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CVD装置メーカー8社

CVD装置（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）は、原料ガスの化学反応によりウェハ表面に高品質な薄膜を形成する成膜装置です。シリコン酸化膜・シリコン窒化膜・多結晶シリコン・タングステン・銅などの素材を高精度に成膜できます。LPCVD・PECVD・HDP-CVDなど圧力・エネルギー条件が異なる多様な方式があり、デバイス構造や要求特性に応じて最適な方式を選択します。絶縁膜・バリア膜・配線材料の形成に広く用いられています。

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主要特徴

原料ガスの化学反応で多様な素材の高品質薄膜を形成

LPCVD・PECVD・HDP-CVDなど用途に応じた方式選択

シリコン酸化/窒化膜・多結晶Si・金属膜に対応

絶縁膜・バリア膜・配線材料の形成に幅広く使用

優れたコンフォーマル性で複雑な3D形状への成膜も可能

よくある質問

CVD装置とは何ですか？▾

CVD（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）装置は、原料ガスの化学反応によってウェハ表面に薄膜を形成する成膜装置です。シリコン酸化膜・シリコン窒化膜・金属膜など多様な材料の成膜に使用されます。

CVD装置の種類はどのようなものがありますか？▾

主な種類として、PECVD（プラズマCVD）、LPCVD（低圧CVD）、HDP-CVD（高密度プラズマCVD）、MOCVD（有機金属CVD）があります。用途や成膜材料・温度条件に応じて使い分けます。

CVDとPVDの違いは何ですか？▾

CVDは化学反応を利用して薄膜を形成し、高いコンフォーマル性（段差被覆性）が特長です。PVDはターゲット材料を物理的に蒸着する方式で、金属薄膜の純度が高い反面コンフォーマル性に劣ります。

CVD装置の主要メーカーはどこですか？▾

CVD装置の主要メーカーはApplied Materials（米国）、Tokyo Electron（日本）、Lam Research（米国）です。

代表製品・スペック

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Applied Materials

Producer XP（PECVD）

Applied Materialsの主力PECVD装置。SiO₂・SiN・Low-k膜の高速均一成膜で先端ロジック・メモリに広く使用。

対応ウェハ径	300 mm
成膜方式	PECVD（プラズマCVD）
主要成膜膜種	SiO₂・SiN・SiCOH（Low-k）・SiC
膜厚均一性	±1% 以内
チャンバー構成	クワッドチャンバー（4室同時処理）

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東京エレクトロン（TEL）

Triase+（熱CVD・バッチ式）

TELの縦型バッチ式熱CVD装置。酸化膜・窒化膜・ポリシリコンの一括成膜に対応。

対応ウェハ径	300 mm
成膜方式	熱CVD（バッチ式縦型）
バッチ処理枚数	最大 150 枚／バッチ
主要成膜膜種	SiO₂・SiN・poly-Si・SiGe
温度範囲	300 ～ 1,000 °C

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Lam Research

Vector（PECVD）

Lam Researchの枚葉式PECVD。ギャップフィル性能に優れ、STI・IMD埋め込み成膜に定評がある。

対応ウェハ径	300 mm
成膜方式	PECVD / SACVD（SA-CVD）
主要成膜膜種	HDP-CVD SiO₂・FSG・フルオロシリケートガラス
ギャップフィル性能	アスペクト比 8:1 以上対応
膜厚均一性	±1.5% 以内

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Kokusai Electric（国際電気）

VERTEX CVD（縦型バッチ）

国際電気の縦型バッチ式CVD。高スループットでのSiO₂・SiN・poly-Si成膜に強みを持ち、メモリ量産に実績。

成膜方式	縦型バッチ式熱CVD
対応ウェハ径	300 mm
バッチ処理枚数	最大 150 枚／バッチ
主要成膜膜種	SiO₂・SiN・poly-Si・WSi
温度範囲	300 ～ 900 °C

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ULVAC（アルバック）

CME-200H（PECVD）

ULVACの枚葉式PECVD。液晶・太陽電池から半導体まで幅広い用途に対応。

対応ウェハ径	最大 300 mm
成膜方式	PECVD
主要成膜膜種	SiO₂・SiN・a-Si・SiC
成膜温度	室温～ 400 °C
プロセス圧力	10 ～ 500 mTorr

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。