パワー半導体メーカー13社
パワー半導体(Power Semiconductor)は、電力変換・制御に特化した半導体デバイスで、IGBT、パワーMOSFET、SiC/GaN素子など高耐圧・大電流特性を持つ製品群です。インバータ、コンバータ、整流器などに使用され、数百V~数千Vの高電圧と数十A~数百Aの大電流を制御します。電気自動車(EV)、再生可能エネルギー、鉄道、産業機器など、電動化・省エネルギー社会を支える重要技術であり、厚膜エピタキシャル成長、高耐圧構造形成などの専用プロセスが求められます。
主要特徴
よくある質問
SiCデバイス製造でシリコンと大きく異なる工程は?▾
主要装置メーカーは?▾
代表製品・スペック
| 対応ウェハ径 | 最大 200 mm |
| 成膜方式 | マグネトロンスパッタリング |
| 主要成膜膜種 | Ti・Ni・Ag・Al(裏面電極) |
| 主要用途 | SiC・GaN デバイスの裏面電極・オーミック接合 |
| 薄ウェハ対応 | 100 μm 以下の薄ウェハに対応 |
| 対応ウェハ径 | 最大 200 mm |
| 処理方式 | 枚葉式スピン薬液洗浄 |
| 対応基板材質 | Si・SiC・GaN on Si・GaAs |
| 主要用途 | パワーデバイス製造工程の前処理洗浄 |
| 対応薬液 | SC1・SC2・HF・SPM・RCA |
M-600/6000 シリーズ(コンダクターエッチング装置)
パワー半導体のシリコン加工向けのエッチング装置。150mm・200mm に対応し、低温エッチングと TM バイアスで滑らかな側壁を作る。
| 方式 | マイクロ波 ECR プラズマ・低温エッチング・TM バイアス |
| 対応ウェハ径 | 150/200 mm |
| 装置構成 | 最大 2 エッチング+2 後処理チャンバ |
| 対象 | SiC・GaN・IPM・IPD などのパワーデバイス(ウェーハ〜モジュール) |
| 動的試験 | 最大 10kA(短絡試験を含む) |
| 構造 | 分散コンピューティングアーキテクチャ・モジュラーラック |
MT100/MT200(パワー半導体テストシステム)
IGBT・MOSFET・SiC・GaN などのパワー半導体向けの DC/AC 試験装置。DC で最大 10kV-10kA、AC で最大 6kV-18kA。
| DC 試験 | 最大 10kV-10kA |
| AC 試験 | 最大 6kV-18kA(短絡試験を含む) |
| ラインアップ | MT100S・MT200S・MT200D など |
| 方式 | ソフトソルダーダイボンド(12 インチ) |
| 荷重 | 閉ループ 300N(オプション) |
| 主要用途 | 高出力パッケージ・拡散はんだ・直接焼結 |
| 方式 | ソフトソルダーダイボンド(ポイント・ツー・ライン) |
| 対応 | 300mm/12 インチウェーハ(オプション) |
| 特徴 | 特許のディスペンス・ボンディング技術・低ガス消費 |
| スループット | 最大 8,000 UPH |
| 対象パッケージ | SOT・TO・DPAK(シングル列・マトリクスリードフレーム) |
| ウェーハ | 8 インチまで |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
13社の主要メーカー
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
半導体洗浄装置の世界的リーダー。表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術で、ナノレベルの高精度加工を実現。
- •洗浄装置で世界トップシェア
- •表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術
欧州最大の半導体メーカー。パワー半導体(IGBT・SiC MOSFET)・マイコン・セキュリティICで世界トップクラス。車載・産業・IoT向けに強み。
- •パワー半導体(IGBT・SiC)で世界シェア首位
- •車載マイコン(AURIX)・車載セキュリティICの業界標準
フランス・イタリア合弁で設立された欧州大手半導体メーカー。STM32マイコン・SiCデバイス・MEMS・イメージセンサで車載・産業・IoT向けにリーダーシップ。
- •STM32マイコンで組み込み市場の業界標準ポジション
- •SiCパワーデバイスで世界第2〜3位
NEC・日立・三菱のシステムLSI部門を統合した日本最大の半導体メーカー。車載マイコン・SoC・MCUで世界首位級。インターシル・IDT・Dialogを相次ぎ買収。
- •車載マイコン(R-Car SoC)で世界第1位のシェア
- •32bit MCUで世界第3位(RXファミリ等)
フィリップス半導体部門が独立したオランダのIDM。車載通信IC(CAN/LIN/Ethernet)・セキュアMCU・RFID・レーダーSoCで世界トップシェア。
- •車載通信IC(S32シリーズ)で業界首位
- •セキュアエレメント・RFID/NFCで世界最大シェア
アナログ半導体・組み込みプロセッサの世界最大手IDM。アンプ・電源IC・マイコン(MSP430・C2000)を自社ファブで製造し、産業・車載市場をリード。
- •アナログ半導体で世界シェア約20%のトップメーカー
- •自社12インチFab複数保有による垂直統合モデル
2023年に昭和電工と日立化成が統合して発足した半導体材料の総合メーカー。CMPスラリー・半導体封止材・エピタキシャルウェーハ・SiCエピウェーハを主力とする。
- •CMPスラリー(High-Purity Colloidal Silica)で世界上位シェア
- •SiCエピタキシャルウェーハで国内最大手。パワー半導体市場の拡大を追い風に
ディスクリート半導体・パワーデバイス向けのテスタとテストハンドラを手掛けるメーカー。測定器とハンドラを組み合わせたテストシステムとして供給する。
- •ディスクリート・パワーデバイスのテストに特化
- •テスタとハンドラを自社で組み合わせて提供
世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。
- •CD-SEM(測長SEM)で世界シェア約80%を占める圧倒的なポジション
- •2nm/3nm世代の先端プロセスに不可欠な計測技術を提供
半導体テスト装置(ATE)市場で世界シェア50%超のリーダー。SoC、メモリ、パワー半導体の包括的テストソリューションを提供。
- •ATE市場で世界シェア50%以上のトップポジション
- •SoC、メモリ、パワー半導体の包括的テストソリューション
オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。
- •ダイアタッチ装置で世界シェア42%のトップポジション
- •ハイブリッドボンディング装置における技術的優位性
同じ分野の装置カテゴリ
化合物半導体製造装置は、GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体デバイス(パワー半導体・RF/マイクロ波デバイス・光デバイス)の製造に特化した装置群です。
メーカー 9 社CMOSイメージセンサー製造装置CMOSイメージセンサー(CIS:CMOS Image Sensor)製造装置は、光を電気信号に変換するフォトダイオードアレイを半導体プロセスで製造する装置群です。
メーカー 5 社MEMSMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)製造装置は、マイクロメートルスケールの機械構造と電子回路を同一基板上に作製する微小機械デバイス製造に特化した装置群です。
メーカー 9 社RF半導体製造装置(GaN/GaAs)RF半導体製造装置は、GaN(窒化ガリウム)・GaAs(砒化ガリウム)・InP(リン化インジウム)などの化合物半導体を基板とし、高周波帯(マイクロ波・ミリ波)で動作するパワーアンプ・スイッチ・LNAなどを製造する装置群です。
メーカー 3 社SiCパワー半導体製造装置SiCパワー半導体製造装置は、シリコンカーバイド(SiC)を基板材料とするパワーデバイス(SiC-MOSFET・SiC-SBDなど)の製造に特化した装置群です。
メーカー 6 社