ミラー指数（ミラーしすう）とは、結晶中の面や方向を表すために用いられる、3つの整数の組による表記法です。結晶面は(100)・(110)・(111)のように丸括弧で、結晶方向は[100]のように角括弧で表します。半導体ウェハの面方位を指定する標準的な方法です。
結晶面のミラー指数は、その面が結晶軸を横切る切片の逆数を整数比に直して求めます。シリコンの代表的な面には(100)面・(110)面・(111)面があり、それぞれ原子密度や結合の向きが異なります。負の切片はバー付きの数字で表します。
ミラー指数はデバイス製造に直結します。現在のCMOSロジックは主に(100)面ウェハを使い、界面準位が少なく良質なゲート酸化膜が得られます。一方、正孔移動度を高めるために(110)面を使う例や、パワー半導体・MEMSで異方性エッチングに(111)面を活用する例もあります。