3nmプロセスメーカー4社
3nmプロセスは、業界標準の「プロセスノード」命名で3nmと呼ばれる先端半導体製造技術世代を指し、実際のトランジスタゲート寸法は10nm台ですが、性能・密度・電力効率の観点で前世代（5nm）から大幅な改善を実現します。GAA（ゲート・オール・アラウンド）ナノシートトランジスタへの移行、EUVリソグラフィの多用、ハイNA EUVの導入検討など、製造装置・材料の観点でも大きな転換点となる世代です。TSMCとSamsungが競合する最前線世代です。
主要特徴
よくある質問
3nmプロセスを量産しているのはどのファブですか？▾
3nmのGAA導入でどの装置が最も影響を受けますか？▾
メーカー
4社の主要メーカー
世界最大の半導体ファウンドリ。3nm、5nm、7nmなど最先端プロセスノードで業界をリード。Apple、NVIDIA、AMDなど主要ファブレス企業の製造パートナー。
- •ファウンドリ市場シェア約60%の圧倒的トップポジション
- •3nm/5nm最先端プロセスの量産化リーダー
世界最大のメモリメーカーであり、先端ロジックファウンドリでもあるIDM。DRAM・NANDフラッシュで市場をリードし、3nmプロセスでTSMCと競合。
- •DRAM市場シェア約43%、NANDフラッシュ約33%の世界トップ
- •メモリとロジックの両方を製造するIDM（垂直統合）
世界最大のCPUメーカー。従来はIDMとして自社プロセスでCPUを製造してきたが、Intel Foundry Servicesを設立しファウンドリ事業にも参入。Intel 18A（1.8nm相当）など先端プロセス開発を推進。
- •x86アーキテクチャCPUで長年のマーケットリーダー
- •Intel 4（7nm相当）、Intel 3、Intel 18A（1.8nm相当）など独自プロセス開発
トヨタ・ソニー・NTT等8社が出資して2022年設立の日本の最先端ファウンドリ。北海道千歳に工場建設中で2nm世代チップの量産を2027年に目指す。
- •2nm世代ロジック半導体の国産量産を目標
- •IBM・imecとの技術提携による先端プロセス開発
同じ分野の装置カテゴリ
2nmプロセスは、TSMCのN2（2025年量産予定）・IntelのIntel 20A/18A・SamsungのSF2などで代表される次世代先端半導体プロセスです。
メーカー 4 社5nmプロセス5nmプロセスは、2020年前後に量産が始まったFinFET技術の成熟世代で、TSMCのN5・SamsungのEUV 5nmが代表的です。
メーカー 3 社DRAM製造プロセスDRAM製造プロセスは、揮発性メモリDRAM（Dynamic Random Access Memory）を製造するための半導体製造技術です。
メーカー 7 社GAAプロセスGAAプロセス（Gate-All-Around Process）は、ゲート電極がトランジスタチャネルの四方を完全に囲む構造（GAA：Gate-All-Around）を形成するための製造プロセス技術です。
メーカー 8 社ロジックプロセスロジックプロセスは、CPU・GPU・FPGA・SoCなどの演算・制御デバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称で、高速トランジスタスイッチング・低消費電力・高集積度を最優先に設計されます。
メーカー 15 社メモリプロセスメモリプロセスは、DRAM・NAND Flash・NOR Flashなどのメモリデバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称です。
メーカー 6 社ミニマルファブミニマルファブは、直径0.5インチのミニマルウェハと局所クリーン化技術を用い、クリーンルームを使わずに半導体を製造する少量多品種向けの生産方式です。
メーカー 8 社NAND製造プロセスNAND Flash製造プロセスは、不揮発性メモリNAND Flashを製造するための半導体技術です。
メーカー 7 社