DRAM（Dynamic Random Access Memory）製造プロセスは、1トランジスタ+1キャパシタのセル構造を微細化・高集積化する製造技術です。DRAMはシステムメインメモリ・HBMベースダイとして広く使用され、製造プロセスはセルサイズの縮小とキャパシタ容量の維持が主要な技術課題です。
SKハイニックス（HBM3E）・マイクロン・サムスンが最先端DRAMプロセスをリードします。先端DRAMはEUV露光と高度な成膜・エッチング技術を組み合わせて製造されます。
DRAMは1トランジスタ＋1キャパシタ（1T1C）のセルで構成され、キャパシタに電荷を蓄えて情報を記憶します。電荷は時間とともに漏れるため、定期的に読み出して書き戻すリフレッシュが必要です。微細化に伴い、深いトレンチや高アスペクト比のセルキャパシタ形成が技術的難所です。
先端DRAMでは、最も微細な層にEUV露光を導入し、埋め込みワードラインやHigh-kキャパシタ絶縁膜などで微細化を進めています。SKハイニックス・サムスン・マイクロンの3社が市場を占め、AI需要を背景にHBM向けDRAMの生産が拡大しています。
