チャージトラップフラッシュ（CTF：Charge Trap Flash）は、NANDフラッシュメモリのデータ記憶方式の一種で、フローティングゲート（浮遊ゲート：FG）の代わりに窒化シリコン（Si3N4）などの電荷トラップ膜に電荷を捕捉・保持することでデータを記憶します。従来のフローティングゲートNANDに比べ、セル間干渉（Cell-to-Cell Interference）が少なく、3次元積層（3D NAND）との相性が良いため、現在の主流3D NAND構造に採用されています。
CTFの基本構造は、O-N-O（SiO2-Si3N4-SiO2）のONOスタックです。下層SiO2（トンネル酸化膜）、中間Si3N4（電荷トラップ層）、上層SiO2（ブロッキング酸化膜）から構成されます。書き込み時はFNトンネリング（Fowler-Nordheimトンネリング）または熱電子注入で電荷をSi3N4に捕捉し、消去時は逆方向のFNトンネリングで電荷を放出します。
CTFが3D NANDに採用された最大の理由は、フローティングゲートと異なりセル間での電荷の浮遊ゲート間容量結合（IPD：Inter-Poly Dielectric問題）がないことです。3D NANDではワード線方向に多数のセルが積層されるため、セル間干渉の低減が密度向上の鍵です。Samsung（V-NAND）、SK Hynix、Micronが全てCTF構造を採用しています。
3D NAND製造ではCTF層をシリンダー状（垂直チャネル）の周囲に形成するため、高アスペクト比（現在のTLC 200層以上では300：1超）のシリンダーエッチングと、ALD（原子層堆積）によるO-N-O膜の均一なコンフォーマル成膜が必要です。エッチングの難度（均一性・垂直性・ボーイング抑制）が3D NANDの積層数拡大の最大のボトルネックです。
CTF材料としてSi3N4（窒化シリコン）が標準ですが、高誘電率材料（HfO2ベース）やフェロエレクトリック材料（HZO：Hf-Zr酸化物：FE-FET NAND）の採用も研究されています。FE-CTF（強誘電体チャージトラップ）はより高速書き換えと低電圧動作が期待され、次世代不揮発性メモリ技術の候補の一つです。製造装置では、Lam Research・Tokyo Electron・ASM Internationalが3D NAND向けALD/CVD・エッチング装置の主要サプライヤーです。