SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

MEMSメーカー5社

MEMS（Micro Electro Mechanical Systems：微小電気機械システム）は、半導体微細加工技術を用いて、センサー、アクチュエータ、マイクロ構造体を一体集積化した先端デバイスです。加速度センサー、ジャイロスコープ、圧力センサー、マイクロミラー、インクジェットヘッドなど、多様な機械的機能を実現します。スマートフォン、自動車、医療機器、IoTデバイスに広く応用され、DRIE（深堀エッチング）、犠牲層エッチング、ウェーハボンディングなど専用プロセス技術が必要です。

メーカー 5 社関連カテゴリ 5 件

主要特徴

加速度センサ・ジャイロ・MEMSマイクなどの機械-電子複合デバイスを製造

DRIE（深掘り反応性イオンエッチング）で高アスペクト比の3D構造を形成

ウェハボンディング（陽極接合・直接接合）で可動構造を封止・保護

犠牲層エッチングで可動部を解放する独自のプロセスフロー

スマートフォン・自動車・IoTデバイスの普及でMEMS需要が拡大

よくある質問

DRIEとは何ですか？▾

DRIE（Deep Reactive Ion Etching）はBoschプロセスとも呼ばれ、フッ素系ガスによるエッチングと側壁保護膜の成膜を交互に繰り返すことで、アスペクト比20:1以上の垂直な深いトレンチをシリコンに形成する技術です。MEMS可動構造の形成に欠かせません。

MEMS製造では一般半導体と装置が違いますか？▾

基本的なリソグラフィ・エッチング・成膜装置は共通ですが、MEMSは厚膜（数十μm）加工・ウェハボンディング・パッケージ内真空封止など独自工程が多く、DRIEや陽極接合装置などMEMS専用装置も使われます。

代表製品・スペック

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東京エレクトロン（TEL）

Tactras MEMS（MEMSエッチング）

MEMS製造に特化したTELのエッチング装置。深堀りSiエッチング（DRIE）やウェハレベル封止に対応。

対応ウェハ径	最大 200 mm
エッチング方式	ICP DRIE（Bosch プロセス）
アスペクト比	最大 50:1
エッチング深さ	最大 1,000 μm（貫通対応）
主要用途	加速度センサー・ジャイロ・マイクの製造

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Suss MicroTec

SUSS MA/BA（MEMSリソグラフィ）

SUSS MicroTecのMEMS向けアライナー。厚膜レジスト・両面アライメント・ウェハ接合に対応。

対応ウェハ径	最大 200 mm
アライメント精度	±1 μm 以内
露光方式	コンタクト / プロキシミティ
特殊機能	両面アライメント・IR アライメント対応
主要用途	MEMS センサー・アクチュエーターのパターニング

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EV Group

EVG 510（ウェハ接合）

EV GroupのMEMS向けウェハ接合装置。陽極接合・直接接合・接着剤接合に対応するマルチモード接合システム。

対応ウェハ径	最大 200 mm
接合方式	陽極接合・Si 直接接合・接着剤接合
接合温度	室温～ 500 °C（接合方式による）
アライメント精度	±1 μm 以内
主要用途	MEMS センサーのキャップウェハ接合・気密封止

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。