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パワー半導体メーカー10社

パワー半導体（Power Semiconductor）は、電力変換・制御に特化した半導体デバイスで、IGBT、パワーMOSFET、SiC/GaN素子など高耐圧・大電流特性を持つ製品群です。インバータ、コンバータ、整流器などに使用され、数百V～数千Vの高電圧と数十A～数百Aの大電流を制御します。電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、鉄道、産業機器など、電動化・省エネルギー社会を支える重要技術であり、厚膜エピタキシャル成長、高耐圧構造形成などの専用プロセスが求められます。

メーカー 10 社関連カテゴリ 5 件

主要特徴

IGBT・SiC MOSFET・GaN HEMTなどパワーデバイス向け専用装置群

高エネルギー・高ドーズイオン注入でウェハ深部に不純物を制御注入

厚膜エピタキシャル成長（数〜数十μm）でドリフト層を形成

ウェハ裏面薄化（バックグラインド）とオーミック接触形成が後工程の要

EV・再生可能エネルギー需要拡大によりSiC装置への投資が急増

よくある質問

SiCデバイス製造でシリコンと大きく異なる工程は？▾

SiCはイオン注入後の活性化アニールに1700℃以上の超高温が必要で、専用の高温炉が必要です。またMOSFETのゲート酸化膜（SiO₂）品質がSiと比べて低くなりやすく、高品質酸化膜形成技術が差別化要因です。

主要装置メーカーは？▾

イオン注入はApplied Materials・Axcelis（米）、エピはEpigress（スウェーデン）・TEL（日）、薄化はDISCO（日）・岡本工作機械（日）が主要メーカーです。

代表製品・スペック

製品写真

東京エレクトロン（TEL）

Probus SiC（パワー半導体向けCVD）

SiC・GaN等のパワー半導体製造向けに最適化されたTELのCVD・熱処理システム。

対応材料	SiC・GaN on Si・Si
対応基板径	最大 200 mm
成膜方式	CVD・熱酸化
主要用途	SiC MOSFETゲート酸化膜・層間絶縁膜形成
温度範囲	800 ～ 1,250 °C

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Applied Materials

Endura PVD（パワーデバイス向け）

パワーデバイスの裏面電極・バリアメタル形成に使用されるApplied MaterialsのPVDシステム。

対応ウェハ径	最大 200 mm
成膜方式	マグネトロンスパッタリング
主要成膜膜種	Ti・Ni・Ag・Al（裏面電極）
主要用途	SiC・GaN デバイスの裏面電極・オーミック接合
薄ウェハ対応	100 μm 以下の薄ウェハに対応

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SCREENホールディングス

SU-3300（パワー半導体向け洗浄）

SCREENの枚葉洗浄装置のパワー半導体対応モデル。SiC・GaN基板の前処理洗浄に使用。

対応ウェハ径	最大 200 mm
処理方式	枚葉式スピン薬液洗浄
対応基板材質	Si・SiC・GaN on Si・GaAs
主要用途	パワーデバイス製造工程の前処理洗浄
対応薬液	SC1・SC2・HF・SPM・RCA

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。