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Infineon Technologies

欧州最大の半導体メーカー。パワー半導体(IGBT・SiC MOSFET)・マイコン・セキュリティICで世界トップクラス。車載・産業・IoT向けに強み。

🌐 ドイツIDM公式サイト

当サイトでの位置づけ

Semiraiのパワー半導体・車載カテゴリでは、IGBTとSiCパワーデバイスで世界トップシェアを持つドイツIDMとして、EV・産業用インバーターへの普及を背景に参照されます。

企業の強み

パワー半導体(IGBT・SiC)で世界シェア首位
車載マイコン(AURIX)・車載セキュリティICの業界標準
SiCパワーデバイスのEV・再エネ向け急成長

主要製品・ソリューション

パワー半導体

  • IGBT
  • SiC MOSFET
  • GaN

マイコン

  • AURIX(車載)
  • PSoC

セキュリティIC

  • TPM
  • SLE97

関連装置カテゴリ

パワー半導体製造装置
イオン注入装置
成膜装置
化合物半導体装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Infineon Technologiesを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

半導体製造プロセスとは →

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比較・違いを学ぶ

SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・
SiC MOSFETとIGBTの違い(EV・パワーエレクトロニクス比較)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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