マスク検査装置メーカー6社
マスク検査装置は、フォトマスク上の欠陥や異物を検出するための装置です。露光工程の品質を左右する重要分野です。
メーカー 6 社同じ分野の装置 9 カテゴリ
主要特徴
Die-to-Database比較で透明・不透明・位相欠陥を検出
マスク品質が最終デバイスの歩留まりと性能に直結
EUVマスク検査では反射光学系・電子線を組み合わせ
先端プロセス向けの高感度・高スループット検査が必要
マスク修正装置と組み合わせて欠陥修復プロセスを形成
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | KLATeron™ 6xx シリーズ | Applied MaterialsAera™ 6 Mask Inspection | アドバンテストMASK DR-SEM E5620 | レーザーテックACTIS A300 シリーズ | レーザーテックACTIS A150 | レーザーテックACTIS A200HiT シリーズ | レーザーテックABICS E320 | レーザーテックABICS E120 | レーザーテックMATRICS X9ULTRA シリーズ | レーザーテックMATRICS X8ULTRA シリーズ | レーザーテックMATRICS X810EX シリーズ | レーザーテックMATRICS X712 シリーズ | レーザーテックMAGICS M9750／M9751 | レーザーテックMAGICS M9650／M9651 | レーザーテックMAGICS M6750／M6751 | レーザーテックPELMIS シリーズ | レーザーテックBASIC シリーズ | レーザーテックMZ100 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 対象 | — | 先端メモリ・ロジック用マスク（EUV マスクを含む） | 6025 サイズのフォトマスク | High-NA 用・現行 NA 用の EUV マスク（ペリクル付き対応） | EUV マスク（ペリクル付き対応） | — | 次世代 EUV マスクブランクス（Mo/Si 多層膜） | EUV マスクブランクス（Mo/Si 多層膜） | ペリクル非装着の EUV マスク | ペリクル非装着 EUV マスク・DUV マスク | — | 成熟プロセスノードのマスク | EUV マスクブランクス・サブストレート | EUV マスクブランクス・光マスクブランクス・サブストレート | レジスト塗布済みブランクス・Cr／MoSi／ハーフトーン膜 | ペリクル付き EUV マスク（ペリクル面・パターン面・外周部） | EUV マスク（6 インチ） | EUV・DUV フォトマスク |
| 方式 | — | — | — | アクティニック検査（EUV 光・URASHIMA 光源） | アクティニック検査（EUV 光 13.5nm） | アクティニック検査（EUV 光） | アクティニック検査（13.5nm）・40x 暗視野光学系 | アクティニック検査（13.5nm）・暗視野光学系 | — | — | — | — | MAGICS の基幹技術＋刷新した検査光学系・高速検査回路 | — | コンフォーカル光学系・63 本のマルチビームスキャン | — | — | コンフォーカル光学系 |
| 発表 | — | — | — | 2023年11月 | — | 2025年10月 | — | — | 2022年4月 | — | — | 2026年3月 | 2025年12月 | — | — | 2024年12月 | — | — |
| 機能 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | マスク to マスク比較（MtM）・OHT 連動の全自動検査 | — | — | — | — | M6751 は描画・ベーク後の潜像パターン上の異物検査に対応 | 表裏の自動判別・ダイ比較・マスク to マスク比較 | 裏面の異物検出・異物の高さ測定・クリーニング | — |
| 受賞 | — | — | — | — | 2019年十大新製品賞・半導体・オブ・ザ・イヤー2020 グランプリ | — | — | 2017年十大新製品賞・半導体・オブ・ザ・イヤー2018 グランプリ | — | — | — | — | — | 半導体・オブ・ザ・イヤー2019 グランプリ | — | — | — | — |
| 光源 | — | — | — | — | — | — | — | — | ハイパワー 193nm レーザー | — | 213nm QCW レーザー（400mW 超・従来比 2 倍） | — | — | — | — | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目（17件）
| 検査対象 | EUV・光露光用パターン付きレチクル | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 検出方式 | ダイ・トゥ・データベース／ダイ・トゥ・ダイ | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| シリーズ構成 | Teron 647eS2／647eS／647e／647／637 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 主要用途 | マスクショップのレチクル品質認定・出荷検査 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 検査方式 | — | 193nm エアリアルイメージ＋高解像度イメージング | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 主な機能 | — | 転写／非転写の自動欠陥分類・ヘイズ早期検出・IntenCD による CD 均一性マップ | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| SEM 空間分解能 | — | — | 2nm | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| オプション | — | — | 元素分析（EDS・127eV）・後方散乱電子分析 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 検査速度 | — | — | — | — | — | ACTIS A150 の 3 倍 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| レビュー | — | — | — | — | — | — | 1,500x 高倍率・明視野／暗視野 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 光学 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 画素 45nm・213nm QCW レーザー（400mW 超）・2 種類の偏光照明 | — | — | — | — | — | — | — | — |
| スキャン時間 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 38 分／100 × 100mm | — | — | — | — | — | — | — |
| 対応マスク | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Cr・MoSi・OMOG（6 インチ） | — | — | — | — | — | — | — |
| 検査モード | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | DDB（Die-to-Database）・DD（Die-to-Die）・SD（Single Die） | — | — | — | — | — | — |
| カセット | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 多段カセット・RSP・MRP・Dual Pod | — | — | — | — |
| 装置サイズ | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1,550 × 2,955 × 2,400 mm | — |
| 検査範囲 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | マスク中央 146 × 146mm 以外の全領域（サイド面・ベベル） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
製品写真
| 検査対象 | EUV・光露光用パターン付きレチクル |
| 検出方式 | ダイ・トゥ・データベース／ダイ・トゥ・ダイ |
| シリーズ構成 | Teron 647eS2／647eS／647e／647／637 |
| 主要用途 | マスクショップのレチクル品質認定・出荷検査 |
製品写真
Applied Materials
Aera™ 6 Mask Inspection
193nm 光源を使う第 6 世代のマスク検査装置。露光装置と同じ見え方（エアリアルイメージ）での検査と高解像度検査を 1 台で行う。
| 検査方式 | 193nm エアリアルイメージ＋高解像度イメージング |
| 対象 | 先端メモリ・ロジック用マスク（EUV マスクを含む） |
| 主な機能 | 転写／非転写の自動欠陥分類・ヘイズ早期検出・IntenCD による CD 均一性マップ |
製品写真
| 対象 | 6025 サイズのフォトマスク |
| SEM 空間分解能 | 2nm |
| オプション | 元素分析（EDS・127eV）・後方散乱電子分析 |
製品写真
| 方式 | アクティニック検査（EUV 光・URASHIMA 光源） |
| 対象 | High-NA 用・現行 NA 用の EUV マスク（ペリクル付き対応） |
| 発表 | 2023年11月 |
製品写真
| 方式 | アクティニック検査（EUV 光 13.5nm） |
| 対象 | EUV マスク（ペリクル付き対応） |
| 受賞 | 2019年十大新製品賞・半導体・オブ・ザ・イヤー2020 グランプリ |
製品写真
| 方式 | アクティニック検査（EUV 光） |
| 検査速度 | ACTIS A150 の 3 倍 |
| 発表 | 2025年10月 |
製品写真
| 方式 | アクティニック検査（13.5nm）・40x 暗視野光学系 |
| レビュー | 1,500x 高倍率・明視野／暗視野 |
| 対象 | 次世代 EUV マスクブランクス（Mo/Si 多層膜） |
製品写真
| 方式 | アクティニック検査（13.5nm）・暗視野光学系 |
| 対象 | EUV マスクブランクス（Mo/Si 多層膜） |
| 受賞 | 2017年十大新製品賞・半導体・オブ・ザ・イヤー2018 グランプリ |
製品写真
| 光源 | ハイパワー 193nm レーザー |
| 対象 | ペリクル非装着の EUV マスク |
| 発表 | 2022年4月 |
製品写真
| 光学 | 画素 45nm・213nm QCW レーザー（400mW 超）・2 種類の偏光照明 |
| 対象 | ペリクル非装着 EUV マスク・DUV マスク |
| 機能 | マスク to マスク比較（MtM）・OHT 連動の全自動検査 |
製品写真
| 光源 | 213nm QCW レーザー（400mW 超・従来比 2 倍） |
| スキャン時間 | 38 分／100 × 100mm |
| 対応マスク | Cr・MoSi・OMOG（6 インチ） |
製品写真
| 検査モード | DDB（Die-to-Database）・DD（Die-to-Die）・SD（Single Die） |
| 対象 | 成熟プロセスノードのマスク |
| 発表 | 2026年3月 |
製品写真
| 方式 | MAGICS の基幹技術＋刷新した検査光学系・高速検査回路 |
| 対象 | EUV マスクブランクス・サブストレート |
| 発表 | 2025年12月 |
製品写真
| 対象 | EUV マスクブランクス・光マスクブランクス・サブストレート |
| カセット | 多段カセット・RSP・MRP・Dual Pod |
| 受賞 | 半導体・オブ・ザ・イヤー2019 グランプリ |
製品写真
| 方式 | コンフォーカル光学系・63 本のマルチビームスキャン |
| 対象 | レジスト塗布済みブランクス・Cr／MoSi／ハーフトーン膜 |
| 機能 | M6751 は描画・ベーク後の潜像パターン上の異物検査に対応 |
製品写真
| 対象 | ペリクル付き EUV マスク（ペリクル面・パターン面・外周部） |
| 機能 | 表裏の自動判別・ダイ比較・マスク to マスク比較 |
| 発表 | 2024年12月 |
製品写真
| 機能 | 裏面の異物検出・異物の高さ測定・クリーニング |
| 対象 | EUV マスク（6 インチ） |
| 装置サイズ | 1,550 × 2,955 × 2,400 mm |
製品写真
| 方式 | コンフォーカル光学系 |
| 検査範囲 | マスク中央 146 × 146mm 以外の全領域（サイド面・ベベル） |
| 対象 | EUV・DUV フォトマスク |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
6社の主要メーカー
KLA米国
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
検査装置
ウェーハ検査システムマスク検査装置
計測装置
CD計測膜厚計測オーバーレイ計測
データ分析
aiSIGHTKlarity
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
日立ハイテク日本
世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。
検査・計測装置
CD-SEMウェハ検査装置マスク検査装置膜厚計測装置
加工装置
プラズマエッチング装置
分析装置
走査電子顕微鏡（SEM）透過電子顕微鏡（TEM）
- •CD-SEM（測長SEM）で世界シェア約80%を占める圧倒的なポジション
- •2nm/3nm世代の先端プロセスに不可欠な計測技術を提供
レーザーテック日本
EUVマスク欠陥検査装置で世界唯一のサプライヤー。半導体・FPD向け検査・計測装置の専業メーカーとして、マスク検査（MATRICS/MAGICS）・ウェーハ検査・膜厚計測装置を展開。
EUVマスク検査
MATRICS（EUVマスク欠陥検査）MAGICS（マスクブランクス検査）
ウェーハ検査
光学式ウェーハ表面検査装置ベアウェーハ検査装置
計測
膜厚計測装置3D形状計測装置
- •EUVマスク欠陥検査装置（MATRICS）で世界シェア100%の独占供給
- •ArF/EUV向けマスクブランクス検査（MAGICS）でも業界標準機を提供
ホロン日本
電子ビーム応用装置のメーカー。フォトマスクの欠陥レビューSEMやマスク欠陥修正装置、測長SEMなどを供給し、マスク製造の品質保証工程を支える。
マスク検査・修正
マスク欠陥レビューSEMマスク欠陥修正装置
計測装置
測長SEM（CD-SEM）
- •電子ビーム光学系の自社設計
- •マスク欠陥のレビューと修正を担う装置群
Applied Materials米国
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
アドバンテスト日本
半導体テスト装置（ATE）市場で世界シェア50%超のリーダー。SoC、メモリ、パワー半導体の包括的テストソリューションを提供。
SoCテストシステム
V93000T2000
メモリテストシステム
T5800T5500
パワーテストシステム
MTe
- •ATE市場で世界シェア50%以上のトップポジション
- •SoC、メモリ、パワー半導体の包括的テストソリューション
同じ分野の装置カテゴリ
結晶欠陥検査装置
結晶欠陥検査装置は、シリコンやSiCの基板・エピ層に含まれるCOP・転位・積層欠陥・BPD（基底面転位）といった結晶起因の欠陥を検出する装置です。
メーカー 5 社欠陥検査装置欠陥検査装置（Defect Inspection）は、ウェハ表面や内部に存在するパターン欠陥・パーティクル・スクラッチなどを光学または電子線で自動検出するシステムです。
メーカー 3 社電子線（EB）検査装置電子線（EB）検査装置は、電子ビームを用いてウェーハ上のパターン欠陥・電気的欠陥を高分解能で検出する装置です。
メーカー 6 社マクロ検査装置マクロ検査装置は、ウェハ全面を低倍率で一括撮像し、レジストのコート不良・現像ムラ・スクラッチ・チッピング・ウェハエッジの異常など、比較的大きな外観不良を高速に検出する装置です。
メーカー 5 社光学式ウェーハ検査装置光学式ウェーハ検査装置は、レーザーや白色光を用いてウェーハ表面の異物・スクラッチ・結晶欠陥などを高速で検出する装置です。
メーカー 8 社異物・パーティクル検査装置異物・パーティクル検査装置は、ウェハ表面に付着した微粒子や傷をレーザー散乱光で検出し、サイズと座標をマップとして出力する装置です。
メーカー 4 社レビューSEMレビューSEMは、欠陥検査装置が出力した欠陥座標へ自動で移動し、個々の欠陥を高分解能のSEM像で分類する装置です。
メーカー 4 社膜厚計測装置膜厚計測装置（Thickness Metrology）は、ウェハ上に形成された薄膜の厚さや光学特性を非破壊で精密測定するシステムです。
メーカー 7 社ウェハ検査装置ウェハ検査装置（Wafer Inspection）は、ウェハ表面のパーティクル・欠陥・パターン異常を自動検出するシステムです。
メーカー 5 社関連用語
比較・違いを学ぶ
電子ビーム検査と光学検査の違い（欠陥検査方式の比較）
電子ビーム検査（E-beam Inspection）は電子ビームでウェハを走査し二次電子・反射電子像から欠陥を検出する方式で、数nm級の微小欠陥や配線のオープン…
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