われますか？▾

主にゲート絶縁膜（High-k誘電体）、バリアメタル、3D NANDの電荷蓄積膜、FinFETおよびGAAトランジスタの形成に使用されます。3nm以下の先端ノードでは不可欠な技術です。

代表製品・スペック

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Applied Materials

Centura ALD

クラスター型プラットフォームに搭載されるALDモジュール。High-k絶縁膜・バリアメタルの成膜に広く採用されている。

対応ウェハ径	300 mm
プロセス温度	50 ～ 550 °C
主要成膜膜種	HfO₂、Al₂O₃、TiN、TaN
膜厚精度	±1% 以内（Åレベル制御）
スループット目安	最大 25 WPH（構成による）

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東京エレクトロン（TEL）

TELINDY PLUS ALD

TELのクラスター型成膜装置プラットフォームに対応したALDモジュール。酸化膜・窒化膜・金属膜の原子層制御成膜が可能。

対応ウェハ径	300 mm
プロセスモジュール数	最大 4 チャンバー
主要成膜膜種	SiO₂、SiN、TiN、その他金属膜
温度均一性	±0.5 °C 以内
プラットフォーム	クラスター型（TELINDY シリーズ）

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Kokusai Electric（国際電気）

VERTEX（バッチ式ALD）

縦型バッチ炉型のALD装置。一度に多枚数のウェハを処理できる高スループット設計で、DRAM・NANDのHigh-k膜形成に実績が多い。

方式	縦型バッチ式ALD
対応ウェハ径	300 mm
バッチ処理枚数	最大 150 枚／バッチ
主要用途	DRAM・NAND向けHigh-k膜・窒化膜
温度範囲	室温～ 900 °C

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。