電子親和力（でんししんわりょく）とは、半導体において伝導帯の底（Ec）から真空準位までのエネルギー差を指し、伝導帯の電子を真空中へ取り出すのに必要なエネルギーを表します。単位はeVで、記号χ（カイ）で表されることが多く、ヘテロ接合やMOS界面の設計に不可欠な物性値です。
異なる半導体を接合するヘテロ接合では、両材料の電子親和力とバンドギャップの差から、界面における伝導帯・価電子帯のバンド不連続（バンドオフセット）が決まります。これはHEMTや化合物半導体レーザ、太陽電池のバンド設計を左右します。
MOS構造では、半導体の電子親和力とゲート絶縁膜の電子親和力の差が、界面の障壁高さを決めます。High-k絶縁膜の選定では、リーク電流を抑えるために十分な伝導帯オフセットが得られるよう、電子親和力が重要な選択基準となります。
