計算ツール

露光解像度・焦点深度 計算ツール(レーリーの式)

最終更新:2026-08-03

要点

リソグラフィで到達できる最小解像度はレーリーの式 R = k₁ × λ / NA で決まり、焦点深度は DOF = k₂ × λ / NA² で決まります。解像度を上げるには波長λを短く、開口数NAを大きく、プロセス係数k₁を小さくすればよいのですが、NAを上げると焦点深度が2乗で浅くなるというトレードオフがあります。このツールはその関係を数値で確かめるためのものです。

入力

解像度 R = k₁λ/NA16.36nm
焦点深度 DOF = k₂λ/NA²61.98nm
到達可能なハーフピッチの目安16.4nm

k₁は解像度向上技術(OPC・位相シフトマスク・変形照明)の成熟度を表す係数で、単一露光の理論限界は0.25です。k₂は焦点深度の定義によって0.5前後の値が使われます。NAを上げると解像度は改善しますが、焦点深度はNAの2乗に反比例して浅くなる点に注意してください。

関連する用語

NA(開口数)NA (Numerical Aperture)レーリーの式(解像度・焦点深度)Rayleigh EquationEUV(極紫外線)EUV (Extreme Ultraviolet)EUV露光EUV Lithography Equipment液浸露光(ArF液浸リソグラフィ)Immersion Lithography (ArFi)ArF(フッ化アルゴン露光)ArF (Argon Fluoride Lithography)KrF(フッ化クリプトン露光)KrF (Krypton Fluoride Lithography)DUV(深紫外線)DUV (Deep Ultraviolet)レジスト(フォトレジスト)Resist (Photoresist)位相シフトマスク(PSM)Phase Shift Mask

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