メモリプロセスは、DRAM、NAND フラッシュ、SRAMなどのメモリデバイスを製造するための製造プロセス技術です。ロジックプロセスと異なり、同一のメモリセル構造を大量に繰り返し配置する設計が特徴で、高い集積度と製造歩留まりが重視されます。
DRAMプロセスでは、キャパシタとトランジスタで構成されるメモリセルを高密度に配置するため、高アスペクト比のキャパシタ形成技術や、微細なトランジスタ加工技術が重要です。一方、NAND フラッシュプロセスでは、3D NAND技術により、メモリセルを垂直方向に100層以上積層することで、飛躍的な高集積化を実現しています。3D NANDの製造には、超高アスペクト比のエッチング技術や、多層膜の成膜技術が不可欠です。
メモリプロセスは、ロジックプロセスほど急速な微細化は進んでいませんが、3D化や新材料の導入により継続的に進化しています。メモリデバイスは大量生産が基本であるため、製造コストの削減と歩留まり向上が最重要課題です。Samsung、SK hynix、Micronなどが主要なメモリメーカーとして、独自のプロセス技術を開発しています。