DSA（Directed Self-Assembly：誘導自己組織化）は、ブロック共重合体（異なる高分子が結合したポリマー）が自発的に規則的なミクロ相分離を起こす性質を利用し、露光では作りにくい微細な周期パターンを形成する技術です。露光を補完・延長する次世代リソグラフィ手法の一つとして研究されてきました。
そのままでは配向がランダムになるため、あらかじめ露光で作った案内パターンで自己組織化を導きます。溝で誘導するグラフォエピタキシと、表面の化学的な違いで誘導するケモエピタキシがあり、これにより露光の解像限界より細いラインや、コンタクトホールの縮小・整列（シュリンク）を実現します。
DSAの利点は、高価なEUVに頼らず低コストで微細周期パターンを作れる可能性がある点です。一方で、欠陥（ディフェクティビティ）の低減、配置の自由度、材料の安定性などが実用化の課題で、現状は限定的な用途・研究段階にあります。
DSAはマルチパターニングやEUVを補完する選択肢として位置づけられます。multi-patterningやeuv、self-assembled-monolayer、sadpの各項とあわせて読むと、微細パターン形成の多様なアプローチが理解できます。材料・プロセスは東京エレクトロン・JSR・Applied Materialsなどが取り組んできました。
