COMPANY DATABASE

SK hynix(SKハイニックス)

世界第2位のDRAMメーカー、第3位のNANDフラッシュメーカー。AI/HPC向けHBM(高帯域メモリ)で業界をリード。

🌐 韓国IDM公式サイト

当サイトでの位置づけ

HBM・DRAM 等の用語説明とセットで、メモリ製造の需要側として言及されやすく、後工程の実装トレンド(AI 向けメモリ)とも関連付けられます。

企業の強み

DRAM市場シェア約28%の世界第2位
HBM(高帯域メモリ)で技術リーダーシップ
AI/データセンター向けメモリで急成長

主要製品・ソリューション

メモリ

  • DRAM
  • HBM3/HBM3E
  • NANDフラッシュ

関連装置カテゴリ

EUV露光装置
成膜装置(CVD/ALD)
エッチング装置
DRAM製造装置
NAND製造装置
先端パッケージング装置(HBM)

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、SK hynix(SKハイニックス)を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

メモリプロセスとは →NAND製造プロセスとは →DRAM製造プロセスとは →

同じトピックの用語

メモリ半導体 のトピックで関連する用語です。

HBM(高帯域幅メモリ)とは →DRAM(ダイナミックRAM)とは →NANDフラッシュメモリとは →先進パッケージングとは →GDDR6メモリとは →DDR4メモリとは →LPDDR5メモリとは →DDR5(第5世代SDRAM)とは →

同じトピックの企業

アドバンテスト日本Samsung Electronics(サムスン電子)韓国Micron Technology(マイクロン)米国キオクシア(Kioxia)日本

比較・違いを学ぶ

NANDとDRAMの違いとは|速度・用途・製造プロセスを徹底比較
NANDフラッシュとDRAMはどちらも「半導体メモリ」ですが、役割・仕組み・用途が大きく異なります。DRAMは電源を切るとデータが消える揮発性メモリで、CPUの
ロジックプロセスとメモリプロセスの違い
ロジックプロセスはCPU・GPU・SoCなど演算・制御回路を製造するプロセスで、トランジスタ性能と集積度の最大化が目標です。メモリプロセスはDRAMやNAND
HBM2EとHBM3の違い(世代別スペック比較)
HBM(High Bandwidth Memory)はDRAMを縦に積層しTSV(Through-Silicon Via)で接続した超高帯域メモリです。AI学習
HBM3E vs HBM4:AI GPU向け高帯域幅メモリの世代比較
HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)は2024〜2025年のAI GPU主流世代(NVIDIA H200・B200搭載)、HBM4は2
HBMとGDDR6の違い(AI GPU向けメモリ比較)
HBM(High Bandwidth Memory)とGDDR6(Graphics Double Data Rate 6)はいずれもGPU向け高速メモリですが、
DDR4とDDR5の違い(速度・電圧・互換性の比較)
DDR4は2014年に登場し、Intel第6世代(Skylake)から普及したメモリ規格です。DDR5は2021年にIntel Alder Lake(第12世代
SK hynix(SKハイニックス) 公式サイトへ

FOR COMPANIES

貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか?

無料プランからご利用いただけます。

掲載プランを見る →
← 企業一覧に戻る