NAND製造プロセスメーカー7社
NAND Flash製造プロセスは、不揮発性メモリNAND Flashを製造するための半導体技術です。現在の主流は3D NAND（3次元積層NAND）で、200層超のシリコン・酸化膜・窒化膜の交互スタックを貫通するチャネルホールを高アスペクト比エッチングで形成します。セルあたりの記憶ビット数（SLC/MLC/TLC/QLC）とスタック層数の増加によりビットコストを削減することが業界の主要競争軸です。Samsung・SK Hynix・Micron・Kioxia・Western Digitalが主要メーカーです。
主要特徴
よくある質問
3D NANDとは何ですか？▾
NAND製造で重要な装置は何ですか？▾
QLC NANDとTLC NANDの違いは何ですか？▾
メーカー
7社の主要メーカー
世界最大のメモリメーカーであり、先端ロジックファウンドリでもあるIDM。DRAM・NANDフラッシュで市場をリードし、3nmプロセスでTSMCと競合。
- •DRAM市場シェア約43%、NANDフラッシュ約33%の世界トップ
- •メモリとロジックの両方を製造するIDM（垂直統合）
旧東芝メモリ。NAND型フラッシュメモリの発明企業として世界第2位のシェアを持つ。BiCS FLASH（3D NAND）技術でスマホ・SSD・データセンター向けに供給。
- •NAND型フラッシュメモリの発明企業（1987年東芝）
- •BiCS FLASH（3D NAND）で世界第2位のシェア
世界第2位のDRAMメーカー、第3位のNANDフラッシュメーカー。AI/HPC向けHBM（高帯域メモリ）で業界をリード。
- •DRAM市場シェア約28%の世界第2位
- •HBM（高帯域メモリ）で技術リーダーシップ
米国最大のメモリメーカー。DRAM、NANDフラッシュの両方を製造し、データセンター、自動車、産業用途に強み。
- •DRAM市場シェア約23%の世界第3位
- •米国唯一の大手メモリメーカー
ハードディスク・NANDフラッシュの世界大手。KioxiaとのJVファブ（四日市・北上）で3D NAND（TLC/QLC）を量産し、Flash業界第2位グループを形成。HDD・SSD・クラウドストレージで垂直統合。
- •KioxiaとのJVファブで3D NAND量産。世界NANDシェア第2位グループ
- •BiCS FLASH（3D NAND）の共同技術開発・量産体制
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
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2nmプロセスは、TSMCのN2（2025年量産予定）・IntelのIntel 20A/18A・SamsungのSF2などで代表される次世代先端半導体プロセスです。
メーカー 4 社3nmプロセス3nmプロセスは、業界標準の「プロセスノード」命名で3nmと呼ばれる先端半導体製造技術世代を指し、実際のトランジスタゲート寸法は10nm台ですが、性能・密度・電力効率の観点で前世代（5nm）から大幅な改善を実現します。
メーカー 4 社5nmプロセス5nmプロセスは、2020年前後に量産が始まったFinFET技術の成熟世代で、TSMCのN5・SamsungのEUV 5nmが代表的です。
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メーカー 7 社GAAプロセスGAAプロセス（Gate-All-Around Process）は、ゲート電極がトランジスタチャネルの四方を完全に囲む構造（GAA：Gate-All-Around）を形成するための製造プロセス技術です。
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