SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

金属エッチャーメーカー3

メタルエッチャーは、アルミニウム・タングステン・チタン・コバルト・ルテニウムなどの金属配線・バリアメタル層をプラズマで精密に除去する専用ドライエッチング装置です。金属特有の腐食性ガス(塩素系・フッ素系)を使用するため、装置材料の耐腐食性設計と副生成物の確実な排気処理が重要です。先端ロジックの多層配線工程やメモリの金属ゲート形成に不可欠な装置です。

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主要特徴

Al・W・Ti・Co・Ruなど多様な金属薄膜を高精度でエッチング
塩素系・フッ素系腐食性ガスを用いるため装置の耐腐食設計が重要
副生成物(金属塩化物など)の効率的除去が装置設計の課題
先端ロジックの多層Cu/低誘電率配線工程に広く採用
残渣ゼロと高アスペクト比加工の両立が製品差別化のポイント

よくある質問

メタルエッチャーが難しい理由は何ですか?
金属材料は腐食性ガスとの反応副生成物が揮発しにくく、チャンバ内に残渣が堆積しやすいため、安定したエッチング速度の維持と残渣管理が難しいです。また塩素系ガスは装置部品を腐食するため、高耐久材料の採用が必須です。
主要装置メーカーは?
Lam Research(米)とApplied Materials(米)が主要サプライヤーで、Tokyo Electron(日)も金属エッチャーを提供しています。

代表製品・スペック

製品写真
東京エレクトロン(TEL)
Tactras Metal

タングステン・チタン・銅などの金属配線エッチング専用。腐食対策機構を内蔵。

対応ウェハ径300 mm
主要用途W・TiN・TaN・Al配線エッチング
プラズマ方式CCP
腐食防止in-situパッシベーション機能搭載
エッチング均一性±1.5% 以内
製品写真
Lam Research
Kiyo Metal

金属ゲート・バリアメタルのエッチングに特化。High-kメタルゲートプロセスに対応。

対応ウェハ径300 mm
主要用途High-kメタルゲート・コンタクトW埋め込み
プラズマ方式ICP
選択比金属/Low-k > 20:1
残渣制御インシチュクリーニング対応
Lam Research の企業情報を見る →
製品写真
Applied Materials
Centris Metal

Centrisプラットフォームの金属エッチングモジュール。TiN・TaN・Wのパターニングに対応。

対応ウェハ径300 mm
主要用途バリアメタル・ゲートメタルエッチング
プラズマ方式CCP
チャンバー構成ツインチャンバー
スループット最大 30 WPH
Applied Materials の企業情報を見る →

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

3社の主要メーカー

東京エレクトロン(TEL)日本

世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。

塗布現像装置
CLEAN TRACK ACTCLEAN TRACK LITHIUS
エッチング装置
TactrasCertas
成膜装置
EpisodeTriase+TELINDY PLUS
  • コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
  • 塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
Lam Research米国

エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。

エッチング装置
KiyoFlexVantexAkara
成膜装置
デポジションシステム
洗浄装置
ウェーハ洗浄装置
  • エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
  • 原子層エッチング(ALE)技術における技術リーダーシップ
Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • 世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • 成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ

関連カテゴリ

ドライエッチング装置
材料別エッチャー
酸化膜エッチャー
ポリシリコンエッチャー
シリコンエッチャー
ウェットエッチング装置

関連用語

ドライエッチングとは →ウェットエッチングとは →エッチングとは →エッチバックとは →RIE(反応性イオンエッチング)とは →ALE(原子層エッチング)とは →

比較・違いを学ぶ

ドライエッチングとウェットエッチングの違い
ドライエッチングは真空プロセスでイオン・ラジカルを利用し、異方性エッチングがしやすいのが特長です。ウェットエッチングは液相で均一かつ高選択比な除去が可能な場合が
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