最終更新 2026-10-19

ミラー指数とは

Miller Index

目次6項目

定義・解説

ミラー指数（ミラーしすう）とは、結晶中の面や方向を表すために用いられる、3つの整数の組による表記法です。結晶面は(100)・(110)・(111)のように丸括弧で、結晶方向は[100]のように角括弧で表します。半導体ウェハの面方位を指定する標準的な方法です。

結晶面のミラー指数は、その面が結晶軸を横切る切片の逆数を整数比に直して求めます。シリコンの代表的な面には(100)面・(110)面・(111)面があり、それぞれ原子密度や結合の向きが異なります。負の切片はバー付きの数字で表します。

ミラー指数はデバイス製造に直結します。現在のCMOSロジックは主に(100)面ウェハを使い、界面準位が少なく良質なゲート酸化膜が得られます。一方、正孔移動度を高めるために(110)面を使う例や、パワー半導体・MEMSで異方性エッチングに(111)面を活用する例もあります。

ミラー指数とは何ですか？

結晶中の面や方向を3つの整数で表す表記法です。結晶面は(100)のように丸括弧、結晶方向は[100]のように角括弧で表し、半導体ウェハの面方位の指定に使われます。

ミラー指数はどうやって求めますか？

対象の結晶面が各結晶軸を横切る切片を求め、その逆数をとって整数比に直します。得られた整数の組を丸括弧で囲んで(hkl)と表記します。負の切片は数字の上にバーを付けて表します。

(100)面と(111)面はどう使い分けますか？

現在のCMOSは界面準位が少なく良質な酸化膜が得られる(100)面が主流です。(111)面は異方性エッチングでV溝や垂直壁を形成できるためMEMSやパワー半導体で活用され、正孔移動度を高める目的で(110)面が使われることもあります。

半導体物理・結晶の基礎のトピックで関連する用語です。