5nmプロセスメーカー3社
5nmプロセスは、2020年前後に量産が始まったFinFET技術の成熟世代で、TSMCのN5・SamsungのEUV 5nmが代表的です。EUVリソグラフィを本格量産に初めて大規模投入した世代として半導体製造史上の転換点となっており、ウェハあたりのトランジスタ密度が7nmから約1.7倍に向上しました。Apple M1・A14 Bionicなどの主力プロセッサに使用され、スマートフォン・データセンター向けSoCの中心世代として長期間供給されています。
主要特徴
よくある質問
5nmと3nmプロセスでは何が変わりますか？▾
5nmプロセスのウェハコストはどのくらいですか？▾
メーカー
3社の主要メーカー
世界最大の半導体ファウンドリ。3nm、5nm、7nmなど最先端プロセスノードで業界をリード。Apple、NVIDIA、AMDなど主要ファブレス企業の製造パートナー。
- •ファウンドリ市場シェア約60%の圧倒的トップポジション
- •3nm/5nm最先端プロセスの量産化リーダー
世界最大のメモリメーカーであり、先端ロジックファウンドリでもあるIDM。DRAM・NANDフラッシュで市場をリードし、3nmプロセスでTSMCと競合。
- •DRAM市場シェア約43%、NANDフラッシュ約33%の世界トップ
- •メモリとロジックの両方を製造するIDM（垂直統合）
世界最大のCPUメーカー。従来はIDMとして自社プロセスでCPUを製造してきたが、Intel Foundry Servicesを設立しファウンドリ事業にも参入。Intel 18A（1.8nm相当）など先端プロセス開発を推進。
- •x86アーキテクチャCPUで長年のマーケットリーダー
- •Intel 4（7nm相当）、Intel 3、Intel 18A（1.8nm相当）など独自プロセス開発
同じ分野の装置カテゴリ
2nmプロセスは、TSMCのN2（2025年量産予定）・IntelのIntel 20A/18A・SamsungのSF2などで代表される次世代先端半導体プロセスです。
メーカー 4 社3nmプロセス3nmプロセスは、業界標準の「プロセスノード」命名で3nmと呼ばれる先端半導体製造技術世代を指し、実際のトランジスタゲート寸法は10nm台ですが、性能・密度・電力効率の観点で前世代（5nm）から大幅な改善を実現します。
メーカー 4 社DRAM製造プロセスDRAM製造プロセスは、揮発性メモリDRAM（Dynamic Random Access Memory）を製造するための半導体製造技術です。
メーカー 7 社GAAプロセスGAAプロセス（Gate-All-Around Process）は、ゲート電極がトランジスタチャネルの四方を完全に囲む構造（GAA：Gate-All-Around）を形成するための製造プロセス技術です。
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メーカー 15 社メモリプロセスメモリプロセスは、DRAM・NAND Flash・NOR Flashなどのメモリデバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称です。
メーカー 6 社ミニマルファブミニマルファブは、直径0.5インチのミニマルウェハと局所クリーン化技術を用い、クリーンルームを使わずに半導体を製造する少量多品種向けの生産方式です。
メーカー 8 社NAND製造プロセスNAND Flash製造プロセスは、不揮発性メモリNAND Flashを製造するための半導体技術です。
メーカー 7 社