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ポリシリコンエッチャーメーカー3社

ポリシリコンエッチャーは、ゲート電極・ハードマスク・電極材として広く使われるポリシリコン膜を塩素系・臭素系プラズマで精密に加工する装置です。FinFETのゲートパターニングや3D NANDのワードラインスタック形成において特に重要で、酸化膜に対する高い選択比とプロファイル制御性が求められます。Dummy Gate（置き換えゲート）プロセスでも中心的役割を果たします。

メーカー 3 社関連カテゴリ 6 件

主要特徴

塩素系・臭素系ガスでポリシリコンを高精度エッチング

ゲート酸化膜（SiO₂・HfO₂）への高選択比で薄膜ゲート絶縁層を保護

FinFETゲートパターニング・3D NANDワードライン形成に多用

Dummy Gateプロセス（RMG）においてゲート除去工程を担う

マイクローローディング効果の抑制がプロセス均一性の課題

よくある質問

ポリシリコンエッチングでなぜ臭素系ガスが使われますか？▾

HBr（臭化水素）は塩素系ガスより酸化膜への選択比が高く、薄いゲート酸化膜を傷つけずにポリシリコンだけを精密に除去できるためです。側壁保護（パッシベーション）効果もあり、垂直プロファイルの維持に役立ちます。

主要装置メーカーは？▾

Lam Research（米）、Applied Materials（米）、Tokyo Electron（日）の3社が市場をリードしています。

代表製品・スペック

製品写真

東京エレクトロン（TEL）

Tactras Poly（ポリシリコンエッチング）

ポリシリコンゲート電極の高精度エッチング専用モジュール。CD均一性と高選択比を両立。

対応ウェハ径	300 mm
主要用途	poly-Siゲート・ワードライン形成
選択比（Si/SiO₂）	> 100:1
CD均一性	±1nm 以内
プラズマ方式	CCP

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製品写真

Lam Research

Kiyo Poly

3D NANDのワードラインや従来型ロジックのポリゲートエッチングに対応するKiyoシリーズ。

対応ウェハ径	300 mm
主要用途	3D NAND ワードライン・ロジックゲート
プラズマ方式	ICP
スループット	最大 30 WPH
エッチング均一性	±1% 以内

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製品写真

Applied Materials

Producer Poly

Producerプラットフォームで動作するポリシリコンエッチングモジュール。

対応ウェハ径	300 mm
主要用途	フラッシュ・DRAMのゲート形成
選択比	poly-Si/酸化膜 > 80:1
チャンバー構成	ツインチャンバー
プラズマ方式	CCP

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。