JSR

フォトレジスト・半導体材料の世界的大手。ArFi/EUVレジストのほか、CMPスラリー・洗浄液も展開。2023年に産業革新投資機構(JIC)が株式取得。

日本・材料・公式サイト ↗

当サイトでの位置づけ

Semiraiのフォトレジスト・半導体材料カテゴリでは、ArF液浸・EUV向けレジストで世界トップクラスのシェアを持つ日本の半導体材料リーダーとして参照されます。

企業の強み

ArF液浸・EUVフォトレジストで世界首位級のシェア
CMPスラリー・研磨材料の総合半導体材料メーカー
半導体・ライフサイエンス領域への集中戦略

主要製品・ソリューション

フォトレジスト

  • •ArFiレジスト
  • •EUVレジスト
  • •i線レジスト

CMPスラリー

  • •酸化膜用スラリー
  • •メタル用スラリー

JSRの製品

関連装置カテゴリ

半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、JSRを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
→

関連用語

同じトピックの用語

パターニング・マスク・レジスト のトピックで関連する用語です。

同じトピックの企業

ニューフレアテクノロジー日本HOYA日本AGC(旭硝子)日本レーザーテック日本大日本印刷(DNP)日本TOPPANホールディングス(Toppan)日本

比較・違いを学ぶ

シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。…
→
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部…
→
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E…
→
EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が…
→
化学増幅型レジストとメタルオキサイドレジストの違い
EUV露光の微細化が進むにつれて、レジストの材料が大きな課題になっています。長く主流だった化学増幅型レジストに対し、金属の酸化物を使うメタルオキサイドレジストが…
→
公式サイトへ

JSR のご担当者様へ

このページの掲載内容を貴社で管理できます(企業ページの認領)。情報の修正は無料、詳細掲載や資料掲載は有料プランでご利用いただけます。

無料掲載¥0
掲載内容の修正依頼
スタンダード¥5,000/月
詳細掲載・PDF資料・月次レポート
プレミアム¥30,000〜/月
上位表示・ロゴ掲載・引き合い件数

※ 税別。有料プランは最低3ヶ月から。 プランの詳細を見る

← 企業一覧に戻る