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化合物半導体メーカー7社

化合物半導体（Compound Semiconductor）は、GaN（窒化ガリウム）、SiC（炭化ケイ素）、GaAs（ガリウムヒ素）など、シリコン以外の複数元素を組み合わせた半導体材料です。高周波特性、高耐圧性、広バンドギャップ、発光特性などシリコンにない優れた物性を持ち、5G通信、パワーエレクトロニクス、LED、レーザー、衛星通信などの先端用途に不可欠です。製造装置には特殊なエピタキシャル成長技術やエッチング技術が求められ、専用プロセスが必要となります。

メーカー 7 社関連カテゴリ 5 件

主要特徴

GaAs・InP・GaN・SiCなど化合物半導体専用の製造装置群

MOCVD（有機金属気相成長）装置が化合物半導体エピ形成の主力

5G RF・パワーデバイス・LED・レーザーなど高付加価値用途向け

SiC基板の硬さによりダイシング・研削装置の設計がSiとは別仕様

8インチSiC・GaNオンシリコンウェハで大口径化・コスト低減が進行中

よくある質問

MOCVDとMBEの使い分けは？▾

MOCVD（有機金属気相成長）は量産性・スループットに優れ、LED・レーザー・HEMTの大量生産に向きます。MBE（分子線エピタキシー）は高精度な組成制御が可能で研究開発・高性能デバイスに使われますが、生産速度は低いです。

SiCパワー半導体製造でシリコンと異なる点は？▾

SiCはシリコンより硬く融点も高いため、ウェハスライス・研削・ダイシングにより高耐久な砥石・レーザーダイシングが必要です。また高品質エピタキシャル成長のために1400℃以上の高温CVDが必要な点もシリコンプロセスと大きく異なります。

代表製品・スペック

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東京エレクトロン（TEL）

Probus（GaN/SiC 向けCVD）

化合物半導体向けに最適化されたTELの成膜装置。GaN・SiCエピタキシャル成長と絶縁膜成膜に対応。

対応材料	GaN・SiC・GaAs
対応基板径	最大 200 mm
成膜方式	MOCVD / CVD
主要用途	GaN パワーデバイス・RF デバイス製造
成長温度	600 ～ 1,100 °C

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Applied Materials

Centura SiC（SiCエピタキシー）

SiC基板向けエピタキシャル成長装置。EV・産業用パワーデバイス向けSiCエピの量産に対応。

対応基板径	150 ～ 200 mm（SiC）
成長方式	CVD 式ホモエピタキシャル
主要成長膜	4H-SiC エピタキシャル膜
成長温度	1,500 ～ 1,650 °C
主要用途	EV・産業用 SiC パワーデバイス量産

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Lam Research

Versys（化合物半導体エッチング）

GaN・GaAs・InP等の化合物半導体エッチングに対応したLam Researchのシステム。

対応材料	GaN・GaAs・InP・AlGaN
対応基板径	最大 200 mm
プラズマ方式	ICP
主要用途	GaN HEMT・GaAs FETのデバイス形成
エッチング精度	±3% 以内（均一性）

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。