GaN（窒化ガリウム、Gallium Nitride）は、ガリウム（Ga）と窒素（N）で構成されるIII-V族化合物半導体です。ワイドバンドギャップ（3.4eV）・高い絶縁破壊電界（3.3MV/cm）・高い電子飽和速度・高い熱的安定性という優れた特性を持ち、パワーデバイス・高周波デバイス・光デバイス（青色・紫色LED・レーザーダイオード）の材料として重要な役割を果たしています。
GaNパワーデバイスは、シリコンMOSFETと比べてスイッチング損失が大幅に小さく、高周波動作（数MHzまで）が可能です。GaN HEMTおよびGaN MOS-HEMTは、スマートフォン・ノートPCの急速充電アダプター（GaN充電器）、データセンターの電源モジュール（48Vアーキテクチャ向け）、太陽光発電パワーコンディショナーなどへの採用が急増しています。GaN Systems（Infineonが買収）、EPC（Efficient Power Conversion）、VisIC Technologiesが主要メーカーです。
高周波GaN（RF GaN）は、GaN-on-SiCやGaN-on-Siウェハ上に形成されたHEMT構造を持ち、5G基地局の電力増幅器（PA）・レーダー・防衛用電子機器で広く採用されています。2DEG（2次元電子ガス）による高電子移動度（>2000 cm²/V·s）が高周波・高出力を実現します。Wolfspeed（旧Cree）、Macom、Infineon、三菱電機が主要供給メーカーです。
GaN LEDはInGaN（インジウム窒化ガリウム）量子井戸構造から青色・緑色・白色光を発光し、高輝度LED照明・バックライト・ディスプレイの光源として不可欠です。1990年代の日亜化学工業（中村修二ら）による窒化ガリウム系青色LED発明はノーベル物理学賞（2014年）を受賞しており、技術的・社会的インパクトが大きい発明の一つです。
GaN製造にはMOCVD（有機金属気相成長）装置が不可欠で、Veeco InstrumentsとAIXTRONが主要メーカーです。GaN-on-Siウェハは大口径（200mm）化が進みコスト低減が期待されており、GaN-on-SiCはRF用途で高性能を維持しています。EV・データセンター・5G市場の成長に伴い、GaNデバイス市場は今後も高成長が見込まれています。