フラッシュメモリ（Flash Memory）は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリの一種で、電気的に一括（フラッシュ）消去できることからその名が付きました。フローティングゲートや電荷トラップ層に電荷を蓄えて記憶し、SSD・スマートフォン・USBメモリ・SDカードなど、あらゆるストレージの中核を担っています。
フラッシュには大きくNAND型とNOR型があります。NAND型はセルを直列接続して高密度・大容量化に適し、SSDやスマホストレージに使われます。NOR型はランダムアクセスと高速読み出しに優れ、プログラムコードの格納（コード実行、XIP）に使われます。用途に応じて使い分けられます。
書き込み・消去は高い電圧でトンネル電流を流して電荷を出し入れするため、DRAMより低速で、書き換え回数に上限（耐久性）があります。1セルに複数ビットを記憶する多値化（MLC/TLC/QLC）や、セルを垂直に積む3D NANDにより、大容量化と低コスト化が進められてきました。
フラッシュメモリはSamsung・Kioxia・SK Hynix・Micronが主要メーカーです。nand-flashやnor-flash、3d-nand、multi-level-cell、charge-trap-flashの各項とあわせて読むと、不揮発性メモリの全体像と技術の進化が理解できます。
