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半導体エンジニア向け計算ツール

半導体の現場と検討でよく使う計算 68 本を分野別にまとめています。計算はすべてブラウザ内で行い、入力値をサーバーへ送信することはありません。

よく使われるツール：

掲載数68
分類8

01分類別のツール

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分類半導体物性・デバイス・前工程プロセス・真空・ガス・プラズマ・薬液・品質・信頼性・生産管理・ウェハ・コスト・生産能力・回路・メモリ・インターフェース・パワー・光・RF・単位換算

半導体物性・デバイス

12件

シート抵抗・抵抗率（4探針法・濃度換算）→真性キャリア濃度・フェルミ準位→空乏層幅・内蔵電位・接合容量→MOSFETしきい値電圧（Vth）→MOSFETドレイン電流（I–V特性）→耐圧とオン抵抗の理論限界（ユニポーラ限界）→ダイオード I–V 特性・順方向電圧→キャリア移動度・拡散係数・拡散長（シリコン）→ホール効果測定（ファン・デル・パウ法）解析→EOT・MOSキャパシタ（C–V特性）→ミラー指数・面間隔・面角度→格子不整合・臨界膜厚→

前工程プロセス

14件

露光解像度・焦点深度（レーリーの式）→熱酸化膜厚（Deal-Groveモデル）→イオン注入プロファイル（Rp・ピーク濃度・接合深さ）→配線RC遅延（Cu・Co・Ru・Mo比較）→CMP除去速度（Preston式）→不純物拡散（拡散係数・接合深さ）→スピンコート膜厚・回転数→めっき膜厚・時間（ファラデーの法則）→薄膜応力・ウェハ反り（Stoney の式）→酸化膜の色と膜厚（干渉色）→エッチング時間・オーバーエッチ・選択比→ALD サイクル数・成膜時間→ALD 段差被覆・露光量→オーバーレイ・EPE 誤差バジェット→

真空・ガス・プラズマ・薬液

9件

平均自由行程（真空）→真空排気時間・コンダクタンス→露点 ⇔ 水分濃度（ppm）換算→クリーンルーム清浄度クラス（ISO 14644-1）→MFCガス換算係数（GCF）→プラズマパラメータ（デバイ長・シース）→パッシェンの法則（放電開始電圧）→ALD 方式別スループット比較→洗浄薬液の調合・濃度→

品質・信頼性・生産管理

7件

加速係数・故障率（FIT）→工程能力指数 Cp・Cpk→装置総合効率（OEE）→サイクルタイム・WIP（リトルの法則）→信頼性試験のサンプル数・LTPD→ワイブル解析（β・η・B寿命）→故障検出率と出荷不良率（DPPM）→

ウェハ・コスト・生産能力

7件

ウェハ取れ数（Die Per Wafer）→歩留まり（欠陥密度モデル）→チップ単価（ウェハ価格 ÷ 良品数）→ウェハ生産能力の換算（8インチ換算・12インチ換算）→ウェハの重量・面積・厚さ→シリコン中の酸素濃度（Oi）換算→トランジスタ密度（MTr/mm²）→

回路・メモリ・インターフェース

7件

HBM帯域幅（GPUのメモリ帯域・容量）→CMOS消費電力（αCV²f）→メモリ帯域幅（DDR・LPDDR・GDDR）→PCIe・CXL 帯域幅→ADC の SNR・ENOB→セットアップ・ホールドタイミング→3D NAND 容量・ビット密度→

パワー・光・RF

9件

ジャンクション温度・熱抵抗→パワー半導体の損失（MOSFET・IGBT）→dBm・W・V 換算（RF電力・VSWR）→LED 電流制限抵抗→DC-DCコンバータ（降圧・昇圧）インダクタ→ゲート駆動電力・ゲート抵抗→太陽電池の変換効率→受光感度・量子効率換算（フォトダイオード・イメージセンサ）→シリコンの光吸収係数・侵入長→

単位換算

3件

半導体エンジニアのための単位換算→圧力・真空度の単位換算（Torr・Pa・mbar）→eV↔波長換算（バンドギャップ・露光波長）→