面方位（めんほうい）とは、シリコンウェハの表面がどの結晶面に沿って切り出されているかを示すもので、ミラー指数を使って(100)面・(110)面・(111)面などと表されます。ウェハ結晶方位・結晶面とも呼ばれ、デバイス特性を左右する重要な仕様です。
面方位が異なると、表面の原子密度、酸化速度、エッチング速度、キャリア移動度が変わります。現在の先端ロジックとメモリは主に(100)面ウェハを使用します。これは(100)面でシリコンと酸化膜の界面準位密度が最も低く、高品質なMOS界面が得られるためです。
ウェハには面方位や導電型を示すためにオリエンテーションフラット（ノッチ）が付けられています。また、(111)面は結晶面に沿った異方性エッチングでV溝や垂直壁を形成できるため、MEMSやパワーデバイスで活用されます。面方位の選択は、性能・歩留まり・加工性を総合的に判断して決められます。