Infineon Technologies

NORフラッシュは、メモリセルを並列に接続した不揮発性メモリで、任意のアドレスを高速に読み出せるのが特徴です。

SRAMは、フリップフロップ回路で情報を保持する揮発性メモリで、リフレッシュ動作が不要で非常に高速に読み書きできます。

次世代メモリは、DRAMとフラッシュの弱点を補うことを狙った新しい記憶方式のメモリの総称です。

マイコン（マイクロコントローラ、MCU）は、CPUコア・メモリ・タイマー・A/Dコンバータ・通信インタフェースなどを1チップにまとめた制御用の半導体です。

電源IC（PMIC：パワーマネジメントIC）は、バッテリーや電源から供給される電圧を、各回路が必要とする電圧に変換・安定化するICです。

パワーMOSFETは、ゲート電圧で大きな電流をオン・オフするスイッチング素子で、数十Vから数百Vまでの低〜中耐圧領域で最も広く使われるパワーデバイスです。

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの駆動しやすさとバイポーラトランジスタの大電流特性を組み合わせたパワーデバイスです。

SiCパワーデバイスは、シリコンの約3倍のバンドギャップを持つ炭化ケイ素（SiC）で作ったMOSFETやショットキーバリアダイオードです。

GaNパワーデバイスは、窒化ガリウム（GaN）で作った高電子移動度トランジスタ（HEMT）をスイッチング素子として使うパワーデバイスです。

MEMSセンサは、半導体の微細加工技術でシリコン上に可動する微小構造を作り、その動きや変形を電気信号として取り出すセンサです。

磁気センサは、磁界の強さや向きを検出して電気信号に変える半導体センサです。

パワー半導体製造装置は、IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFETなどのパワーデバイスを製造する装置群で、電力変換の効率・耐圧・耐熱性能を決定します。

イオン注入装置は、シリコンなどの半導体基板に不純物イオン（ボロン・リン・ヒ素など）を高エネルギーで打ち込み、トランジスタのソース・ドレイン・ウェル領域の導電型と濃度を精密に制御する前工程の基幹装置です。

成膜装置は、ウェハ表面に絶縁膜、導電膜、半導体膜などの薄膜を数百ナノメートルから原子レベルの厚さで形成する前工程の重要装置です。

化合物半導体製造装置は、GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体デバイス（パワー半導体・RF/マイクロ波デバイス・光デバイス）の製造に特化した装置群です。