当サイトでの位置づけ
国内のボンディング装置カテゴリでは、パワー半導体向けを含むワイヤ・ダイボンドの実装ニーズに応える製品群を持つメーカーとして一覧されます。
企業の強み
高精度ワイヤーボンディング技術
パワー半導体向け専用装置の開発力
日本国内での強固な顧客基盤
主要製品・ソリューション
ワイヤーボンディング装置
- •ボールボンダー
- •ウェッジボンダー
ダイボンディング装置
- •高精度ダイボンダー
関連装置カテゴリ
📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、新川を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
パッケージング のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
TSVとワイヤーボンドの違い｜接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV（Through Silicon Via、シリコン貫通電極）とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度…
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ（直径…
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止（モールド）工程には、金型内にEMC（エポキシモールドコンパウンド）を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する…
BGAとQFNの違い（パッケージ形式の比較）
BGAは底面全体にはんだボールを格子状に配置し数百〜数千のI/Oを確保する高ピン数向けパッケージ、QFNは側面リードを持たず底面周辺の露出パッドで接続する小型・…
SiPとSoCの違い（集積アプローチの比較）
SoCはCPU・GPU・メモリ・I/Oなどを単一のシリコンダイに集積するアプローチ、SiPは別々に作った複数のダイや受動部品を1つのパッケージ内に統合するアプロ…
WLCSPとFOWLPの違い（ウェハレベルパッケージングの比較）
WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型のウェハレベルパッケージ、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げて端子数を増やすファンアウト型です。いずれもパッ…
FOR COMPANIES
貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか？
無料プランからご利用いただけます。