SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

酸化膜エッチャーメーカー3社

オキサイドエッチャーは、シリコン酸化膜（SiO₂）・高誘電率酸化膜（HfO₂など）・BPSG・TEOS酸化膜といった絶縁膜をプラズマで精密に除去する専用装置です。コンタクトホール・ビアホール・STIトレンチなどの高アスペクト比構造の形成に多用され、選択比（酸化膜対シリコン・窒化膜）の確保がプロセス品質の要です。フッ素系ガス（C₄F₈・CF₄など）を主に使用し、先端ロジック・メモリ双方の基幹工程を支えます。

メーカー 3 社関連カテゴリ 6 件

主要特徴

SiO₂・BPSG・HfO₂など多様な酸化膜を高精度でプラズマエッチング

フッ素系ガス（C₄F₈・CF₄）で高い酸化膜対シリコン選択比を実現

コンタクトホール・ビアホール・STIトレンチの高アスペクト比加工を担う

高周波バイアス制御でイオン入射角を最適化し垂直側壁を形成

ALE（原子層エッチング）への対応で1nm世代の精度要求に応える

よくある質問

オキサイドエッチャーのアスペクト比依存性問題（ARDE）とは？▾

高アスペクト比の穴を掘る際、穴の入口と底でエッチング速度が異なる現象（ARDE）が発生します。プラズマイオンが深い穴の底に到達しにくくなるためで、圧力・バイアス電力・ガス種の最適化で緩和します。

主要メーカーは？▾

Lam Research（Kiyo、Flex シリーズ）、Applied Materials（Centura シリーズ）、Tokyo Electron（Tactras シリーズ）が世界をリードしています。

代表製品・スペック

製品写真

東京エレクトロン（TEL）

Tactras Oxide

酸化膜（SiO₂・Low-k）の高精度エッチング。コンタクトホール・ビア形成に広く使用される。

対応ウェハ径	300 mm
主要用途	コンタクトホール・STI・ゲート酸化膜エッチング
プラズマ方式	CCP
アスペクト比対応	最大 40:1
選択比（SiO₂/Si）	> 30:1

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Lam Research

Versys（誘電体エッチング）

酸化膜・窒化膜・Low-k膜の誘電体エッチング専用システム。高アスペクト比ビア形成に実績。

対応ウェハ径	300 mm
主要用途	ビア・コンタクト・STI酸化膜エッチング
プラズマ方式	CCP
アスペクト比対応	最大 50:1
プロセス圧力	10 ～ 200 mTorr

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Applied Materials

Producer Selectra

SiO₂ / Low-k 誘電体エッチング向け。精密な選択比制御でフィンやゲート構造を保護しながらエッチング。

対応ウェハ径	300 mm
主要用途	Low-k ILD・SiO₂スペーサーエッチング
プラズマ方式	CCP
選択比（SiO₂/Si）	> 50:1
CD均一性	±1nm 以内

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。