パワー半導体メーカー13社

パワー半導体(Power Semiconductor)は、電力変換・制御に特化した半導体デバイスで、IGBT、パワーMOSFET、SiC/GaN素子など高耐圧・大電流特性を持つ製品群です。インバータ、コンバータ、整流器などに使用され、数百V~数千Vの高電圧と数十A~数百Aの大電流を制御します。電気自動車(EV)、再生可能エネルギー、鉄道、産業機器など、電動化・省エネルギー社会を支える重要技術であり、厚膜エピタキシャル成長、高耐圧構造形成などの専用プロセスが求められます。

メーカー 13 社同じ分野の装置 5 カテゴリ
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主要特徴

IGBT・SiC MOSFET・GaN HEMTなどパワーデバイス向け専用装置群
高エネルギー・高ドーズイオン注入でウェハ深部に不純物を制御注入
厚膜エピタキシャル成長(数〜数十μm)でドリフト層を形成
ウェハ裏面薄化(バックグラインド)とオーミック接触形成が後工程の要
EV・再生可能エネルギー需要拡大によりSiC装置への投資が急増

よくある質問

SiCデバイス製造でシリコンと大きく異なる工程は?▾
SiCはイオン注入後の活性化アニールに1700℃以上の超高温が必要で、専用の高温炉が必要です。またMOSFETのゲート酸化膜(SiO₂)品質がSiと比べて低くなりやすく、高品質酸化膜形成技術が差別化要因です。
主要装置メーカーは?▾
イオン注入はApplied Materials・Axcelis(米)、エピはEpigress(スウェーデン)・TEL(日)、薄化はDISCO(日)・岡本工作機械(日)が主要メーカーです。

代表製品・スペック

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Applied Materials

Endura PVD(パワーデバイス向け)

パワーデバイスの裏面電極・バリアメタル形成に使用されるApplied MaterialsのPVDシステム。

対応ウェハ径最大 200 mm
成膜方式マグネトロンスパッタリング
主要成膜膜種Ti・Ni・Ag・Al(裏面電極)
主要用途SiC・GaN デバイスの裏面電極・オーミック接合
薄ウェハ対応100 μm 以下の薄ウェハに対応
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SCREENホールディングス

SU-3300(パワー半導体向け洗浄)

SCREENの枚葉洗浄装置のパワー半導体対応モデル。SiC・GaN基板の前処理洗浄に使用。

対応ウェハ径最大 200 mm
処理方式枚葉式スピン薬液洗浄
対応基板材質Si・SiC・GaN on Si・GaAs
主要用途パワーデバイス製造工程の前処理洗浄
対応薬液SC1・SC2・HF・SPM・RCA
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日立ハイテク

M-600/6000 シリーズ(コンダクターエッチング装置)

パワー半導体のシリコン加工向けのエッチング装置。150mm・200mm に対応し、低温エッチングと TM バイアスで滑らかな側壁を作る。

方式マイクロ波 ECR プラズマ・低温エッチング・TM バイアス
対応ウェハ径150/200 mm
装置構成最大 2 エッチング+2 後処理チャンバ
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アドバンテスト

EXAVIS

ウェーハから複合モジュールまで、あらゆるパワー半導体を試験できる初の統合テストプラットフォーム。

対象SiC・GaN・IPM・IPD などのパワーデバイス(ウェーハ〜モジュール)
動的試験最大 10kA(短絡試験を含む)
構造分散コンピューティングアーキテクチャ・モジュラーラック
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アドバンテスト

MT100/MT200(パワー半導体テストシステム)

IGBT・MOSFET・SiC・GaN などのパワー半導体向けの DC/AC 試験装置。DC で最大 10kV-10kA、AC で最大 6kV-18kA。

DC 試験最大 10kV-10kA
AC 試験最大 6kV-18kA(短絡試験を含む)
ラインアップMT100S・MT200S・MT200D など
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Besi

Esec 2100 SSI

Phi-Y ピックアンドプレースとソフトソルダーインデクサーを組み合わせた 12 インチ対応のダイボンダー。拡散はんだや焼結に使う。

方式ソフトソルダーダイボンド(12 インチ)
荷重閉ループ 300N(オプション)
主要用途高出力パッケージ・拡散はんだ・直接焼結
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Besi

Esec 2009 SSIE

パワーデバイスのダイアタッチ向けのソフトソルダーダイボンダー。市場で唯一 300mm ウェーハを扱えるソフトソルダー機。

方式ソフトソルダーダイボンド(ポイント・ツー・ライン)
対応300mm/12 インチウェーハ(オプション)
特徴特許のディスペンス・ボンディング技術・低ガス消費
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Besi

Esec 2009 fSE

業界最速のソフトソルダーダイボンダー。最大 8,000 UPH で SOT・TO・DPAK などのパッケージに対応する。

スループット最大 8,000 UPH
対象パッケージSOT・TO・DPAK(シングル列・マトリクスリードフレーム)
ウェーハ8 インチまで

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

13社の主要メーカー

東京エレクトロン(TEL)日本

世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。

塗布現像装置
CLEAN TRACK ACTCLEAN TRACK LITHIUS
エッチング装置
TactrasCertas
成膜装置
EpisodeTriase+TELINDY PLUS
  • •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
  • •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
会社詳細
Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
会社詳細
SCREENホールディングス日本

半導体洗浄装置の世界的リーダー。表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術で、ナノレベルの高精度加工を実現。

洗浄装置
ウェーハ洗浄システム
塗布現像装置
コータ/デベロッパ
検査装置
検査システム計測システム
  • •洗浄装置で世界トップシェア
  • •表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術
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Infineon Technologiesドイツ

欧州最大の半導体メーカー。パワー半導体(IGBT・SiC MOSFET)・マイコン・セキュリティICで世界トップクラス。車載・産業・IoT向けに強み。

パワー半導体
IGBTSiC MOSFETGaN
マイコン
AURIX(車載)PSoC
セキュリティIC
TPMSLE97
  • •パワー半導体(IGBT・SiC)で世界シェア首位
  • •車載マイコン(AURIX)・車載セキュリティICの業界標準
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STMicroelectronics(ST)スイス

フランス・イタリア合弁で設立された欧州大手半導体メーカー。STM32マイコン・SiCデバイス・MEMS・イメージセンサで車載・産業・IoT向けにリーダーシップ。

マイコン
STM32シリーズ(ARM Cortex-M)
パワー半導体
SiC MOSFETIGBTGaN
センサ
MEMSセンサCMOSイメージセンサ
  • •STM32マイコンで組み込み市場の業界標準ポジション
  • •SiCパワーデバイスで世界第2〜3位
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ルネサスエレクトロニクス日本

NEC・日立・三菱のシステムLSI部門を統合した日本最大の半導体メーカー。車載マイコン・SoC・MCUで世界首位級。インターシル・IDT・Dialogを相次ぎ買収。

車載SoC・マイコン
R-CarRH850
汎用マイコン
RXシリーズRA/RZファミリ
アナログ・電源IC
DAシリーズ電源IC
  • •車載マイコン(R-Car SoC)で世界第1位のシェア
  • •32bit MCUで世界第3位(RXファミリ等)
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NXP Semiconductorsオランダ

フィリップス半導体部門が独立したオランダのIDM。車載通信IC(CAN/LIN/Ethernet)・セキュアMCU・RFID・レーダーSoCで世界トップシェア。

車載IC
S32マイコンレーダーSoCCAN/LIN IC
セキュリティIC
セキュアエレメントSE050
RFID/NFC
MIFAREUCODE
  • •車載通信IC(S32シリーズ)で業界首位
  • •セキュアエレメント・RFID/NFCで世界最大シェア
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Texas Instruments(TI)米国

アナログ半導体・組み込みプロセッサの世界最大手IDM。アンプ・電源IC・マイコン(MSP430・C2000)を自社ファブで製造し、産業・車載市場をリード。

アナログIC
オペアンプ電源IC(DC/DC・LDO)データコンバータ
組み込みプロセッサ
MSP430マイコンC2000リアルタイムMCUAM67x Sitaraプロセッサ
  • •アナログ半導体で世界シェア約20%のトップメーカー
  • •自社12インチFab複数保有による垂直統合モデル
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レゾナック(旧昭和電工)日本

2023年に昭和電工と日立化成が統合して発足した半導体材料の総合メーカー。CMPスラリー・半導体封止材・エピタキシャルウェーハ・SiCエピウェーハを主力とする。

研磨材料
CMPスラリー(酸化膜・メタル)CMP研磨パッド
半導体基板
SiCエピウェーハSiエピウェーハ
封止材
半導体封止コンパウンド(EMC)
  • •CMPスラリー(High-Purity Colloidal Silica)で世界上位シェア
  • •SiCエピタキシャルウェーハで国内最大手。パワー半導体市場の拡大を追い風に
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テセック日本

ディスクリート半導体・パワーデバイス向けのテスタとテストハンドラを手掛けるメーカー。測定器とハンドラを組み合わせたテストシステムとして供給する。

テストシステム
ディスクリート用テスタパワーデバイス用テスタ
ハンドラ
テストハンドラ
  • •ディスクリート・パワーデバイスのテストに特化
  • •テスタとハンドラを自社で組み合わせて提供
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日立ハイテク日本

世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。

検査・計測装置
CD-SEMウェハ検査装置マスク検査装置膜厚計測装置
加工装置
プラズマエッチング装置
分析装置
走査電子顕微鏡(SEM)透過電子顕微鏡(TEM)
  • •CD-SEM(測長SEM)で世界シェア約80%を占める圧倒的なポジション
  • •2nm/3nm世代の先端プロセスに不可欠な計測技術を提供
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アドバンテスト日本

半導体テスト装置(ATE)市場で世界シェア50%超のリーダー。SoC、メモリ、パワー半導体の包括的テストソリューションを提供。

SoCテストシステム
V93000T2000
メモリテストシステム
T5800T5500
パワーテストシステム
MTe
  • •ATE市場で世界シェア50%以上のトップポジション
  • •SoC、メモリ、パワー半導体の包括的テストソリューション
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Besiオランダ

オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。

ダイボンディング装置
シングルチップ・マルチチップボンダーハイブリッドボンディングシステムFOWLP装置
パッケージング装置
モールディングシステムトリム&フォーム装置
  • •ダイアタッチ装置で世界シェア42%のトップポジション
  • •ハイブリッドボンディング装置における技術的優位性
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