SK hynix（SKハイニックス）

DRAMは、キャパシタに蓄えた電荷の有無で情報を記憶する揮発性メモリで、PCやサーバー、スマートフォンの主記憶に使われます。

NANDフラッシュは、電源を切ってもデータを保持する不揮発性メモリで、SSD・スマートフォン・メモリカードのストレージに使われます。

EUV露光装置（Extreme Ultraviolet Lithography）は、波長13.5nmの極端紫外線を使用してウェハ上に超微細回路パターンを転写する露光装置です。

成膜装置は、ウェハ表面に絶縁膜、導電膜、半導体膜などの薄膜を数百ナノメートルから原子レベルの厚さで形成する前工程の重要装置です。

エッチング装置は、ウェハ上の薄膜から不要な部分を除去し、微細な回路パターンを形成する前工程の中核装置です。

DRAM製造プロセスは、揮発性メモリDRAM（Dynamic Random Access Memory）を製造するための半導体製造技術です。

NAND Flash製造プロセスは、不揮発性メモリNAND Flashを製造するための半導体技術です。

先端パッケージング装置は、複数のチップ（ダイ）を3次元的に積層・統合し、従来のワイヤボンドやフリップチップを超える高密度・高帯域幅接続を実現する後工程装置群です。