アクティニック検査（Actinic Mask Inspection）とは、EUV（極端紫外線）リソグラフィーに使用されるEUVフォトマスクを、実際の露光波長と同じEUV光（13.5nm）を用いて検査する技術である。「アクティニック（actinic）」とは露光に使用される波長帯域の光を意味する。従来の深紫外光（DUV：193nm）を使った検査では、EUVマスク上の欠陥がEUV露光時にウェーハに転写されるかどうかを正確に予測できないため、同じ波長での検査が必要とされる。
EUVマスクは多層反射膜（Mo/Si交互積層膜）上に吸収体パターンを形成した反射型構造を持つ。この多層膜内部の位相欠陥（Phase Defect）はDUV光では検出困難であるが、EUV光では位相差が生じて転写される危険性がある。アクティニック検査はこうしたEUV特有の欠陥（位相欠陥・振幅欠陥）の検出精度が飛躍的に高い。
アクティニック検査装置の開発はASMLが中心的な役割を果たしており、EUV光源を使ったマスク検査システム（AIMS EUV）を量産ラインに展開している。また、カール・ツァイスのEUV顕微鏡技術も使われている。検査スループットの向上（現状は1枚数時間〜数十時間）と検出感度の両立が商用化の課題となっている。
EUVマスクの欠陥管理フローとして、製造後のブランクス検査（Mask Blank Inspection）、パターン形成後の検査（Patterned Mask Inspection）、露光後のウェーハ上欠陥評価（After Etch Inspection）という一連のチェーンが確立されている。特に、マスクブランクスの位相欠陥は修正不可能なものが多く、ブランクス段階での高精度選別が歩留まりに直結する。
High-NA EUV（NA=0.55）への移行では、より小さなマスクフィールドサイズと新しいアナモルフィック光学系への対応が求められ、アクティニック検査装置もHigh-NA EUV対応版への更新が必要となる。JSRや東京応化（TOK）はEUVマスク用材料（ペリクル、レジスト）を供給しており、アクティニック検査との連携でマスク品質管理体制を支えている。