DUV（Deep Ultraviolet）露光装置は、ArF（193nm）またはKrF（248nm）レーザーを光源とする露光装置です。液浸露光（Immersion）技術とマルチパターニングを組み合わせることで、7nmノード以降のプロセスでも使用されています。EUV装置よりも低コストで信頼性が高く、現在も量産の主力装置として広く使われています。
ASMLのTwinscan NXT、ニコンのNSR-S635Eなどが代表的な機種です。DUVとEUVを組み合わせたハイブリッド露光戦略が現在の先端ファブでは一般的です。
DUVはArF液浸（ArFi）とマルチパターニング（SADP/SAQP）を組み合わせることで、20nm以下の層にも対応できます。EUV導入後も、露光工程の大部分を占める非クリティカル層や、成熟ノードのロジック・アナログ・パワー半導体で主力として使われ続けています。
装置価格はEUVの数分の一で中古市場も豊富なため、コスト効率に優れます。ArF（193nm）とKrF（248nm）を層の要求精度に応じて使い分け、先端ファブではEUVと組み合わせたハイブリッド運用が一般的です。ASML・ニコン・キヤノンが主要メーカーです。