化合物半導体

化合物半導体（Compound Semiconductor）は、GaN（窒化ガリウム）、SiC（炭化ケイ素）、GaAs（ガリウムヒ素）など、シリコン以外の複数元素を組み合わせた半導体材料です。高周波特性、高耐圧性、広バンドギャップ、発光特性などシリコンにない優れた物性を持ち、5G通信、パワーエレクトロニクス、LED、レーザー、衛星通信などの先端用途に不可欠です。製造装置には特殊なエピタキシャル成長技術やエッチング技術が求められ、専用プロセスが必要となります。