SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

シリコンエッチャーメーカー3社

シリコンエッチャーは、単結晶シリコン・エピタキシャルシリコンをプラズマや反応性ガスで選択的に除去する装置で、STI（浅いトレンチ分離）・深いトレンチキャパシタ・FinFETフィン形成・SOI加工など多岐にわたる工程に使用されます。高アスペクト比トレンチの垂直側壁形成、窒化膜・酸化膜への高選択比が重要な性能指標で、DRAMのセルトレンチ（10:1以上）など極めて深い加工も担います。

メーカー 3 社関連カテゴリ 6 件

主要特徴

STI・トレンチキャパシタ・FinFINフィン形成など幅広い用途をカバー

塩素系・フッ素系ガスとシリコンの選択的反応で精密加工

高アスペクト比トレンチでも垂直側壁を保つプロファイル制御が重要

DRAMセルトレンチではアスペクト比10:1以上の超深加工に対応

SiGeセレクティブエッチング（ナノシート形成）でGAA-FETに貢献

よくある質問

シリコンエッチャーとポリシリコンエッチャーの違いは？▾

シリコンエッチャーは単結晶・エピSiを対象とし、深いトレンチや基板加工に特化します。ポリシリコンエッチャーはゲート電極などの薄膜ポリSiパターニングに特化しており、求められる選択比や側壁形状の要求が異なります。

ナノシートトランジスタとシリコンエッチャーの関係は？▾

GAA（ゲート・オール・アラウンド）型ナノシートFETでは、SiとSiGeを交互に積層した後にSiGeだけを選択的に除去してシリコンナノシートを露出します。この選択エッチングにシリコンエッチャーの技術が応用されています。

代表製品・スペック

製品写真

東京エレクトロン（TEL）

Tactras Si（シリコンエッチング）

シリコンの高精度エッチングに特化したTactrasモジュール。FinFET・トレンチ形成に実績。

対応ウェハ径	300 mm
主要用途	Siトレンチ・FinFETフィン形成
プラズマ方式	CCP
エッチング均一性	±1% 以内（300mm全面）
選択比	Si/SiO₂ > 100:1

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Lam Research

Kiyo Si（シリコンエッチング）

シリコンゲート・フィン・ピラー形成に使われるKiyoモジュール。異方性エッチング精度が高い。

対応ウェハ径	300 mm
主要用途	多結晶Si・単結晶Siエッチング
プロファイル制御	側壁垂直度 89° 以上
選択比	poly-Si/SiO₂ > 80:1
プラズマ方式	ICP

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Applied Materials

Centris Si

Centrisプラットフォームのシリコンエッチングモジュール。ロジックとメモリ双方の先端ノードに対応。

対応ウェハ径	300 mm
主要用途	ゲート電極・コンタクトホール形成
エッチング均一性	±1.5% 以内
プラズマ方式	CCP
チャンバー構成	ツインチャンバー

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。