CVD装置
CVD装置は、気相反応を利用してウェハ表面に薄膜を形成し、高い成膜速度と量産性を実現する成膜装置です。
主要特徴
- •原料ガスの化学反応で多様な素材の高品質薄膜を形成
- •LPCVD・PECVD・HDP-CVDなど用途に応じた方式選択
- •シリコン酸化/窒化膜・多結晶Si・金属膜に対応
- •絶縁膜・バリア膜・配線材料の形成に幅広く使用
- •優れたコンフォーマル性で複雑な3D形状への成膜も可能
よくある質問
CVD装置とは何ですか？
CVD（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）装置は、原料ガスの化学反応によってウェハ表面に薄膜を形成する成膜装置です。シリコン酸化膜・シリコン窒化膜・金属膜など多様な材料の成膜に使用されます。
CVD装置の種類はどのようなものがありますか？
主な種類として、PECVD（プラズマCVD）、LPCVD（低圧CVD）、HDP-CVD（高密度プラズマCVD）、MOCVD（有機金属CVD）があります。用途や成膜材料・温度条件に応じて使い分けます。
CVDとPVDの違いは何ですか？
CVDは化学反応を利用して薄膜を形成し、高いコンフォーマル性（段差被覆性）が特長です。PVDはターゲット材料を物理的に蒸着する方式で、金属薄膜の純度が高い反面コンフォーマル性に劣ります。
CVD装置の主要メーカーはどこですか？
CVD装置の主要メーカーはApplied Materials（米国）、Tokyo Electron（日本）、Lam Research（米国）です。
関連用語（用語集）
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