CVD装置メーカー11社
CVD装置（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）は、原料ガスの化学反応によりウェハ表面に高品質な薄膜を形成する成膜装置です。シリコン酸化膜・シリコン窒化膜・多結晶シリコン・タングステン・銅などの素材を高精度に成膜できます。LPCVD・PECVD・HDP-CVDなど圧力・エネルギー条件が異なる多様な方式があり、デバイス構造や要求特性に応じて最適な方式を選択します。絶縁膜・バリア膜・配線材料の形成に広く用いられています。
主要特徴
よくある質問
CVD装置とは何ですか？▾
CVD装置の種類はどのようなものがありますか？▾
CVDとPVDの違いは何ですか？▾
CVD装置の主要メーカーはどこですか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsProducer® XP Precision® CVD | Applied MaterialsProducer® XP Precision® Pioneer® CVD | Applied MaterialsCentura® DXZ CVD | Applied MaterialsCentura® Ultima HDP CVD® | Applied MaterialsCentura™ iSprint™ SSW ALD/CVD | Applied MaterialsEndura™ CuBS Volta™ Ruthenium CVD | Applied MaterialsEndura® Volta® Cobalt CVD | Applied MaterialsEndura® Volta® Selective W CVD | Applied MaterialsEndura® Volta® W CVD | Applied MaterialsProducer® CVD | Applied MaterialsProducer® Eterna® FCVD™ | Applied MaterialsProducer® HARP® | Applied MaterialsProducer® XP Precision® Draco™ CVD | 東京エレクトロン（TEL）Triase+™ W（枚葉式W-CVD） | 東京エレクトロン（TEL）Triase+™ EX-II™ TiN | 東京エレクトロン（TEL）Triase+™ Ti/TiN | 東京エレクトロン（TEL）Episode™ 1 | 東京エレクトロン（TEL）Episode™ 2 DMR | Lam ResearchVECTOR®（PECVD） | Lam ResearchALTUS®（W／Mo の CVD・ALD） | Lam ResearchSPEED®（HDP-CVD） | Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-II（ラージバッチ成膜装置） | ULVAC（アルバック）CME-200E（PE-CVD） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | CVD（Producer プラットフォーム・Twin Chamber） | CVD（高密度カーボンハードマスク） | — | 高密度プラズマ CVD | ALD／CVD（シーム抑制タングステン） | CVD ルテニウム（CuBS 統合材料ソリューション） | CVD コバルト（ライナー＋選択キャップ） | 表面処理＋選択タングステン CVD | CVD（W-カーボン膜＋バルク W） | — | 流動性 CVD（Flowable CVD） | 熱 CVD（オゾン／TEOS・非プラズマ） | CVD（ハードマスク） | 枚葉式 CVD（SFD 核付け層＋通常膜、ランプ加熱） | 枚葉 ASFD（Advanced Sequential Flow Deposition） | 枚葉 CVD（SFD TiN・HP Ti もラインアップ） | 枚葉成膜プラットフォーム | 2 枚同時搬送・同時成膜（DMR：Duo Matched Reactor） | PECVD（クアッドステーションモジュール） | CVD／ALD（クアッドステーションモジュール） | 高密度プラズマ CVD（成膜＋その場エッチング） | ラージバッチ縦型炉 | PE-CVD（27.12 MHz 高密度プラズマ、トレイ搬送） |
| 主要用途 | 3D NAND の交互積層・DRAM の高アスペクト比加工用膜 | — | — | STI・PMD・ILD・IMD・パッシベーション | ロジック・メモリのコンタクト埋め込み | — | — | — | ロジックのコンタクト・MOL・メタルゲート埋め込み | — | — | STI・PMD の埋め込み | DRAM のストレージキャパシタ形成 | コンタクトプラグ・ビアフィル | コンタクトバリア・キャパシタ電極・ワードラインバリア・メタルゲート | コンタクト工程 | 先端ロジックのコンタクト（プリクリーン・CVD Ti） | キャパシタ電極・ワードライン TiN・バリアメタル | 層間絶縁膜・ハードマスク・ウェーハ応力管理膜 | — | STI・PMD・ILD・IMD・パッシベーション | — | パワーデバイス・LED・LD・MEMS |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | 150／200 mm（SiC ウェーハにも対応） | 200／300 mm | — | — | — | — | — | 150／200／300 mm（SiC ウェーハにも対応） | — | — | — | 300 mm | — | — | — | — | — | — | — | 300 mm | — |
| 特徴 | — | 先端のエッチング化学に強く側壁の均一性が高い | — | — | 開口部の成長を抑える処理で底から W を成長 | — | — | — | — | — | — | ひずみ誘起膜で駆動電流・保持時間を改善 | — | — | — | — | — | — | — | 多温度の逐次成膜・熱／プラズマ Mo ALD・ACE 統合クリーン | — | 最大 1.25 倍のロット処理（同社比）・深溝への均一成膜 | — |
| 膜種 | — | — | TEOS・シラン系酸化膜・窒化膜・Low-k など | — | — | — | — | — | — | TEOS・シラン系酸化膜・窒化膜など | — | — | — | — | TiN（Plus HT・TiON もラインアップ） | Ti・TiN | — | — | — | タングステン・モリブデン | — | — | — |
| 対象膜 | 3D NAND 積層膜・Saphira APF などのハードマスク | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | W（タングステン） | — | — | — | — | ハードマスク・反射防止膜・パッシベーション・3D NAND 積層膜 | — | — | — | SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS-SiO₂ |
| 効果 | — | — | — | — | — | — | EM 性能を 1 桁改善・選択比 100:1 超 | ライナー／核生成層を省きコンタクト抵抗を低減 | ライナー抵抗率を TiN 比 70% 以上低減 | — | — | — | 選択比を従来の DRAM キャパシタ用比 30% 以上向上 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 構成 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Twin Chamber（同時に最大 6 枚） | — | — | — | — | — | — | 最大 8 プロセスモジュール（OPTCURE・ORTAS） | 1〜4 チャンバー | — | — | — | — | — |
| 対象世代 | — | — | — | — | — | 3nm 以降 | — | — | — | — | 20nm 以下 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| シリーズ構成 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi | — | — | — | — | VECTOR／TEOS／AHM／MD／Strata／DT／TEOS 3D | — | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目（9件）
| 組み合わせ | — | Sculpta・Sym3 Y Magnum と共同最適化 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| スループット | — | — | PE TEOS・プラズマシランで最大 80 wph | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| ライナー | — | — | — | — | — | RuCo 2 元系・20Å 未満 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 膜厚 | — | — | — | — | — | — | 20Å 未満 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 対象 | — | — | — | — | — | — | — | MOL（ミドルオブライン）コンタクト | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 埋め込み性能 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | アスペクト比 30:1 まで | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| ラインアップ | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | SPEED NExT・SPEED Max | — | — |
| 処理 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | CVD 膜・酸化膜形成、酸化・拡散・アニール | — |
| 対応基板 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 200 mm 角（CME-400E は 300×400 mm、CME-500E は 500 mm 角） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Producer® XP Precision® CVD
Twin Chamber 設計を発展させた Applied Materials の CVD システム。3D 構造で縦方向に移った CD 要求に応える、高い成膜均一性を持つ。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | CVD（Producer プラットフォーム・Twin Chamber） |
| 対象膜 | 3D NAND 積層膜・Saphira APF などのハードマスク |
| 主要用途 | 3D NAND の交互積層・DRAM の高アスペクト比加工用膜 |
Producer® XP Precision® Pioneer® CVD
高密度カーボンの CVD ハードマスク。エッチング耐性が高く、薄い膜でもパターンを忠実に転写する。
| 方式 | CVD（高密度カーボンハードマスク） |
| 特徴 | 先端のエッチング化学に強く側壁の均一性が高い |
| 組み合わせ | Sculpta・Sym3 Y Magnum と共同最適化 |
| 対応ウェハ径 | 150／200 mm（SiC ウェーハにも対応） |
| 膜種 | TEOS・シラン系酸化膜・窒化膜・Low-k など |
| スループット | PE TEOS・プラズマシランで最大 80 wph |
| 方式 | 高密度プラズマ CVD |
| 対応ウェハ径 | 200／300 mm |
| 主要用途 | STI・PMD・ILD・IMD・パッシベーション |
Centura™ iSprint™ SSW ALD/CVD
タングステンの埋め込みで継ぎ目（シーム）やボイドを抑える ALD／CVD 装置。底から優先的に W を成長させる。
| 方式 | ALD／CVD（シーム抑制タングステン） |
| 特徴 | 開口部の成長を抑える処理で底から W を成長 |
| 主要用途 | ロジック・メモリのコンタクト埋め込み |
Endura™ CuBS Volta™ Ruthenium CVD
ルテニウムとコバルトの 2 元系ライナーを 20Å 未満に薄くし、3nm 以降の銅配線を埋める統合システム。
| 方式 | CVD ルテニウム（CuBS 統合材料ソリューション） |
| ライナー | RuCo 2 元系・20Å 未満 |
| 対象世代 | 3nm 以降 |
Endura® Volta® Cobalt CVD
銅配線を包む 20Å 未満のコバルトライナーと選択キャップを成膜する CVD。エレクトロマイグレーション耐性を 1 桁高める。
| 方式 | CVD コバルト（ライナー＋選択キャップ） |
| 膜厚 | 20Å 未満 |
| 効果 | EM 性能を 1 桁改善・選択比 100:1 超 |
Endura® Volta® Selective W CVD
MOL コンタクトにタングステンを選択的に埋め、ライナーや核生成層をなくしてコンタクト抵抗を下げる統合システム。
| 方式 | 表面処理＋選択タングステン CVD |
| 対象 | MOL（ミドルオブライン）コンタクト |
| 効果 | ライナー／核生成層を省きコンタクト抵抗を低減 |
| 方式 | CVD（W-カーボン膜＋バルク W） |
| 効果 | ライナー抵抗率を TiN 比 70% 以上低減 |
| 主要用途 | ロジックのコンタクト・MOL・メタルゲート埋め込み |
Producer® CVD
1998年に登場した CVD プラットフォーム。Twin Chamber で同時に最大 6 枚を処理し、10 世代のノードにわたって使われてきた。
| 対応ウェハ径 | 150／200／300 mm（SiC ウェーハにも対応） |
| 構成 | Twin Chamber（同時に最大 6 枚） |
| 膜種 | TEOS・シラン系酸化膜・窒化膜など |
| 方式 | 流動性 CVD（Flowable CVD） |
| 埋め込み性能 | アスペクト比 30:1 まで |
| 対象世代 | 20nm 以下 |
| 方式 | 熱 CVD（オゾン／TEOS・非プラズマ） |
| 主要用途 | STI・PMD の埋め込み |
| 特徴 | ひずみ誘起膜で駆動電流・保持時間を改善 |
Producer® XP Precision® Draco™ CVD
DRAM のキャパシタ穴を掘るためのハードマスク。従来品より選択比を 30% 以上高め、穴が深くなってもマスクが削り切れない。
| 方式 | CVD（ハードマスク） |
| 効果 | 選択比を従来の DRAM キャパシタ用比 30% 以上向上 |
| 主要用途 | DRAM のストレージキャパシタ形成 |
Triase+™ W（枚葉式W-CVD）
東京エレクトロンの 300mm 対応枚葉成膜装置 Triase+ のタングステン CVD 仕様。SFD の核付け層と通常膜を組み合わせ、高いステップカバレッジで埋め込む。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | 枚葉式 CVD（SFD 核付け層＋通常膜、ランプ加熱） |
| 対象膜 | W（タングステン） |
| シリーズ構成 | Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi |
| 主要用途 | コンタクトプラグ・ビアフィル |
| 方式 | 枚葉 ASFD（Advanced Sequential Flow Deposition） |
| 膜種 | TiN（Plus HT・TiON もラインアップ） |
| 主要用途 | コンタクトバリア・キャパシタ電極・ワードラインバリア・メタルゲート |
| 方式 | 枚葉 CVD（SFD TiN・HP Ti もラインアップ） |
| 膜種 | Ti・TiN |
| 主要用途 | コンタクト工程 |
| 方式 | 枚葉成膜プラットフォーム |
| 構成 | 最大 8 プロセスモジュール（OPTCURE・ORTAS） |
| 主要用途 | 先端ロジックのコンタクト（プリクリーン・CVD Ti） |
| 方式 | 2 枚同時搬送・同時成膜（DMR：Duo Matched Reactor） |
| 構成 | 1〜4 チャンバー |
| 主要用途 | キャパシタ電極・ワードライン TiN・バリアメタル |
| 方式 | PECVD（クアッドステーションモジュール） |
| 対象膜 | ハードマスク・反射防止膜・パッシベーション・3D NAND 積層膜 |
| シリーズ構成 | VECTOR／TEOS／AHM／MD／Strata／DT／TEOS 3D |
| 主要用途 | 層間絶縁膜・ハードマスク・ウェーハ応力管理膜 |
| 方式 | CVD／ALD（クアッドステーションモジュール） |
| 膜種 | タングステン・モリブデン |
| 特徴 | 多温度の逐次成膜・熱／プラズマ Mo ALD・ACE 統合クリーン |
| 方式 | 高密度プラズマ CVD（成膜＋その場エッチング） |
| ラインアップ | SPEED NExT・SPEED Max |
| 主要用途 | STI・PMD・ILD・IMD・パッシベーション |
QUIXACE®-II（ラージバッチ成膜装置）
KOKUSAI ELECTRIC の 300mm ラージバッチ式サーマルプロセス装置。温度制御・搬送・真空ガス置換・冷却の要素技術でサイクル時間を短縮した。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | ラージバッチ縦型炉 |
| 処理 | CVD 膜・酸化膜形成、酸化・拡散・アニール |
| 特徴 | 最大 1.25 倍のロット処理（同社比）・深溝への均一成膜 |
| 対応基板 | 200 mm 角（CME-400E は 300×400 mm、CME-500E は 500 mm 角） |
| 方式 | PE-CVD（27.12 MHz 高密度プラズマ、トレイ搬送） |
| 対象膜 | SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS-SiO₂ |
| 主要用途 | パワーデバイス・LED・LD・MEMS |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
11社の主要メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。
- •バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
- •バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。
- •真空ポンプからプロセス装置まで一貫した垂直統合
- •スパッタリング装置で国内トップクラス
ALD・CVD装置を中核に展開する韓国の半導体装置メーカー。3D NAND・FinFET向けの薄膜形成装置でサムスン・SKハイニックスに採用実績を持つ。
- •バッチ式ALD装置で韓国国内トップシェア。メモリ向け量産実績が豊富
- •低圧CVD（LPCVD）・プラズマCVD（PECVD）も展開
サムスン電子系列の半導体製造装置メーカー。洗浄・成膜・エッチング・露光後処理装置でサムスンのメモリ・ロジックFABを支援。韓国最大の装置メーカー。
- •Samsung傘下として最先端メモリ・ロジックFABに最適化した装置を開発
- •スピンコータ・デベロッパ・洗浄装置で韓国トップシェア
住友精密工業から分社した装置メーカー。シリコン深掘りエッチング装置（DRIE）とプラズマCVD装置を主力とし、MEMS・パワーデバイス・TSV形成など高アスペクト比加工の用途に強い。
- •シリコン深掘りエッチング（DRIE）の専業メーカー
- •MEMS・TSVなど高アスペクト比加工の実績
中国最大の半導体製造装置メーカー。CVD・ALD・エッチング・熱処理・洗浄装置を自社開発し中国国内ファブへの供給を拡大。米国規制による先端装置輸入制限を受け、国産化の中核企業として政府支援のもと急成長。
- •中国国内最大の半導体装置メーカー
- •CVD・ALD・エッチング・熱処理を一社で網羅
プラズマエッチング・CVD・表面処理装置の専業メーカー。化合物半導体（GaN・SiC・GaAs）やMEMS・パワー・光デバイス向けの薄膜・微細加工プロセスに強みを持つ。
- •化合物半導体・MEMS向けプロセス装置に強み
- •エッチング・CVD・表面処理を一貫提供
CVD（化学気相成長）システムの専業メーカー。半導体・化合物半導体・カーボンナノチューブ等の先端材料向けCVD装置を研究開発・量産双方に供給する。
- •CVDシステムの専業メーカー
- •化合物半導体・先端材料向けに対応
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