ArF液浸リソグラフィ（ArF Immersion Lithography）は、ArFエキシマーレーザー（波長193nm）を光源とする液浸露光技術です。投影レンズとウェハの間に超純水（屈折率n≈1.44）を満たすことで実効波長を約134nmまで短縮し、高い開口数（NA≤1.35）と解像度を実現します。2006年頃から45nmノード以降の先端半導体製造の主力技術となり、EUV露光が普及する現在でも多くの工程で使われています。
液浸露光の原理は、空気（n≈1.0）よりも屈折率の高い水（n≈1.44）で光路を満たすことで、同じ開口数NAでも結像分解能が向上する点にあります。解像度R = k₁×λ/(NA×n)の式において、分母にnが加わることで理論上の分解能が改善します。水を使った液浸露光の実用化にはASMLが先導的な役割を果たしました。
ArFi露光装置は現在もDRAM・NAND Flash・ロジックチップの多数の露光層（アライメントマーク・周辺回路・一部の中間層など）に用いられており、工場全体の露光装置台数としてはArFiがEUVを大幅に上回ります。また、多重パターニング（SADP：自己整合ダブルパターニング、SAQP）と組み合わせることでArFi単独の解像限界を超えた微細パターンを形成できます。
ArFiの液浸リキッド（超純水）管理は重要な技術課題です。ウェハ移動時に水が飛散（ウォーターマーク）すると欠陥原因になるため、液浸ヘッド（ローカルフィルスター）による水のコンファインメント技術、撥水性のレジスト保護コート（TARC）の採用などが行われています。
主要メーカーはASML（TWINSCAN NXT系：ArFi市場で約75〜80%のシェア）、Nikon（NSR-S631E等）です。Canonは液浸ArFiには参入せず、KrF・i線と独自のナノインプリント（NIL）技術に注力しています。ASMLのTWINSCAN NXT:1980Diは最先端ArFi装置として、先端ファブの多くに導入されています。
