Samsung Electronics（サムスン電子）

DRAMは、キャパシタに蓄えた電荷の有無で情報を記憶する揮発性メモリで、PCやサーバー、スマートフォンの主記憶に使われます。

NANDフラッシュは、電源を切ってもデータを保持する不揮発性メモリで、SSD・スマートフォン・メモリカードのストレージに使われます。

次世代メモリは、DRAMとフラッシュの弱点を補うことを狙った新しい記憶方式のメモリの総称です。

ディスプレイドライバIC（DDI）は、液晶や有機ELパネルの画素に電圧を与えて画像を表示させるICです。

イメージセンサは、レンズを通った光を画素ごとに電気信号へ変換し、画像として取り出す半導体デバイスです。

EUV露光装置（Extreme Ultraviolet Lithography）は、波長13.5nmの極端紫外線を使用してウェハ上に超微細回路パターンを転写する露光装置です。

成膜装置は、ウェハ表面に絶縁膜、導電膜、半導体膜などの薄膜を数百ナノメートルから原子レベルの厚さで形成する前工程の重要装置です。

エッチング装置は、ウェハ上の薄膜から不要な部分を除去し、微細な回路パターンを形成する前工程の中核装置です。

CMP（Chemical Mechanical Planarization：化学機械研磨）装置は、化学的作用と機械的研磨を組み合わせてウェハ表面の凹凸をナノメートル単位まで平坦化する前工程の中核装置です。

先端パッケージング装置は、複数のチップ（ダイ）を3次元的に積層・統合し、従来のワイヤボンドやフリップチップを超える高密度・高帯域幅接続を実現する後工程装置群です。

メモリプロセスは、DRAM・NAND Flash・NOR Flashなどのメモリデバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称です。