シリコンエッチャーメーカー4社
シリコンエッチャーは、単結晶シリコン・エピタキシャルシリコンをプラズマや反応性ガスで選択的に除去する装置で、STI（浅いトレンチ分離）・深いトレンチキャパシタ・FinFETフィン形成・SOI加工など多岐にわたる工程に使用されます。高アスペクト比トレンチの垂直側壁形成、窒化膜・酸化膜への高選択比が重要な性能指標で、DRAMのセルトレンチ（10:1以上）など極めて深い加工も担います。
主要特徴
よくある質問
シリコンエッチャーとポリシリコンエッチャーの違いは？▾
ナノシートトランジスタとシリコンエッチャーの関係は？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Tactras™ | Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング） | Applied MaterialsSym3™ Z Magnum™ Etch |
|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） | 反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応 | プラズマエッチング（PVT2・独立 RF バイアス制御） |
| 主要用途 | 高アスペクト比エッチング | STI・ソースドレイン・FinFET | GAA・CFET のソース／ドレイン キャビティエッチング |
| 主な技術 | — | Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御） | Si/SiGe 高選択比・低い深さばらつき |
1機種だけが掲載している項目（2件）
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | — |
|---|---|---|---|
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（水平対向設計） | — | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） |
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（水平対向設計） |
| 主要用途 | 高アスペクト比エッチング |
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応 |
| 主な技術 | Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御） |
| 主要用途 | STI・ソースドレイン・FinFET |
Sym3™ Z Magnum™ Etch
GAA トランジスタのソース・ドレイン用キャビティを掘る Applied Materials のエッチングシステム。第2世代パルス電圧技術（PVT2）で垂直な側壁と矩形の底を作る。
| 方式 | プラズマエッチング（PVT2・独立 RF バイアス制御） |
| 主な技術 | Si/SiGe 高選択比・低い深さばらつき |
| 主要用途 | GAA・CFET のソース／ドレイン キャビティエッチング |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
4社の主要メーカー
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
英国ウェールズのニューポートに拠点を置く、KLA傘下の半導体製造装置メーカー。プラズマエッチング（シリコン深掘りエッチングを含む）、HF・XeF₂の気相エッチング、PVD、PECVDなどの装置を、MEMS・先端パッケージング・パワー半導体・RFデバイス向けに供給している。
- •MEMS向けのシリコン深掘りエッチング（DRIE）
- •先端パッケージングやパワー・RFデバイス向けのPVD・PECVD
同じ分野の装置カテゴリ
アッシング装置は、酸素プラズマで生成した酸素ラジカルによってフォトレジストを二酸化炭素と水に分解し、気体として除去する装置です。
メーカー 7 社ドライエッチング装置ドライエッチング装置（ドライエッチャー）は、プラズマや反応性ガスを用いてシリコン・酸化膜・金属薄膜などを気相中で精密除去する半導体前工程装置の一覧です。
メーカー 9 社材料別エッチャー材料別エッチャー（Material Etcher）は、ドライエッチングのうち除去対象の薄膜材料（酸化膜・窒化膜・多結晶シリコン・金属・化合物半導体など）ごとに、プラズマ化学種・ガスレシピ・電極構造を最適化した装置群を指します。
メーカー 3 社金属エッチャーメタルエッチャーは、アルミニウム・タングステン・チタン・コバルト・ルテニウムなどの金属配線・バリアメタル層をプラズマで精密に除去する専用ドライエッチング装置です。
メーカー 3 社酸化膜エッチャーオキサイドエッチャーは、シリコン酸化膜（SiO₂）・高誘電率酸化膜（HfO₂など）・BPSG・TEOS酸化膜といった絶縁膜をプラズマで精密に除去する専用装置です。
メーカー 3 社ポリシリコンエッチャーポリシリコンエッチャーは、ゲート電極・ハードマスク・電極材として広く使われるポリシリコン膜を塩素系・臭素系プラズマで精密に加工する装置です。
メーカー 4 社ウェットエッチング装置ウェットエッチング装置は、フッ酸（HF）・硝酸・水酸化カリウム（KOH）などの薬液を用いて、ウェハ表面の酸化膜・窒化膜・金属などを液相中で溶解・除去する装置です。
メーカー 4 社