COMPANY DATABASE

Veeco Instruments

MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。

🌐 米国装置メーカー公式サイト

当サイトでの位置づけ

SemiraiのMOCVD・ALD成膜カテゴリでは、LED・パワーデバイス・先端ロジック向け薄膜エピタキシャル成長装置として参照されます。

企業の強み

MOCVD装置でグローバルトップシェア
MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
化合物半導体・LEDプロセスへの深い専門性

主要製品・ソリューション

MOCVD装置

  • EPIK
  • TurboDisc

MBE装置

  • GENxcelシリーズ

ALD装置

  • Fiji
  • Fiji G2

関連装置カテゴリ

エピタキシー装置(MOCVD/MBE)
化合物半導体装置
化合物半導体基板製造装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Veeco Instrumentsを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

ALDとは →CVDとは →サセプタとは →GaN-on-Si(シリコン上GaN)とは →サファイア基板とは →レーザアニールとは →

同じトピックの用語

イオン注入・熱処理・SiC・GaN・RF半導体製造・化合物基板(SiC・GaN・サファイア) のトピックで関連する用語です。

イオン注入とは →パワー半導体とは →PVT法(昇華法)とは →イオン注入とは →化合物半導体とは →SiCウェハ(炭化ケイ素基板)とは →アニール(熱処理)とは →エピタキシー(エピ成長)とは →

同じトピックの企業

Applied Materials米国Wolfspeed米国Axcelis Technologies米国日新イオン機器日本コヒレント(Coherent Corp.)米国住友重機械イオンテクノロジー日本

比較・違いを学ぶ

レーザーアニールとRTP(急速熱処理)の違い
RTP(Rapid Thermal Processing)はハロゲンランプで基板全体を数秒〜数十秒で1000°C以上に急速加熱するのに対し、レーザーアニール(L
SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・
GaN-on-SiとGaN-on-SiCの違い
GaNは自立基板が高価で入手性も限られるため、実用デバイスの多くは異種基板の上にGaN層をヘテロエピタキシャル成長させて作られます。その基板として競合するのがシ
イオン注入と熱拡散の違い(不純物導入プロセスの比較)
イオン注入(Ion Implantation)は不純物(ドーパント)をイオン化・加速して基板に物理的に打ち込む方法で、ドーズ量と加速エネルギーにより濃度と接合深
SiC MOSFETとIGBTの違い(EV・パワーエレクトロニクス比較)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ
スパイクアニールとフラッシュランプアニールの違い
イオン注入したドーパントを活性化するには高温が要りますが、高温に留まればドーパントが拡散して接合が深く広がってしまいます。この矛盾をどう解くかが活性化アニールの
Veeco Instruments 公式サイトへ

FOR COMPANIES

貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか?

無料プランからご利用いただけます。

掲載プランを見る →
← 企業一覧に戻る