内蔵電位（ないぞうでんい）とは、pn接合や金属-半導体接合の空乏層に自然に生じる電位差（電位障壁）のことです。ビルトインポテンシャル・拡散電位とも呼ばれ、外部電圧をかけていない熱平衡状態でも存在し、キャリアの拡散を止める障壁として働きます。
pn接合ではn側の電子とp側の正孔が拡散・再結合し、界面に取り残された不純物イオンが電界を作ります。この電界がキャリアのさらなる拡散を妨げる方向に働き、拡散がちょうど止まったときの電位差が内蔵電位です。シリコンのpn接合では約0.6〜0.7V、ゲルマニウムで約0.3V、GaNなどワイドギャップ半導体ではさらに大きくなります。
エネルギーバンド図では、内蔵電位は空乏層でバンドが曲がる高低差qVbiとして現れます。順方向電圧を加えると障壁がq(Vbi−V)まで下がって電流が流れ始め、逆方向電圧では障壁が高くなって電流を遮断します。ダイオードの順方向立ち上がり電圧やトランジスタの動作点は、この内蔵電位を基準に決まります。