膜厚計測装置メーカー7社
膜厚計測装置は、成膜後の膜厚や光学特性を測定するための計測装置です。プロセスの再現性確保と歩留まり向上に貢献します。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | KLASpectraFilm™ F10 | KLAAleris® 9350 | Onto InnovationIris™ G2 | Onto InnovationIMPULSE®+ | Onto InnovationIMPULSE® V | Onto InnovationEcho™ | Onto InnovationIris™ S | Lam ResearchMetior®（質量計測） | SCREENホールディングスVM-2500／VM-3500（光干渉式膜厚測定装置） | SCREENホールディングスVM-1200／VM-1300（光干渉式膜厚測定装置） | SCREENホールディングスVM-1020（光干渉式膜厚測定装置） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | — | 広帯域分光エリプソメトリ（BBSE） | — | DUV 光学の膜計測（統合／単体） | DUV 光学＋波面技術（統合／単体） | ピコ秒超音波計測 | — | ウェーハ質量計測 | 光干渉式（分光反射） | 光干渉式（CCD 分光器） | 顕微鏡＋光ファイバー入力式 CCD 分光器 |
| 対象 | 2nm 以下 GAA・最新 DRAM の重要膜 | — | 共通膜・重要膜（10〜50Å の極薄多層膜） | — | ロジック・DRAM・3D NAND の CMP | — | — | — | — | — | — |
| 特徴 | サブオングストロームの精度 | — | 2D/3D OCD・反り・膜応力も計測 | — | — | — | — | — | トレンチ測定機構（VM-3500） | — | — |
| 主要用途 | — | — | 先端・成熟・特殊デバイスのゲート膜管理 | CMP 工程の APC 制御 | — | 金属膜厚・注入監視・熱伝導率の評価 | — | — | — | — | — |
| 測定方式 | 広帯域分光エリプソメトリー（BBSE） | — | DUV 分光エリプソメトリー＋独自レーザーエリプソメトリー | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 関連機種 | SpectraFilm F20（3D NAND）・Aleris 9350（一般膜） | Aleris 8330・Aleris 8350 | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 測定膜種 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 標準 25 膜種 | 25 種類（UV モデルは 29 種類） |
1機種だけが掲載している項目（12件）
| 測定項目 | — | 膜厚・屈折率・応力・組成 | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 連携 | — | — | — | Atlas プラットフォームとの分光フィードフォワード | — | — | — | — | — | — | — |
| 精度 | — | — | — | — | 2 倍以上の向上 | — | — | — | — | — | — |
| 膜厚範囲 | — | — | — | — | — | 50Å〜35µm | — | — | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | — | — | — | — | 150／200／300 mm（薄・厚・接合ウェーハ） | — | — | — | — |
| 測定 | — | — | — | — | — | — | 薄膜・厚膜・OCD・ウェーハ反り・膜応力 | — | — | — | — |
| 対応材料 | — | — | — | — | — | — | Si・SiC・GaN・ガラス | — | — | — | — |
| 感度 | — | — | — | — | — | — | — | サブナノメートルの膜を検出 | — | — | — |
| ラインアップ | — | — | — | — | — | — | — | Metior HX・Metior HXE（単体／プラットフォーム統合） | — | — | — |
| スループット | — | — | — | — | — | — | — | — | 高速モードで毎時 160 枚（SiO₂・5 点） | — | — |
| 積層膜 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 最大 4 層まで同時測定 | — |
| 機能 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 積層膜同時測定（最大 4 層）・エッチレート計算 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 測定方式 | 広帯域分光エリプソメトリー（BBSE） |
| 対象 | 2nm 以下 GAA・最新 DRAM の重要膜 |
| 特徴 | サブオングストロームの精度 |
| 関連機種 | SpectraFilm F20（3D NAND）・Aleris 9350（一般膜） |
| 方式 | 広帯域分光エリプソメトリ（BBSE） |
| 測定項目 | 膜厚・屈折率・応力・組成 |
| 関連機種 | Aleris 8330・Aleris 8350 |
| 測定方式 | DUV 分光エリプソメトリー＋独自レーザーエリプソメトリー |
| 対象 | 共通膜・重要膜（10〜50Å の極薄多層膜） |
| 特徴 | 2D/3D OCD・反り・膜応力も計測 |
| 主要用途 | 先端・成熟・特殊デバイスのゲート膜管理 |
| 方式 | DUV 光学の膜計測（統合／単体） |
| 連携 | Atlas プラットフォームとの分光フィードフォワード |
| 主要用途 | CMP 工程の APC 制御 |
| 方式 | DUV 光学＋波面技術（統合／単体） |
| 精度 | 2 倍以上の向上 |
| 対象 | ロジック・DRAM・3D NAND の CMP |
| 方式 | ピコ秒超音波計測 |
| 膜厚範囲 | 50Å〜35µm |
| 主要用途 | 金属膜厚・注入監視・熱伝導率の評価 |
| 対応ウェハ径 | 150／200／300 mm（薄・厚・接合ウェーハ） |
| 測定 | 薄膜・厚膜・OCD・ウェーハ反り・膜応力 |
| 対応材料 | Si・SiC・GaN・ガラス |
| 方式 | ウェーハ質量計測 |
| 感度 | サブナノメートルの膜を検出 |
| ラインアップ | Metior HX・Metior HXE（単体／プラットフォーム統合） |
| 方式 | 光干渉式（分光反射） |
| スループット | 高速モードで毎時 160 枚（SiO₂・5 点） |
| 特徴 | トレンチ測定機構（VM-3500） |
| 方式 | 光干渉式（CCD 分光器） |
| 測定膜種 | 標準 25 膜種 |
| 積層膜 | 最大 4 層まで同時測定 |
| 方式 | 顕微鏡＋光ファイバー入力式 CCD 分光器 |
| 測定膜種 | 25 種類（UV モデルは 29 種類） |
| 機能 | 積層膜同時測定（最大 4 層）・エッチレート計算 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
7社の主要メーカー
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。
- •光学ウェハ検査・膜厚計測で世界有数のポジション
- •先端パッケージング（FO-WLP・HBM）向け計測ソリューション
世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。
- •CD-SEM（測長SEM）で世界シェア約80%を占める圧倒的なポジション
- •2nm/3nm世代の先端プロセスに不可欠な計測技術を提供
科学計測機器・半導体計測装置の世界的メーカー。AFM（原子間力顕微鏡）・X線計測・電子顕微鏡を半導体製造の計測・品質管理に提供。
- •半導体向けAFM（原子間力顕微鏡）で世界最大手。ナノスケール形状計測に必須
- •X線回折（XRD）・X線反射率（XRR）による非破壊膜厚・結晶品質計測
瞬時マルチ測光システムを核とする分光計測メーカー。分光方式の膜厚測定装置や光学特性評価装置を供給し、レジスト膜や薄膜の厚み・屈折率の測定に用いられる。
- •瞬時マルチ測光による高速分光測定
- •膜厚と光学定数を同時に評価
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
半導体洗浄装置の世界的リーダー。表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術で、ナノレベルの高精度加工を実現。
- •洗浄装置で世界トップシェア
- •表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術
同じ分野の装置カテゴリ
結晶欠陥検査装置は、シリコンやSiCの基板・エピ層に含まれるCOP・転位・積層欠陥・BPD（基底面転位）といった結晶起因の欠陥を検出する装置です。
メーカー 5 社欠陥検査装置欠陥検査装置（Defect Inspection）は、ウェハ表面や内部に存在するパターン欠陥・パーティクル・スクラッチなどを光学または電子線で自動検出するシステムです。
メーカー 3 社電子線（EB）検査装置電子線（EB）検査装置は、電子ビームを用いてウェーハ上のパターン欠陥・電気的欠陥を高分解能で検出する装置です。
メーカー 6 社マクロ検査装置マクロ検査装置は、ウェハ全面を低倍率で一括撮像し、レジストのコート不良・現像ムラ・スクラッチ・チッピング・ウェハエッジの異常など、比較的大きな外観不良を高速に検出する装置です。
メーカー 5 社マスク検査装置マスク検査装置（Mask Inspection）は、フォトリソグラフィで使用するフォトマスク・レチクルの欠陥・汚染を検出するシステムです。
メーカー 6 社光学式ウェーハ検査装置光学式ウェーハ検査装置は、レーザーや白色光を用いてウェーハ表面の異物・スクラッチ・結晶欠陥などを高速で検出する装置です。
メーカー 8 社異物・パーティクル検査装置異物・パーティクル検査装置は、ウェハ表面に付着した微粒子や傷をレーザー散乱光で検出し、サイズと座標をマップとして出力する装置です。
メーカー 4 社レビューSEMレビューSEMは、欠陥検査装置が出力した欠陥座標へ自動で移動し、個々の欠陥を高分解能のSEM像で分類する装置です。
メーカー 4 社ウェハ検査装置ウェハ検査装置（Wafer Inspection）は、ウェハ表面のパーティクル・欠陥・パターン異常を自動検出するシステムです。
メーカー 5 社