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メモリプロセスメーカー6社

メモリプロセスは、DRAM・NAND Flash・NOR Flashなどのメモリデバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称です。ロジックプロセスと異なり、同一セル構造の超高密度繰り返しパターンを低コストで製造することを最優先とします。DRAMでは1T1C（1トランジスタ+1キャパシタ）セルの容量最大化、3D NANDでは層数増加（200層超）とセル密度の向上が現在の主要課題であり、専用のエッチング・成膜・熱処理装置が多用されます。

メーカー 6 社関連カテゴリ 7 件

主要特徴

DRAM・3D NAND・NOR Flashなどメモリデバイス専用のプロセス技術
高密度セルの繰り返しパターン形成を低コストで実現することを最優先
DRAMはARMセル容量確保のため超高アスペクト比キャパシタエッチングが重要
3D NANDは200層超の多層スタックを一括エッチングする高選択比エッチャーが不可欠
SK Hynix・Samsung・Micronがメモリプロセスの3大メーカー

よくある質問

3D NANDの層数が増えると製造がなぜ難しくなりますか？▾
層数が増えると、すべての層を貫通する高アスペクト比チャネルホール（直径100nm以下・深さ数μm以上）の一括エッチングが困難になります。深いほどイオンが底に届きにくく、側壁の傾きやテーパーが発生するため、ガス・電力・圧力の精密制御が必要です。
メモリプロセスにおける主要装置メーカーは？▾
Lam Research（3D NANDエッチャー・成膜）、Applied Materials（CVD・CMP）、Tokyo Electron（成膜・洗浄）が三大サプライヤーです。DRAM超高アスペクト比エッチングはLam Research、KLA（検査）も欠かせません。

メーカー

6社の主要メーカー

Samsung Electronics（サムスン電子）韓国

世界最大のメモリメーカーであり、先端ロジックファウンドリでもあるIDM。DRAM・NANDフラッシュで市場をリードし、3nmプロセスでTSMCと競合。

メモリ
DRAMNANDフラッシュHBM（高帯域メモリ）
ロジックファウンドリ
3nmプロセス5nmプロセスExynos SoC
  • •DRAM市場シェア約43%、NANDフラッシュ約33%の世界トップ
  • •メモリとロジックの両方を製造するIDM（垂直統合）
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SK hynix（SKハイニックス）韓国

世界第2位のDRAMメーカー、第3位のNANDフラッシュメーカー。AI/HPC向けHBM（高帯域メモリ）で業界をリード。

メモリ
DRAMHBM3/HBM3ENANDフラッシュ
  • •DRAM市場シェア約28%の世界第2位
  • •HBM（高帯域メモリ）で技術リーダーシップ
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Micron Technology（マイクロン）米国

米国最大のメモリメーカー。DRAM、NANDフラッシュの両方を製造し、データセンター、自動車、産業用途に強み。

メモリ
DRAMNANDフラッシュ3D XPoint（開発終了）
  • •DRAM市場シェア約23%の世界第3位
  • •米国唯一の大手メモリメーカー
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東京エレクトロン（TEL）日本

世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。

塗布現像装置
CLEAN TRACK ACTCLEAN TRACK LITHIUS
エッチング装置
TactrasCertas
成膜装置
EpisodeTriase+TELINDY PLUS
  • •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
  • •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
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Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
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キオクシア（Kioxia）日本

旧東芝メモリ。NAND型フラッシュメモリの発明企業として世界第2位のシェアを持つ。BiCS FLASH（3D NAND）技術でスマホ・SSD・データセンター向けに供給。

NANDフラッシュ
BiCS FLASH 3D NANDUFSeMMC
SSD
エンタープライズSSDクライアントSSD
  • •NAND型フラッシュメモリの発明企業（1987年東芝）
  • •BiCS FLASH（3D NAND）で世界第2位のシェア
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関連カテゴリ

2nmプロセス→
3nmプロセス→
5nmプロセス→
DRAM製造プロセス→
GAAプロセス→
ロジックプロセス→
NAND製造プロセス→

関連用語

メモリプロセスとは →HBM（高帯域幅メモリ）とは →DRAMとは →NAND型フラッシュメモリとは →先端パッケージングとは →GDDR6メモリとは →DDR4メモリとは →LPDDR5メモリとは →DDR5（第5世代SDRAM）とは →SRAM（静的RAM）とは →MRAM（磁気抵抗RAM）とは →3D NANDとは →

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