チャネル長変調（チャネルちょうへんちょう）とは、MOSFETの飽和領域において、ドレイン電圧を上げるとドレイン電流がわずかに増加し続ける現象です。理想的には飽和領域で電流は一定になるはずですが、実際には有限の傾きを持ち、この効果がアナログ回路の出力抵抗を決めます。
MOSFETの飽和領域では、ドレイン近傍のチャネルがピンチオフして空乏化します。ドレイン電圧をさらに上げると、このピンチオフ点がソース側へ後退し、実効的なチャネル長が短くなります。チャネルが短くなると電流が増えるため、飽和領域でも電流がドレイン電圧とともに緩やかに増加します。
チャネル長変調は、チャネル長が短いトランジスタほど顕著になり、短チャネル効果の一つとして扱われます。アナログ回路では出力抵抗の低下・利得の減少を招くため、長めのチャネルを使うなどの対策がとられます。回路シミュレーションでは、この効果はチャネル長変調係数λとしてモデル化されます。