キンク効果（キンクこうか）とは、主にSOI（Silicon on Insulator）基板上のMOSFETで見られる、ドレイン電流-電圧特性の飽和領域で電流が段差状に急増する現象です。特性曲線に折れ曲がり（kink）が現れることからこう呼ばれ、SOIデバイス特有の課題として知られます。
原因はボディ（チャネル下の中性領域）に生じる電位の浮きです。ドレイン電圧が高くなると、チャネル端で衝突電離によって正孔が発生します。SOIでは埋め込み酸化膜によりボディが電気的に孤立しているため、この正孔がボディに溜まってボディ電位を押し上げ、実効的なしきい値電圧が下がってドレイン電流が段差状に増加します。
キンク効果はアナログ回路の線形性やデジタル回路の動作余裕を損なうため、対策が必要です。ボディコンタクトを設けて溜まった正孔を逃がす方法や、完全空乏型SOI（FD-SOI）を採用してボディに正孔が溜まらないようにする方法が使われます。なお「キンク」は他分野でも使われる語ですが、半導体では本現象を指します。