NAND製造プロセスは、フローティングゲート型またはチャージトラップ型のフラッシュメモリセルを多層積層する3D NAND構造を作製する製造技術です。積層数の増加（現在232〜238層超）によりビット単価を下げ、SSD・スマートフォンストレージ等の大容量化を実現します。
Samsung・SKハイニックス・マイクロン・キオクシアが先端NAND製造をリードします。積層数増加に伴いエッチング（深アスペクト比）・成膜工程が複雑化し、製造装置の技術要求も高まっています。
現在のNANDは、メモリセルを垂直に積み重ねる3D NANDが主流です。積層数は200層を超え、深い穴（チャネルホール）を一括で形成する高アスペクト比エッチングや、全層を貫く成膜技術が製造の鍵となります。
1セルに複数ビットを記録する多値化（TLC/QLC）と積層数の増加で、ビットあたりのコストを下げ続けています。サムスン・SKハイニックス・マイクロン・キオクシアが主要メーカーで、SSDやスマートフォンのストレージ需要を支えています。
