MEMSメーカー9社
MEMS（Micro Electro Mechanical Systems：微小電気機械システム）は、半導体微細加工技術を用いて、センサー、アクチュエータ、マイクロ構造体を一体集積化した先端デバイスです。加速度センサー、ジャイロスコープ、圧力センサー、マイクロミラー、インクジェットヘッドなど、多様な機械的機能を実現します。スマートフォン、自動車、医療機器、IoTデバイスに広く応用され、DRIE（深堀エッチング）、犠牲層エッチング、ウェーハボンディングなど専用プロセス技術が必要です。
主要特徴
よくある質問
DRIEとは何ですか？▾
MEMS製造では一般半導体と装置が違いますか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Tactras™ | Suss MicroTecMA8 Gen5（マスクアライナー） | EV GroupEVG®510（ウェーハ接合装置） | Lam ResearchDSiE™（深堀りシリコンエッチング） | KLASPTS Omega® Rapier™ | KLAPrimaxx® Monarch 300 | KLAXactix® X4 | KLAMVD300® | アドバンテストHA7200（温度・圧力ユニット） | アドバンテストHA7300（Stimulus Test Cell） | ULVAC（アルバック）NLD-570（ドライエッチング装置） | ULVAC（アルバック）NLD-5700（ドライエッチング装置） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） | — | — | 深堀りシリコンエッチング（ボッシュ法・定常法） | DRIE（ボッシュ法・デュアルプラズマ源） | 気相 HF（VHF）エッチング | XeF₂ 気相エッチング（パルス・連続） | 分子気相成膜（MVD） | ダイレクト温度印加・小型チャンバ・専用圧力コントローラ | — | 磁気中性線プラズマ（NLD）・低圧・低電子温度・高密度 | 磁気中性線プラズマ（NLD） |
| 主要用途 | 高アスペクト比エッチング | MEMS・LED・マイクロ光学・光センサー | MEMS のキャップ接合・気密封止 | MEMS・パワーデバイスのトレンチ・WLP の TSV | — | — | MEMS デバイスのリリース | MEMS の固着防止膜・腐食防止膜 | — | — | 光デバイス・マイクロレンズ・フォトニック結晶・μ-TAS | — |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 最大 200 mm | 小片 ～ 200 mm | — | 最大 300 mm | 200／300 mm | — | — | — | — | — | — |
| 対象 | — | — | — | — | — | — | — | — | 車載用などの圧力センサ | ディーゼル排気系の差圧センサなど | 石英・ガラス・水晶・LN・LT 基板 | 石英・ガラス・水晶・LN・LT 基板 |
| 特徴 | — | SUSS レベリングシステム・クラスターへの組み込み可 | — | — | — | — | 特許のデュアル膨張室 | — | — | — | — | — |
| 構成 | — | — | — | — | — | — | — | MVD300・MVD300E（EFEM 付き全自動） | — | — | — | カセット室標準・エッチング／アッシング室を追加可能 |
1機種だけが掲載している項目（10件）
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（水平対向設計） | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 露光方式 | — | マスクアライナー（インプリント対応） | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 接合方式 | — | — | 陽極・ガラスフリット・はんだ・共晶・TLP・直接接合 | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 最大荷重・温度 | — | — | 10／20／60 kN、最高 550°C | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| ラインアップ | — | — | — | DSiE III・DSiE F Series・DSiE G Series | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 実績 | — | — | — | — | DRIE プロセスモジュール 1,500 以上 | — | — | — | — | — | — | — |
| 処理 | — | — | — | — | — | 1 バッチ最大 13 枚・最大 6 モジュール | — | — | — | — | — | — |
| 連携 | — | — | — | — | — | — | — | — | EVA100・ハンドラとのセンサテストセル | — | — | — |
| 温度制御 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 8 個一括（低温用／高温用の温調プレート） | — | — |
| 圧力 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 2Port 圧力コントローラ・圧力印加ノズル | — | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） |
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（水平対向設計） |
| 主要用途 | 高アスペクト比エッチング |
MA8 Gen5（マスクアライナー）
SUSS MicroTec の 200mm 対応マスクアライナー。SMILE インプリント技術にも対応し、ボンドアライメントやフュージョン接合も扱える。
| 対応ウェハ径 | 最大 200 mm |
| 露光方式 | マスクアライナー（インプリント対応） |
| 特徴 | SUSS レベリングシステム・クラスターへの組み込み可 |
| 主要用途 | MEMS・LED・マイクロ光学・光センサー |
EVG®510（ウェーハ接合装置）
手動でロード・アンロードし、接合工程を自動で行う EV Group の半自動ウェーハ接合装置。陽極接合・共晶接合・直接接合など一般的な接合に対応する。
| 対応ウェハ径 | 小片 ～ 200 mm |
| 接合方式 | 陽極・ガラスフリット・はんだ・共晶・TLP・直接接合 |
| 最大荷重・温度 | 10／20／60 kN、最高 550°C |
| 主要用途 | MEMS のキャップ接合・気密封止 |
EVG®6200 NT（マスクアライナー）
半自動／自動構成を選べるマスクアライメントシステム。裏面・IR アライメントに対応し、ウェーハの両面にパターンが必要な MEMS 工程に向く。
| 対応ウェハ径 | 最大 200 mm |
| 露光方式 | ソフト／ハード／バキュームコンタクト・プロキシミティ |
| 特殊機能 | 両面（裏面）アライメント・IR アライメント |
| 主要用途 | MEMS メンブレン・貫通ビア・裏面コンタクト形成 |
| エッチング方式 | シリコン深掘り（ボッシュプロセス） |
| 位置づけ | 量産機（研究開発向けに MUC-21 ASE-SRE もある） |
| 主要用途 | MEMS・半導体のシリコン深掘り |
| 方式 | 深堀りシリコンエッチング（ボッシュ法・定常法） |
| ラインアップ | DSiE III・DSiE F Series・DSiE G Series |
| 主要用途 | MEMS・パワーデバイスのトレンチ・WLP の TSV |
| 方式 | DRIE（ボッシュ法・デュアルプラズマ源） |
| 対応ウェハ径 | 最大 300 mm |
| 実績 | DRIE プロセスモジュール 1,500 以上 |
| 方式 | 気相 HF（VHF）エッチング |
| 対応ウェハ径 | 200／300 mm |
| 処理 | 1 バッチ最大 13 枚・最大 6 モジュール |
| 方式 | XeF₂ 気相エッチング（パルス・連続） |
| 特徴 | 特許のデュアル膨張室 |
| 主要用途 | MEMS デバイスのリリース |
| 方式 | 分子気相成膜（MVD） |
| 構成 | MVD300・MVD300E（EFEM 付き全自動） |
| 主要用途 | MEMS の固着防止膜・腐食防止膜 |
| 方式 | ダイレクト温度印加・小型チャンバ・専用圧力コントローラ |
| 対象 | 車載用などの圧力センサ |
| 連携 | EVA100・ハンドラとのセンサテストセル |
| 温度制御 | 8 個一括（低温用／高温用の温調プレート） |
| 圧力 | 2Port 圧力コントローラ・圧力印加ノズル |
| 対象 | ディーゼル排気系の差圧センサなど |
| 方式 | 磁気中性線プラズマ（NLD）・低圧・低電子温度・高密度 |
| 対象 | 石英・ガラス・水晶・LN・LT 基板 |
| 主要用途 | 光デバイス・マイクロレンズ・フォトニック結晶・μ-TAS |
| 方式 | 磁気中性線プラズマ（NLD） |
| 構成 | カセット室標準・エッチング／アッシング室を追加可能 |
| 対象 | 石英・ガラス・水晶・LN・LT 基板 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
9社の主要メーカー
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
ドイツを拠点とする半導体製造装置メーカー。ウェーハレベルパッケージングおよび先端リソグラフィ技術のスペシャリスト。
- •ウェーハレベルパッケージング装置における専門性
- •マスクアライナーおよび基板ボンディング技術
オーストリアを拠点とするウェーハボンディングおよびリソグラフィ装置の世界的リーダー。先端パッケージングおよびMEMS製造に強み。
- •ウェーハボンディング技術における世界トップシェア
- •2.5D/3Dパッケージング向けソリューション
住友精密工業から分社した装置メーカー。シリコン深掘りエッチング装置（DRIE）とプラズマCVD装置を主力とし、MEMS・パワーデバイス・TSV形成など高アスペクト比加工の用途に強い。
- •シリコン深掘りエッチング（DRIE）の専業メーカー
- •MEMS・TSVなど高アスペクト比加工の実績
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
半導体テスト装置（ATE）市場で世界シェア50%超のリーダー。SoC、メモリ、パワー半導体の包括的テストソリューションを提供。
- •ATE市場で世界シェア50%以上のトップポジション
- •SoC、メモリ、パワー半導体の包括的テストソリューション
真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。
- •真空ポンプからプロセス装置まで一貫した垂直統合
- •スパッタリング装置で国内トップクラス
同じ分野の装置カテゴリ
化合物半導体製造装置は、GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体デバイス（パワー半導体・RF/マイクロ波デバイス・光デバイス）の製造に特化した装置群です。
メーカー 9 社CMOSイメージセンサー製造装置CMOSイメージセンサー（CIS：CMOS Image Sensor）製造装置は、光を電気信号に変換するフォトダイオードアレイを半導体プロセスで製造する装置群です。
メーカー 5 社パワー半導体パワー半導体製造装置は、IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFETなどのパワーデバイスを製造する装置群で、電力変換の効率・耐圧・耐熱性能を決定します。
メーカー 13 社RF半導体製造装置（GaN/GaAs）RF半導体製造装置は、GaN（窒化ガリウム）・GaAs（砒化ガリウム）・InP（リン化インジウム）などの化合物半導体を基板とし、高周波帯（マイクロ波・ミリ波）で動作するパワーアンプ・スイッチ・LNAなどを製造する装置群です。
メーカー 3 社SiCパワー半導体製造装置SiCパワー半導体製造装置は、シリコンカーバイド（SiC）を基板材料とするパワーデバイス（SiC-MOSFET・SiC-SBDなど）の製造に特化した装置群です。
メーカー 6 社