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NAND製造プロセスメーカー7社
NAND Flash製造プロセスは、不揮発性メモリNAND Flashを製造するための半導体技術です。現在の主流は3D NAND(3次元積層NAND)で、200層超のシリコン・酸化膜・窒化膜の交互スタックを貫通するチャネルホールを高アスペクト比エッチングで形成します。セルあたりの記憶ビット数(SLC/MLC/TLC/QLC)とスタック層数の増加によりビットコストを削減することが業界の主要競争軸です。Samsung・SK Hynix・Micron・Kioxia・Western Digitalが主要メーカーです。
メーカー 7 社関連カテゴリ 7 件
主要特徴
200層超のスタックを貫通する超高アスペクト比チャネルホール形成が最大難題
SLC/MLC/TLC/QLC で1セルの記憶ビット数を最大化しビットコストを削減
CVD・ALD で交互成膜したスタックを一括エッチングする高選択比プロセスが核心
Samsung・SK Hynix・Micron・Kioxia/WDが世界NAND市場の90%を占有
HBM同様、後工程のパッケージング(UFS・SSD)との連携も重要
よくある質問
メーカー
7社の主要メーカー
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比較・違いを学ぶ
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