キオクシア(Kioxia)

旧東芝メモリ。NAND型フラッシュメモリの発明企業として世界第2位のシェアを持つ。BiCS FLASH(3D NAND)技術でスマホ・SSD・データセンター向けに供給。

日本・IDM・公式サイト ↗

当サイトでの位置づけ

SemiraiのNANDフラッシュ・3D積層カテゴリでは、BiCS FLASH(3D NAND)技術で東芝メモリから独立後も世界第2位のNAND生産量を維持する国産半導体メーカーとして参照されます。

企業の強み

NAND型フラッシュメモリの発明企業(1987年東芝)
BiCS FLASH(3D NAND)で世界第2位のシェア
WD(Western Digital)との共同開発・製造体制

主要製品・ソリューション

NANDフラッシュ

  • •BiCS FLASH 3D NAND
  • •UFS
  • •eMMC

SSD

  • •エンタープライズSSD
  • •クライアントSSD

製品分野・業態

関連装置カテゴリ

半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、キオクシア(Kioxia)を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
→

関連用語

同じトピックの用語

メモリ半導体 のトピックで関連する用語です。

同じトピックの企業

アドバンテスト日本Samsung Electronics(サムスン電子)韓国SK hynix(SKハイニックス)韓国Micron Technology(マイクロン)米国

比較・違いを学ぶ

NANDとDRAMの違いとは|速度・用途・製造プロセスを徹底比較
NANDフラッシュとDRAMはどちらも「半導体メモリ」ですが、役割・仕組み・用途が大きく異なります。DRAMは電源を切るとデータが消える揮発性メモリで、CPUの…
→
ロジックプロセスとメモリプロセスの違い
ロジックプロセスはCPU・GPU・SoCなど演算・制御回路を製造するプロセスで、トランジスタ性能と集積度の最大化が目標です。メモリプロセスはDRAMやNAND …
→
HBM2EとHBM3の違い(世代別スペック比較)
HBM(High Bandwidth Memory)はDRAMを縦に積層しTSV(Through-Silicon Via)で接続した超高帯域メモリです。AI学習…
→
HBM3E vs HBM4:AI GPU向け高帯域幅メモリの世代比較
HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)は2024〜2025年のAI GPU主流世代(NVIDIA H200・B200搭載)、HBM4は2…
→
HBMとGDDR6の違い(AI GPU向けメモリ比較)
HBM(High Bandwidth Memory)とGDDR6(Graphics Double Data Rate 6)はいずれもGPU向け高速メモリですが、…
→
DDR4とDDR5の違い(速度・電圧・互換性の比較)
DDR4は2014年に登場し、Intel第6世代(Skylake)から普及したメモリ規格です。DDR5は2021年にIntel Alder Lake(第12世代…
→
公式サイトへ

キオクシア(Kioxia) のご担当者様へ

このページの掲載内容を貴社で管理できます(企業ページの認領)。情報の修正は無料、詳細掲載や資料掲載は有料プランでご利用いただけます。

無料掲載¥0
掲載内容の修正依頼
スタンダード¥5,000/月
詳細掲載・PDF資料・月次レポート
プレミアム¥30,000〜/月
上位表示・ロゴ掲載・引き合い件数

※ 税別。有料プランは最低3ヶ月から。 プランの詳細を見る

← 企業一覧に戻る