化合物半導体メーカー9社

化合物半導体（Compound Semiconductor）は、GaN（窒化ガリウム）、SiC（炭化ケイ素）、GaAs（ガリウムヒ素）など、シリコン以外の複数元素を組み合わせた半導体材料です。高周波特性、高耐圧性、広バンドギャップ、発光特性などシリコンにない優れた物性を持ち、5G通信、パワーエレクトロニクス、LED、レーザー、衛星通信などの先端用途に不可欠です。製造装置には特殊なエピタキシャル成長技術やエッチング技術が求められ、専用プロセスが必要となります。

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主要特徴

GaAs・InP・GaN・SiCなど化合物半導体専用の製造装置群

MOCVD（有機金属気相成長）装置が化合物半導体エピ形成の主力

5G RF・パワーデバイス・LED・レーザーなど高付加価値用途向け

SiC基板の硬さによりダイシング・研削装置の設計がSiとは別仕様

8インチSiC・GaNオンシリコンウェハで大口径化・コスト低減が進行中

よくある質問

MOCVDとMBEの使い分けは？▾

MOCVD（有機金属気相成長）は量産性・スループットに優れ、LED・レーザー・HEMTの大量生産に向きます。MBE（分子線エピタキシー）は高精度な組成制御が可能で研究開発・高性能デバイスに使われますが、生産速度は低いです。

SiCパワー半導体製造でシリコンと異なる点は？▾

SiCはシリコンより硬く融点も高いため、ウェハスライス・研削・ダイシングにより高耐久な砥石・レーザーダイシングが必要です。また高品質エピタキシャル成長のために1400℃以上の高温CVDが必要な点もシリコンプロセスと大きく異なります。

代表製品・スペック

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Lam Research

化合物半導体向けエッチング装置

GaN・GaAs・InP などの化合物半導体の加工にも使われる Lam Research のプラズマエッチング装置。

対応材料	GaN・GaAs・InP など
主要用途	化合物半導体デバイスの加工

Lam Research の企業情報を見る →

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Onto Innovation

CnCV®

テストデバイスを作らずに SiC・GaN などワイドバンドギャップ材料をウェーハで評価する、水銀を使わない CV 計測装置。

方式	定表面電位コロナ帯電による CV 計測（水銀フリー）
対象	SiC・Ga₂O₃・GaN・AlGaN/GaN HEMT
特徴	UV アシストのキネティック CV モード

Onto Innovation の企業情報を見る →CnCV® の詳細 →

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ULVAC（アルバック）

SEGul-200（GaN スパッタエピ装置）

独自の RaSE 法で GaN をスパッタでエピタキシャル成長させる装置。特殊ガスの除害設備が要らない。

方式	RaSE（Radical assist Sputter Epitaxy）
プロセス温度	600〜800℃（ガスは Ar・N₂）
分布	膜厚・抵抗 ±10%（Φ200mm エリア）

ULVAC（アルバック）の企業情報を見る →SEGul-200 の詳細 →

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。