酸化膜エッチャーメーカー3社
オキサイドエッチャーは、シリコン酸化膜（SiO₂）・高誘電率酸化膜（HfO₂など）・BPSG・TEOS酸化膜といった絶縁膜をプラズマで精密に除去する専用装置です。コンタクトホール・ビアホール・STIトレンチなどの高アスペクト比構造の形成に多用され、選択比（酸化膜対シリコン・窒化膜）の確保がプロセス品質の要です。フッ素系ガス（C₄F₈・CF₄など）を主に使用し、先端ロジック・メモリ双方の基幹工程を支えます。
主要特徴
よくある質問
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スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Tactras™ | Lam ResearchFlex®（誘電体エッチング） | Lam ResearchVantex®（誘電体エッチング） | Applied MaterialsProducer® Selectra® Etch |
|---|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） | RIE・プラズマ ALE・極低温エッチング | 誘電体エッチング（RIE・クライオエッチング） | ラジカルベースの選択エッチング（等方性） |
| 主要用途 | マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜 | Low-k デュアルダマシン・SAC・キャパシタ・3D NAND 高アスペクト比ホール | 3D NAND の高アスペクト比の穴・溝・コンタクト、キャパシタセル | FinFET・GAA・3D NAND のリセス・DRAM の高アスペクト比構造 |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | — | — |
|---|---|---|---|---|
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（水平対向設計） | — | — | — |
| 主な技術 | — | マルチ周波数閉じ込めプラズマ・AMMP（混合モードパルス） | — | — |
| シリーズ構成 | — | Exelan Flex／Flex45／Flex D・E・F・G・H シリーズ | — | — |
| 特徴 | — | — | 先進の RF 技術・均一性制御・Equipment Intelligence | — |
| 対象 | — | — | — | 絶縁膜・金属膜・半導体膜 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） |
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（水平対向設計） |
| 主要用途 | マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜 |
Flex®（誘電体エッチング）
Lam Research の誘電体エッチング用プロダクトファミリー。マルチ周波数・小容積の閉じ込めプラズマで、絶縁膜の微細・高アスペクト比加工を行う。
| 方式 | RIE・プラズマ ALE・極低温エッチング |
| 主な技術 | マルチ周波数閉じ込めプラズマ・AMMP（混合モードパルス） |
| シリーズ構成 | Exelan Flex／Flex45／Flex D・E・F・G・H シリーズ |
| 主要用途 | Low-k デュアルダマシン・SAC・キャパシタ・3D NAND 高アスペクト比ホール |
| 方式 | 誘電体エッチング（RIE・クライオエッチング） |
| 特徴 | 先進の RF 技術・均一性制御・Equipment Intelligence |
| 主要用途 | 3D NAND の高アスペクト比の穴・溝・コンタクト、キャパシタセル |
Producer® Selectra® Etch
ラジカル系の化学反応で、絶縁膜・金属・半導体膜を原子レベルの精度と高い選択比で除去する Applied Materials の選択エッチング装置。
| 方式 | ラジカルベースの選択エッチング（等方性） |
| 対象 | 絶縁膜・金属膜・半導体膜 |
| 主要用途 | FinFET・GAA・3D NAND のリセス・DRAM の高アスペクト比構造 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
同じ分野の装置カテゴリ
アッシング装置は、酸素プラズマで生成した酸素ラジカルによってフォトレジストを二酸化炭素と水に分解し、気体として除去する装置です。
メーカー 7 社ドライエッチング装置ドライエッチング装置（ドライエッチャー）は、プラズマや反応性ガスを用いてシリコン・酸化膜・金属薄膜などを気相中で精密除去する半導体前工程装置の一覧です。
メーカー 9 社材料別エッチャー材料別エッチャー（Material Etcher）は、ドライエッチングのうち除去対象の薄膜材料（酸化膜・窒化膜・多結晶シリコン・金属・化合物半導体など）ごとに、プラズマ化学種・ガスレシピ・電極構造を最適化した装置群を指します。
メーカー 3 社金属エッチャーメタルエッチャーは、アルミニウム・タングステン・チタン・コバルト・ルテニウムなどの金属配線・バリアメタル層をプラズマで精密に除去する専用ドライエッチング装置です。
メーカー 3 社ポリシリコンエッチャーポリシリコンエッチャーは、ゲート電極・ハードマスク・電極材として広く使われるポリシリコン膜を塩素系・臭素系プラズマで精密に加工する装置です。
メーカー 4 社シリコンエッチャーシリコンエッチャーは、単結晶シリコン・エピタキシャルシリコンをプラズマや反応性ガスで選択的に除去する装置で、STI（浅いトレンチ分離）・深いトレンチキャパシタ・FinFETフィン形成・SOI加工など多岐にわたる工程に使用されます。
メーカー 4 社ウェットエッチング装置ウェットエッチング装置は、フッ酸（HF）・硝酸・水酸化カリウム（KOH）などの薬液を用いて、ウェハ表面の酸化膜・窒化膜・金属などを液相中で溶解・除去する装置です。
メーカー 4 社