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3nmプロセスメーカー4社
3nmプロセスは、業界標準の「プロセスノード」命名で3nmと呼ばれる先端半導体製造技術世代を指し、実際のトランジスタゲート寸法は10nm台ですが、性能・密度・電力効率の観点で前世代（5nm）から大幅な改善を実現します。GAA（ゲート・オール・アラウンド）ナノシートトランジスタへの移行、EUVリソグラフィの多用、ハイNA EUVの導入検討など、製造装置・材料の観点でも大きな転換点となる世代です。TSMCとSamsungが競合する最前線世代です。
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主要特徴
3nm世代ではFinFETからGAA（ナノシート）トランジスタへ移行
EUVリソグラフィが多くのクリティカル層に適用され露光工程が高度化
前世代比でトランジスタ密度約1.7倍・電力効率30〜40%向上が目標
TSMCはN3E・N3P、SamsungはSF3など複数の3nmバリアントを提供
製造コストはウェハ1枚あたり$20,000超とされ、歩留まり管理が急務
よくある質問
メーカー
4社の主要メーカー
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比較・違いを学ぶ
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