NOR型フラッシュメモリとは、フラッシュメモリの一種で、メモリセルを並列（NOR接続）で配置することでランダムアクセス（バイト単位の直接読み出し）が可能なメモリです。NANDフラッシュと比べて容量・コストの面では劣りますが、XIP（eXecute In Place：メモリ上で直接プログラムを実行）が可能な点が最大の特徴です。この特性からマイコンのブートコード格納・BIOS/ファームウェア記憶・車載ECUプログラム保存に広く使われています。
NORフラッシュとNANDフラッシュの主な違いを整理します。アクセス方式：NORはランダムアクセス可能（XIP対応）・NANDはページ単位のシーケンシャルアクセス。読み出し速度：NORが高速（30〜50ns）・NANDは低速（マイクロ秒オーダー）。容量・コスト：NANDが圧倒的に高集積・低コスト。消去単位：NORはセクタ（64KB〜）・NANDはブロック（256KB〜）。用途：NORはコード格納・ブートデバイス、NANDはデータストレージ（SSD・スマホストレージ）。
NORフラッシュの主要市場は車載・産業機器・IoTです。自動車1台あたりのNORフラッシュ搭載量は増加しており、ADAS（先進運転支援システム）のECUブートに高速・高信頼NORが必要です。車載グレードNOR（AEC-Q100準拠・-40〜125℃動作・長期供給保証）はWinbond・Macronix・Microchip・Spansion（現Infineon）が供給し、汎用NANDとは異なる安定市場を形成しています。
NORフラッシュの製造技術はNANDほど微細化競争が激しくなく、55nm〜28nmの成熟プロセスが主流です。1セルが1bitのSLCが信頼性要求の高い用途では標準で、書き換え回数はNAND TLCの数百〜1000回に対してNORは10万回以上を保証します。製造装置としてはDUV露光装置（i線・KrF）・CVD・イオン注入が中心で、先端EUV装置は不要なため設備投資コストが抑えられています。
NORフラッシュ市場の注目点はAI on Deviceの進展です。エッジAIデバイスではFPGAやMCUのブートシーケンスにNORが使われるほか、AIモデルの差分更新（Over-the-Air：OTA）のための高書き換え耐久NORが求められています。また組み込みNOR（eNOR）として先端ロジックプロセスに統合するアプローチも研究されており、IoT向けSoCの単一チップ化に貢献しています。